石川 瑞恵

工学部 電気電子工学科専任講師

学位

  • 博士(工学), 大阪大学

研究キーワード

  • SiスピンMOSFET
  • ホイスラー
  • Siスピン
  • スピントロニクス

研究分野

  • ナノテク・材料, 無機材料、物性, 無機材料・物性
  • ナノテク・材料, 応用物理一般, 応用物理学一般
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電気電子材料工学, 電子・電気材料工学
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電子デバイス、電子機器, 電子デバイス・電子機器

経歴

  • 2019年04月01日
    日本大学工学部, 電気電子工学科, 専任講師
  • 2006年04月01日 - 2018年07月31日
    株式会社東芝, 研究開発センター

学歴

  • 2016年04月01日 - 2019年03月25日
    大阪大学, 基礎工学研究科, システム創成専攻
  • 2004年04月01日 - 2006年03月25日
    大阪大学, 基礎工学研究科, 物質創成専攻
  • 2000年04月01日 - 2004年03月25日
    日本大学, 理工学部, 物理学科

受賞

  • 2020年07月
    福島テックプラングランプリ 最優秀賞・クレハ賞・NEST iPLAB賞
    石川 瑞恵

論文

  • Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spin-mosfet applications
    M. Ishikawa; Y. Saito; K. Hamaya
    Journal of the Magnetics Society of Japan, 2020年, 査読有り
    筆頭著者
  • Siスピントロニクス素子におけるスピン緩和機構と高効率スピン注入・検出に関する研究
    大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻 博士課程学位論文, 2019年03月, 査読無し, 通常論文
    筆頭著者
  • Reliable Estimation of TaB Spin Hall Angle by Incorporating the Interfacial Transparency and Isolating Inverse Spin Hall Effect in ST-FMR Analysis
    A. Tiwari; H. Yoda; Y. Kato; K. Koi; M. Ishikawa; S. Oikawa; Y. Saito; T. Inokuchi; N. Shimomura; M. Shimizu; S. Shirotori; B. Altansargai; H. Sugiyama; Y. Ohsawa; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2018 (Intermag 2018), 2018年04月, 査読有り, 通常論文
  • Local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Saito; K. Hamaya
    IEEE Trans. Magn., 2018年, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Giant voltage-controlled magnetic anisotropy effect in a crystallographically strained CoFe system
    Y. Kato; H. Yoda; Y. Saito; S. Oikawa; K. Fujii; M. Yoshiki; K. Koi; H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; N. Shimomura; M. Shimizu; S. Shirotori; B. Altansargai; Y. Ohsawa; K. Ikegami; A. Tiwari; A. Kurobe
    Appl. Phys. Express, 2018年, 査読有り, 通常論文
  • Improvement of Write Efficiency in Voltage-Controlled Spintronic Memory by development of a Ta-B Spin Hall Electrode
    Y. Kato; Y. Saito; H. Yoda; T. Inokuchi; S. Shirotori; N. Shimomura; S. Oikawa; A. Tiwari; M. Ishikawa; M. Shimizu; B. Altansargai; H. Sugiyama; K. Koi; A. Kurobe
    Phys. Rev. Appl., 2018年, 査読有り, 通常論文
  • Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; S. Honda; Y. Fujita; M. Yamada; Y. Saito; T. Kimura; H. Itoh; K. Hamaya
    J. Phys. D: Appl. Phys., 2018年, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Ultra-High-Efficiency Writing in Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM): The Most Promising Embedded Memory for Deep Learning
    Y. Ohsawa; H. Yoda; N. Shimomura; S. Shirotori; S. Fujita; K. Koi; A. Buyandalai; S. Oikawa; M. Shimizu; Y. Kato; T. Inokuchi; H. Sugiyama; M. Ishikawa; K. Ikegami; S. Takaya; A. Kurobe
    J. Ele. Dev. Soc. 6, 2018年, 査読有り, 通常論文
  • Switching mechanism design for high-speed Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) considering the operation window
    K. Koi; H. Yoda; N. Shimomura; T. Inokuchi; Y. Kato; A. Buyandalai; S. Shirotori; Y. Kamiguchi; K. Ikegami; S. Oikawa; H. Sugiyama; M. Shimizu; M. Ishikawa; T. Ajay; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    roceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017), 2017年09月, 査読有り, 通常論文
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) having a potential of high write-efficiency
    M. Shimizu; H. Yoda; S. Shirotori; N. Shimomura; Y. Ohsawa; T. Inokuchi; K. Koi; Y. Kato; S. Oikawa; H. Sugiyama; B. Altansargai; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; Y. Saito; A. Kurobe
    Proceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017), 2017年09月, 査読有り, 通常論文
  • High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write-current
    H. Sugiyama; H. Yoda; K. Koi; S. Oikawa; B. Altansargai; T. Inokuchi; S. Shirotori; M. Shimizu; Y. Kato; Y. Ohsawa; M. Ishikawa; A. Tiwari; Y. Kamiguchi; N. Shimomura; Y. Saito; A. Kurobe
    Proceedings of Non-Volatile Memory Technology Symposium 2017 (NIVNST2017), 2017年08月, 査読有り, 通常論文
  • Improved read disturb and write error rates in voltage-control spintronics memory (VoCSM) by controlling energy barrier height
    T. Inokuchi; H. Yoda; Y. Kato; M. Shimizu; S. Shirotori; N. Shimomura; K. Koi; Y. Kamiguchi; H. Sugiyama; S. Oikawa; K. Ikegami; M. Ishikawa; B. Altansargai; A. Tiwari; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017年06月, 査読有り, 通常論文
  • Spin relaxation mechanism in heavily doped n-type silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    Spintech IX, 2017年06月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/Si devices with confined structure of n(+)-Si layer
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; T. Ajay; H. Sugiyama
    AIP ADVANCES, 2017年05月, 査読有り, 通常論文
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) with a self-aligned heavy-metal electrode
    S. Shirotori; H. Yoda; Y. Ohsawa; N. Shimomura; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Kamiguchi; K. Koi; K. Ikegami; H. Sugiyama; M. Shimizu; A. Buyandalai; S. Oikawa; M. Ishikawa; T. Ajay; Y. Saito; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017), 2017年04月, 査読有り, 通常論文
  • Spin relaxation through lateral spin transport in heavily doped n-type silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    PHYSICAL REVIEW B, 2017年03月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Room temperature observation of high spin polarization in post annealed Co
    Tiwari Ajay; Inokuchi Tomoaki; Ishikawa Mizue; Sugiyama Hideyuki; Tezuka Nobuki; Saito Yoshiaki
    Jpn. J. Appl. Phys., 2017年02月
  • Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2017年01月, 査読有り, 通常論文
  • High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM)
    H. Yoda; H. Sugiyama; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Ohsawa; K. Abe; N. Shimomura; Y. Saito; S. Shirotori; K. Koi; B. Altansargai; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; S. Fujita; A. Kurobe
    2017 IEEE 9TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW), 2017年, 査読有り, 通常論文
  • Room temperature observation of high spin polarization in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    Jpn. J. Appl. Phys., 2017年, 査読有り, 通常論文
  • Room temperature observation of large spin accumulation and transport signals in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    2016 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2016), 2016年09月, 査読有り, 通常論文
  • Effect of post annealing on spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    AIP Advances, 2016年07月, 査読有り, 通常論文
  • Spin-dependent transport mechanisms in CoFe/MgO/n+-Si junctions investigated by frequency response of signals
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Appl. Phys. Express., 2016年06月, 査読有り, 通常論文
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2016年, 査読有り, 通常論文
  • Spin accumulation signals in CoFe/MgO/n+-Si devices deposited on Si (1×1) and Si (2×1) surfaces
    Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka
    Joint MMM/Intermag Conference, 2016, 2016年01月, 査読有り, 通常論文
  • Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Nobuki Tezuka; Kohei Hamaya; Yoshiaki Saito
    2015 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2015), 2015年09月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Spin transport and accumulation in n+-Si using Heusler compound Co2FeSi/MgO tunnel contacts
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Appl. Phys. Lett., 2015年08月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Influence of miniaturization of the CoFe/MgO/n+-Si devices on magnitude of magnetoresistance
    Hideyuki Sugiyama; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Yoshiaki Saito; Nobuki Tezuka
    International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces 2015 (ICMFS 2015), 2015年06月, 査読有り, 通常論文
  • Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Yoshiaki Saito
    IEEE International magnetic conference 2015 (Intermag 2015), 2015年05月, 査読有り, 通常論文
  • Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions
    Y. Saito; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年, 査読有り, 通常論文
  • Ferromagnet/tunnel barrier/n+-Si junction technology for spin-FETs
    Y. Saito; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama
    International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015), 2015年, 査読有り, 招待有り
  • Effect of electron trap states on spin-dependent transport characteristics in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions investigated by Hanle effect measurements and inelastic electron tunneling spectroscopy
    Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Yoshiaki Saito
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年12月, 査読有り, 通常論文
  • Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals
    Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka; Yoshiaki Saito
    59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014), 2014年11月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Large spin-accumulation signal in Si for epitaxial CoFe/highly (100)-textured MgO/Si devices
    H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; T. Tanamoto; Y. Saito; N. Tezuka
    SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2014年07月, 査読有り, 通常論文
  • Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/silicon-on-insulator lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年05月, 査読有り, 通常論文
  • Effects of interface electric field on the magnetoresistance in spin devices
    T. Tanamoto; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; Y. Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年04月, 査読有り, 通常論文
  • Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves
    Y. Saito; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; N. Tezuka; K. Hamaya
    IEEE International nanoelectronics conference, 2014 (IEEE INEC 2014), 2014年, 査読有り, 招待有り
  • Maximum magnitude in bias-dependent spin accumulation signals of CoFe/MgO/Si on insulator devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年12月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Local magnetoresistance through Si at room temperature and its bias voltage dependence in CoFe/MgO/SOI lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference), 2013年11月, 査読有り, 通常論文
  • Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junctions
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto; Y. Saito
    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference), 2013年11月, 査読有り, 通常論文
  • Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    International conference on solid state devices and materials (SSDM2013), 2013年09月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Effects of interface resistance asymmetry on local and non-local magnetoresistance structures
    T. Tanamoto; H. Sugiyama; T. Inokuchi; M. Ishikawa; Y. Saito
    Jap. J. Appl. Phys., 2013年03月, 査読有り, 通常論文
  • A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET
    T. Tanamoto; H. Sugiyama; T. Inokuchi; M. Ishikawa; Y. Saito
    Trends in nanotechnology (TNT2013), 2013年, 査読有り, 招待有り
  • Spin accumulation in Si for CoFe/MgO/Mg/Si-on-insulator devices
    H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. T. Tanamoto; K. Hamaya; Y. Saito; N. Tezuka
    Joint MMM/Intermag Conference, 2013, 2013年01月, 査読有り, 通常論文
  • Spin-Based MOSFETs for Logic and Memory Applications and Spin Accumulation Signals in CoFe/Tunnel Barrier/SOI Devices
    Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka
    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2012年11月, 査読有り, 通常論文
  • Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), 2012年09月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Effect of the interface resistance of CoFe/MgO contacts on spin accumulation in silicon
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Appl. Phys. Lett., 2012年06月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Spin injection and detection between CoFe/AlOx junctions and SOI investigates by Hanle effect measurements
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito; N. Tezuka
    56th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials ( 2011 MMM Conference), 2011年11月, 査読有り, 通常論文
  • Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor (vol 109, 07C312, 2011)
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年09月, 査読有り, 通常論文
  • Spin injection, transport, and read/write operation in spin-based MOSFET
    Yoshiaki Saito; Takao Marukame; Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto
    THIN SOLID FILMS, 2011年09月, 査読有り, 招待有り
  • Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年04月, 査読有り, 通常論文
  • Scalability of spin FPGA: A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    CoRR, 2011年
  • Spin-Based MOSFET and Its Applications
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Marukame; T. Tanamoto
    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2011年, 査読有り, 通常論文
  • Spin-based MOSFET and Its Applications
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Marukame; T. Tanamoto
    2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT), 2011年, 査読有り, 通常論文
  • Spin-based MOSFET: a promising candidate for beyond CMOS device using nanotechnology
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto
    he Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7), 2011年, 査読有り, 招待有り
  • Read/write operation of spin-based MOSFET using highly spin-polarized ferromagnet/MgO tunnel barrier for reconfigurable logic devices
    T. Marukame; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    2009 IEEE International Electron Devices Meeting, 2010年03月, 査読有り, 通常論文
  • Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits
    Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Mizue Ishikawa; Yoshiaki Saito
    2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2010年, 査読有り, 通常論文
  • Read/Write operation of spin-based MOSFET and the related phenomena
    Y. Saito; T. Marukame; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama
    The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), 2010年, 査読有り, 招待有り
  • Electrical Spin Injection into n-GaAs Channels and Detection through MgO/CoFeB Electrodes
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Appl. Phys. Express, 2009年02月, 査読有り, 通常論文
  • Spin dependent transport between exchange-biased magnetic pinned-layer and magnetic free-layer through lateral GaAs channel
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    20th ICMFS (20th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS2009), 2009年, 査読有り, 通常論文
  • The influence of buffer layer on tunnel magnetoresistance in full-Heusler alloy Co2Fe(Al0.5Si0.5)/MgO/Co2Fe(Al0.5Si0.5) tunnel junctions
    M. Ishikawa; T. Marukame; T. Inokuchi; H. Sugiyama; Y. Saito
    53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2008MMM Conference), 2008年11月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Electrical spin injection and detection through CoFeB/MgO electrodes in n-GaAs channel
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2008MMM Conference), 2008年11月, 査読有り, 通常論文
  • Novel Look-Up Table Circuits Using Spin MOSFET
    H. Sugiyama; T. Tanamoto; T. Marukame; M. Ishikawa; T. Inokuchi; Y. Saito
    2008 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), 2008年09月, 査読有り, 通常論文
  • Tenfold Improvement of the Write-Error Rate of Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) by Controlling Switching Energy Barrier Height
    T.Inokuchi; H. Yoda; S. Shirotori; Y. Kato; N. Shimomura; K. Koi; Y. Kamiguchi; K. Ikegami; H. Sugiyama; M. Shimizu; S. Oikawa; M. Ishikawa; A. Buyandalai; T. Ajay; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017), 2007年04月, 査読有り, 通常論文
  • (Fe,Mn)(3)O-4 nanochannels fabricated by AFM local-oxidation nanolithography using Mo/poly(methyl methacrylate) nanomasks
    Luca Pellegrino; Yoshihiko Yanagisawa; Mizue Ishikawa; Takuya Matsumoto; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai
    ADVANCED MATERIALS, 2006年12月, 査読有り, 通常論文
  • Preparation of highly conductive Mn-doped Fe3O4 thin films with spin polarization at room temperature using a pulsed-laser deposition technique
    Mizue Ishikawa; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai
    Applied Physics Letters, 2005年05月
    筆頭著者

MISC

  • n+-Siスピン伝導チャネルにおけるスピン緩和について
    石川瑞恵; 浜屋宏平
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2020年
  • 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (磁気記録・情報ストレージ)
    アルタンサルガイ ブヤンダライ; 與田 博明; 井口 智明; 大沢 裕一; 下村 尚治; 白鳥 聡志; 杉山 英行; 加藤 侑志; 上口 裕三; 清水 真理子; 鴻井 克彦; 及川 壮一; 石川 瑞恵; アジヤイ テイワリ; 池上 一隆; 斉藤 好昭; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年07月07日
  • 依頼講演 超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (集積回路)
    與田 博明; 下村 尚治; 大沢 裕一; 白鳥 聡志; 加藤 侑志; 井口 智明; 上口 裕三; アルタンサガイ ブヤンダライ; 斉藤 好昭; 鴻井 克彦; 杉山 英行; 及川 壮一; 清水 真理子; 石川 瑞恵; 池上 一隆; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年04月20日
  • 招待講演 超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (シリコン材料・デバイス)
    與田 博明; 下村 尚治; 大沢 裕一; 白鳥 聡志; 加藤 侑志; 井口 智明; 上口 裕三; アルタンサガイ ブヤンダライ; 斉藤 好昭; 鴻井 克彦; 杉山 英行; 及川 壮一; 清水 真理子; 石川 瑞恵; 池上 一隆; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年01月30日
  • Si〈100〉スピン伝導素子のスピン信号強度増大
    石川瑞恵; 石川瑞恵; 塚原誠人; 藤田裕一; 山田晋也; 杉山英行; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
  • Si系横型素子における室温スピン信号の増大
    岡孝保; 石川瑞恵; 藤田裕一; 山田晋也; 金島岳; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年
  • 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用
    井口 智明; 丸亀 孝生; 棚本 哲史; 杉山 英行; 石川 瑞恵; 斉藤 好昭
    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路, 2010年08月19日, 査読無し, 通常論文

講演・口頭発表等

  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金の作製
    野木祐介; 緑川大己; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2024年03月, 通常論文
  • スピン信号測定器の立上げ
    李奕禧; 齋藤麗音; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2024年03月, 通常論文
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高濃度p型Si層の作製
    横瀬滉将; 渡辺成美; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2024年03月, 通常論文
  • SiスピンMOSFETの作製のためのマスク重ね合わせ条件出し
    生川光太朗; 熊田結子; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2024年03月, 通常論文
  • 半導体スピン素子のための高濃度p型Si層の作製
    石川 瑞恵
    第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 2023年03月
  • SiスピンMOSFETの性能評価を行うためのスピン信号測定器の立上げ
    佐藤 陸斗; 佐藤 諒; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2023年03月, 通常論文
  • SiスピンMOSFETの製作におけるマスク重ね合わせ条件の検討
    大金 竜士; 齋藤 郁斗; 田中 竜樹; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2023年03月, 通常論文
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金/CoFe強磁性体電極の作製
    林 龍哉; 半澤 圭悟; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2023年03月, 通常論文
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた 高規則度ホイスラー合金Co2MnSn電極の作製
    山岸 大紀; 玉貫 海渡; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」, 2023年03月, 通常論文
  • 半導体スピン素子のための高濃度Si層の作製
    石川 瑞恵
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, 通常論文
  • n+-Siスピン伝導チャネルにおけるスピン緩和について
    石川瑞恵; 浜屋 宏平
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
  • Temperature Dependence of Nonlocal Spin Transport in Si<100> Lateral Spin-Valve Devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Fujita; K. Hamaya
    SSDM2018, 通常論文
  • Large local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Saito; K. Hamaya
    Intermag2018, 2018年04月, 通常論文
  • Si<100>スピン伝導素子のスピン信号強度増大
    石川瑞恵; 塚原 誠人; 藤田 裕一; 山田 晋也; 杉山 英行; 斉藤 好昭; 浜屋 宏平
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  • High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write current
    H. Sugiyama; H. Yoda; K. Koi; S. Oikawa; B. Altansargai; T. Inokuchi; S. Shirotori; M. Shimizu; Y. Kato; Y. Ohsawa; M. Ishikawa; A. Tiwari; N. Shimomura; Y. Saito; A. Kurobe
    Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
  • High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM)
    H. Yoda; H. Sugiyama; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Ohsawa; K. Abe; N. Shimomura; Y. Saito; S. Shirotori; K. Koui; B. Altansargai; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; S. Fujita; A. Kurobe
    2017 IEEE International Memory Workshop (IMW)
  • Spin Relaxation Mechanism in Heavily Doped n-type Silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    Spintech IX, 通常論文
  • Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • Spin injection, transport and detection technology in ferromagnet/MgO/Si devices
    斉藤好昭; 石川瑞恵; テリワリアジェイ; 杉山英行; 井口智明
    第40回日本磁気学会学術講演会, 2016年09月
  • Co2FeSi/MgO/n+-SOIデバイスの室温スピン信号
    石川瑞恵; テリワリアジェイ; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第40回日本磁気学会学術講演会, 2016年09月
  • 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM)
    清水真理子; 與田博明; 井口智明; 大沢裕一; 下村尚治; 白鳥聡志; 杉山英行; 加藤侑志; 上口裕三; ブランダライアルタンサルガイ; 鴻井克彦; 及川壮一; 石川瑞恵; テイワリアジヤイ; 池上一隆; 斉藤好昭; 黒部篤
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2016年09月
  • Si系横型素子における室温スピン信号の増大
    岡孝保; 石川瑞恵; 藤田裕一; 山田晋也; 金島岳; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    第63回応用物理学会学術講演会, 2016年03月
  • CoFe/MgO/n+-SOIを用いたスピン信号のSi基板表面処理効果
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第63回応用物理学会学術講演会, 2016年03月
  • Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2015
  • 非弾性散乱トンネルスペクトロスコピーを用いたn-Si/MgO/CoFe接合中のスピン依存伝導機構の解析
    井口智明; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭
    第39回 日本磁気学会学術講演会, 2015年09月
  • Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/ n+-Si junctions
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Intermag2015
  • Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Y. Saito; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    59th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    MMM2014
  • L21-Co2FeSi/MgO/n+-SOIを用いたスピン蓄積信号のバイアス電圧依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 棚本哲史; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第61回応用物理学会学術講演会, 2014年03月
  • Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junction
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto; Y. Saito
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2013
  • 高配向MgOトンネル障壁を介したSiへのスピン注入と検出
    杉山英行; 石川瑞恵; 井口智明; 棚本哲史; 斉藤好昭; 手束展規
    第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月
  • 3端子Hanle信号のバイアス依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 棚本哲史; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月
  • Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/SOI lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    12th joint MMM-Intermag conference
  • Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/crystalline MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2012
  • CoFe/MgO/n+-SOI接合におけるスピン蓄積信号の界面抵抗依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 斉藤好昭
    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月
  • Effect of the interface resistance on spin accumulation signals detected by 3-terminal Hanle effect measurements in CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Intermag2012
  • CoFe/AlOx/Siにおけるスピン依存伝導特性の評価
    井口智明; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭; 手束展規
    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月
  • スピンMOSFETを用いたスピンFPGAのベンチマーク
    棚本哲史; 杉山英行; 井口智明; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 池上一隆; 斉藤好昭
    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月
  • 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用
    杉山英行; 井口智明; 丸亀孝生; 棚本哲史; 石川瑞恵; 斉藤好昭
    第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • 多結晶Co2Fe(Al,Si)を用いた強磁性トンネル接合の評価
    石川瑞恵; 丸亀孝生; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • スピン注入書込み型スピンMOSFETの総合基本動作の実証
    丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits
    T. Inokuchi; T. Marukame; T. Tanamoto; H. Sugiyama; M. Ishikawa; Y. Saito
    VLSI 2010
  • ホイスラー合金/MgOトンネル障壁を用いたSiスピン注入電極の製作と評価
    丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • 半導体基板上でのホイスラー合金Co2Fe(Al0.5,Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子の作製
    石川瑞恵; 丸亀孝生; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年04月
  • CoFeB/トンネル障壁を用いた半導体Siへのスピン注入構造の電気特性評価
    丸亀孝生; 杉山英行; 井口智明; 石川瑞恵; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年04月
  • CoFeB/MgO電極からGaAsチャネルへのスピン偏極電子の注入および検出
    井口智明; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年04月
  • スピンMOSFET用強磁性体/トンネルバリア/Si接合の界面抵抗
    杉山英行; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 斉藤好昭
    第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • スピンMOSFETのシステムLSIへの応用とその課題
    斉藤好昭; 杉山英行; 井口智明; 石川瑞恵; 丸亀孝生
    第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • ホイスラー合金Co2Fe(Al0.5Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子のバッファー層効果
    石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • スピンMOSFETを用いたルックアップテーブル回路
    杉山英行; 石川瑞恵; 井口智明; 斉藤好昭
    第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • The electrical/magnetic property and the electronic structure of highly conductive MnxFe3-xO4 thin films with spin polarization at room temperature
    M. Ishikawa; H. Tanaka; T. Kawai; E. Ikenaga; A. Takeuchi; M. Awaji; K. Kobayashi; Y. Satoh; K. Takeda
    4th 21st Century COE “Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience” International symposium, 2005年11月
  • 室温スピン偏極Fe3-xMnxO4薄膜の電子輸送特性と電子状態評価2
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二; 池永 英司; 竹内 晃久; 淡路 晃弘; 小林 啓介; 斉藤 祐児
    第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
  • 室温スピン偏極Fe3-xMnxO4薄膜の電子輸送特性と電子状態評価
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二; 池永 英司; 竹内 晃久; 淡路 晃弘; 小林 啓介; 木村 昭夫
    第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月
  • レーザーアブレーション法によるFe3-xMnxO4薄膜の作製とその電気・磁気的特性
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二
    第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月

担当経験のある科目_授業

  • ロハス工学入門
    2023年09月 - 現在
    日本大学工学部
  • 基礎プログラミング及び演習
    2022年09月 - 現在
    日本大学工学部
  • ゼミナール
    2019年09月 - 現在
    日本大学工学部
  • 工科系数学Ⅴ
    2019年09月 - 現在
    日本大学工学部
  • 卒業研究
    2019年04月 - 現在
    日本大学工学部
  • 電気電子基礎実験Ⅱ
    2019年04月 - 現在
    日本大学工学部
  • 電気電子基礎実験Ⅰ
    2019年04月 - 現在
    日本大学工学部
  • 電気電子製作実習
    2019年04月 - 現在
    日本大学工学部
  • 情報リテラシー
    2019年04月 - 現在
    日本大学工学部
  • 自主創造の基礎2
    2019年09月 - 2022年03月
    日本大学工学部
  • Cプログラミング及び演習
    2019年09月 - 2022年03月
    日本大学工学部

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • SiスピンMOSFETの実現を可能とする低界面抵抗構造の創製
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 2021年04月01日 - 2024年03月31日
    石川 瑞恵
  • 放射線下で動作する電子部品SiスピンMOSFETの試作開発
    アカデミア・コンソーシアムふくしま事務局, 令和5年度 大学発イノベーティブ・ベンチャー創出事業, 2023年09月 - 2024年02月
  • 界面制御技術による高性能SiスピンMOSFETの創製
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 2019年08月30日 - 2021年03月31日
    石川 瑞恵

産業財産権

  • 特願2018-98432, 磁気記憶装置
    加藤侑志, 及川壮一, 石川瑞恵, 斉藤好昭, 與田博明
  • 特許6346045, 特願2014-188734, 磁場センサ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 棚本哲史
  • 特許6290487, 特願2017-053567, 磁気メモリ
    石川瑞恵, 加藤侑志, 斉藤好昭, 及川壮一, 與田博明
  • 特開2018-22796, 特願2016-153898, 磁気メモリ
    斉藤好昭, 與田博明, 加藤侑志, 石川瑞恵, 及川壮一
  • 特許09842635, 特願15063808, Spin transistor memory
    H. Sugiyama, M. Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許6203312, 特願2016-052961, 磁気メモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許6148450, 特願2012-237600, スピントランジスタおよびリコンフィギャラブル論理回路
    斉藤好昭, 井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 棚本哲史
  • 特許09570137, 特願15067586, Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit
    H. Sugiyama, T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許09536583, 特願14948709, Magnetic memory, spin element, and spin MOS transistor
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, A. Takashima, Y. Saito
  • 特許09520171, 特願14832520, Resistive change memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito, T. Tanamoto
  • 特開2016-178254, 特願2015-058763, スピントランジスタメモリ
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許09230625, 特願14204422, Magnetic memory, spin element, and spin MOS transistor
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, A. Takashima, Y. Saito
  • 特許09112131, 特願14105580, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許09112139, 特願13526007, Spin transistor and memory
    T. Inokuchi, T. Marukame, T. Tanamoto, H. Sugiyama, M. Ishikawa, Y. Saito
  • 特許5778945, 特願2011-038699, 連想メモリ
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 斉藤好昭, 木下敦寛, 辰村光介
  • 特開2015-65235, 特願2013-197352, 磁気記憶装置及び半導体集積回路
    杉山英行, 棚本哲史, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特開2015-61045, 特願2013-195731, スピンMOSFET
    石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 棚本哲史, 斉藤好昭
  • 特開2015-61043, 特願2013-195705, 抵抗変化メモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 棚本哲史
  • 特許08981436, 特願14041055, Stacked structure, spin transistor, and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto
  • 特許5711637, 特願2011-209986, 磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 中山昌彦, 岸達也, 與田博明, 斉藤好昭
  • 特許08958239, 特願13532981, Magnetic memory element, magnetic memory device, spin transistor, andintegrated circuit
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, M. Nakayama, T. Kishi, H. Yoda, Y. Saito
  • 特許5665711, 特願2011-209915, スピントランジスタおよびメモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 棚本哲史, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 特許5649605, 特願2012-070144, スピントランジスタおよびメモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特開2014-203931, 特願2013-078005, 磁気メモリ、スピン素子およびスピンMOSトランジスタ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 棚本哲史, 高島章, 斉藤好昭
  • 特許08847288, 特願8847288, Spin transistors and memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許08637946, 特願13228852, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許08618590, 特願12561475, Spin transistor, integrated circuit, and magnetic memory
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許5443502, 特願2011-531738, 27
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08611143, 特願13403308, Memory circuit using spin MOSFETs, path transistor circuit with memoryfunction, switching box circuit, switching block circuit, and fieldprogrammable gate array
    H. Sugiyama, M. Oda, S. Fujita, T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Marukame, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許5421325, 特願2011-110627, スピンMOSFETおよびリコンフィギャラブルロジック回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許541554, 特願2011-532848, メモリ機能付きパストランジスタ回路およびこのパストランジスタ回路を有するスイッチングボックス回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許5377531, 特願2011-012371, スピンMOS電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特表5238784, 特願2010-217799, ルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイ
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許5225419, 特願2011-070860, スピンMOSFETを用いたメモリ回路、メモリ機能付きパストランジスタ回路、スイッチングボックス回路、スイッチングブロック回路、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ
    杉山英行, 小田聖翔, 藤田忍, 棚本哲史, 石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許08335059, 特願13533198, Tunneling magnetoresistive effect element and spin MOS field-effect
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許08330196, 特願13419947, Semiconductor device and method of manufacturing the same
    T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許5150673, 特願2010-065084, スピンメモリおよびスピントランジスタ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 相川尚徳, 中山昌彦, 岸達也, 與田博明, 斉藤好昭
  • 特許5144569, 特願2009-071363, スピントランジスタ及び論理回路装置
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許5072877, 特願2009-030130, スピントランジスタ
    石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許5075863, 特願2009-071946, スピントランジスタ、このスピントランジスタを備えたリコンフィギャラブル論理回路および磁気メモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08243400, 特願12342383, Tunneling magnetoresistive effect element and spin MOS field-effecttransistor
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許502316, 特願2010-025821, スピンMOSトランジスタを用いた不揮発性メモリ回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許4997194, 特願2008-192507, スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵, 丸亀孝生
  • 特許4996390, 特願2007-221600, スピンFET及び磁気抵抗効果素子
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵
  • 特許4966277, 特願2008-241566, スピンMOS電界効果トランジスタ
    杉山英行, 石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許4956514, 特願2008-240883, 半導体装置
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08139403, 特願12885833, Spin memory and spin transistor
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, H. Aikawa, M. Nakayama, T. Kishi, H. Yoda, Y. Saito
  • 特許08111087, 特願12408953, Semiconductor integrated circuit
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許4908540, 特願2009-074785, スピンMOSFETおよびリコンフィギャラブルロジック回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許4845927, 特願2008-144167, スピンMOSFETおよびこのスピンMOSFETを用いたリコンフィギュラブル論理回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵, 丸亀孝生
  • 特許08026561, 特願12725561, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許4792093, 特願2009-039657, スイッチングボックス回路、スイッチングブロック回路、およびFPGA回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許07973351, 特願12565303, Stack having Heusler alloy, magnetoresistive element and spin transistorusing the stack, and method of manufacturing the same
    T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許4764466, 特願2008-246718, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、スピントランジスタ及びその製造方法
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許476285, 特願昭39-064534, スピントランジスタ、集積回路、及び、磁気メモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許 07956395, 特願12200169, Spin transistor and magnetic memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許07943974, 特願12662100, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許4738499, 特願2009-028943, スピントランジスタ及びその製造方法
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許4703660, 特願2008-005041, トンネル磁気抵抗効果素子及びスピンMOS電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 井口智明
  • 特許4630905, 特願2008-051192, スピンMOSFETを有する論理回路
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許7796423, 特願12339638, Reconfigurable logic circuit
    H. Sugiyama, M.Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito, T. Tanamoto
  • 特許第4580966号, 特願2009-54724, 特願2007-218963, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特許4580966, 特願2007-218963, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特許4516137, 特願2008-084937, 半導体集積回路
    井口智明, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 7709867, 2009/0050948, 12/194797, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許7709867, 特願12194797, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許4496141, 特願2005-193130, スピントランジスタ及び磁気メモリ
    井口智明, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 特許4435236, 特願2008-004192, リコンフィギュラブル論理回路
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特開2009-239122, 特願2008-084940, 磁気抵抗効果素子及びスピンMOS電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特開2007-73644, 特願2005-257087, 磁気抵抗素子およびその製造方法
    川合知二, 石川瑞恵, 佐藤一成, 田中秀和
  • 特開2006-237304, 特願2005-050216, 強磁性伝導体材料およびその製造方法、並びに磁気抵抗素子、電界効果トランジスタ
    田中秀和, 石川瑞恵, 川合知二