Ishikawa Mizue

Department of Electrical and Electronic EngineeringAssistant Professor

Researcher Information

Research Keyword

  • SiスピンMOSFET
  • Heusler
  • Si spin
  • Spintronics

Field Of Study

  • Nanotechnology/Materials, Inorganic materials, Inorganic materials/Physical properties
  • Nanotechnology/Materials, Applied physics - general, General applied physics
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering, Electronic materials/Electric materials
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electronic devices and equipment, Electron device/Electronic equipment

Career

  • 01 Apr. 2019
    Nihon University, College of Engineering, Department of Electrical and Electronic Engineering, Assistant Professor
  • 01 Apr. 2006 - 31 Jul. 2018
    Toshiba Corporation, Corporate Research & Development Center

Educational Background

  • 01 Apr. 2016 - 25 Mar. 2019
    Osaka University, Graduate School of Engineering Science, Department of Systems Innovation
  • 01 Apr. 2004 - 25 Mar. 2006
    Osaka University, Graduate School of Engineering Science, Department of Materials Engineering Science
  • 01 Apr. 2000 - 25 Mar. 2004
    Nihon University, College of Science and Technology, Department of Physics
Research activity information

Award

  • Jul. 2020
    福島テックプラングランプリ 最優秀賞・クレハ賞・NEST iPLAB賞
    石川 瑞恵

Paper

  • Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spin-mosfet applications
    M. Ishikawa; Y. Saito; K. Hamaya
    Journal of the Magnetics Society of Japan, 2020, Refereed
    Lead
  • Research rerated to spin relaxation mechanism and high efficiency spin injection/detection for Si spintronics devices
    大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻 博士課程学位論文, Mar. 2019, Not refereed, Not invited
    Lead
  • Reliable Estimation of TaB Spin Hall Angle by Incorporating the Interfacial Transparency and Isolating Inverse Spin Hall Effect in ST-FMR Analysis
    A. Tiwari; H. Yoda; Y. Kato; K. Koi; M. Ishikawa; S. Oikawa; Y. Saito; T. Inokuchi; N. Shimomura; M. Shimizu; S. Shirotori; B. Altansargai; H. Sugiyama; Y. Ohsawa; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2018 (Intermag 2018), Apr. 2018, Refereed, Not invited
  • Local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Saito; K. Hamaya
    IEEE Trans. Magn., 2018, Refereed, Not invited
    Lead
  • Giant voltage-controlled magnetic anisotropy effect in a crystallographically strained CoFe system
    Y. Kato; H. Yoda; Y. Saito; S. Oikawa; K. Fujii; M. Yoshiki; K. Koi; H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; N. Shimomura; M. Shimizu; S. Shirotori; B. Altansargai; Y. Ohsawa; K. Ikegami; A. Tiwari; A. Kurobe
    Appl. Phys. Express, 2018, Refereed, Not invited
  • Improvement of Write Efficiency in Voltage-Controlled Spintronic Memory by development of a Ta-B Spin Hall Electrode
    Y. Kato; Y. Saito; H. Yoda; T. Inokuchi; S. Shirotori; N. Shimomura; S. Oikawa; A. Tiwari; M. Ishikawa; M. Shimizu; B. Altansargai; H. Sugiyama; K. Koi; A. Kurobe
    Phys. Rev. Appl., 2018, Refereed, Not invited
  • Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; S. Honda; Y. Fujita; M. Yamada; Y. Saito; T. Kimura; H. Itoh; K. Hamaya
    J. Phys. D: Appl. Phys., 2018, Refereed, Not invited
    Lead
  • Ultra-High-Efficiency Writing in Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM): The Most Promising Embedded Memory for Deep Learning
    Y. Ohsawa; H. Yoda; N. Shimomura; S. Shirotori; S. Fujita; K. Koi; A. Buyandalai; S. Oikawa; M. Shimizu; Y. Kato; T. Inokuchi; H. Sugiyama; M. Ishikawa; K. Ikegami; S. Takaya; A. Kurobe
    J. Ele. Dev. Soc. 6, 2018, Refereed, Not invited
  • Switching mechanism design for high-speed Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) considering the operation window
    K. Koi; H. Yoda; N. Shimomura; T. Inokuchi; Y. Kato; A. Buyandalai; S. Shirotori; Y. Kamiguchi; K. Ikegami; S. Oikawa; H. Sugiyama; M. Shimizu; M. Ishikawa; T. Ajay; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    roceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017), Sep. 2017, Refereed, Not invited
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) having a potential of high write-efficiency
    M. Shimizu; H. Yoda; S. Shirotori; N. Shimomura; Y. Ohsawa; T. Inokuchi; K. Koi; Y. Kato; S. Oikawa; H. Sugiyama; B. Altansargai; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; Y. Saito; A. Kurobe
    Proceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017), Sep. 2017, Refereed, Not invited
  • High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write-current
    H. Sugiyama; H. Yoda; K. Koi; S. Oikawa; B. Altansargai; T. Inokuchi; S. Shirotori; M. Shimizu; Y. Kato; Y. Ohsawa; M. Ishikawa; A. Tiwari; Y. Kamiguchi; N. Shimomura; Y. Saito; A. Kurobe
    Proceedings of Non-Volatile Memory Technology Symposium 2017 (NIVNST2017), Aug. 2017, Refereed, Not invited
  • Improved read disturb and write error rates in voltage-control spintronics memory (VoCSM) by controlling energy barrier height
    T. Inokuchi; H. Yoda; Y. Kato; M. Shimizu; S. Shirotori; N. Shimomura; K. Koi; Y. Kamiguchi; H. Sugiyama; S. Oikawa; K. Ikegami; M. Ishikawa; B. Altansargai; A. Tiwari; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    APPLIED PHYSICS LETTERS, Jun. 2017, Refereed, Not invited
  • Spin relaxation mechanism in heavily doped n-type silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    Spintech IX, Jun. 2017, Refereed, Not invited
    Lead
  • Spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/Si devices with confined structure of n(+)-Si layer
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; T. Ajay; H. Sugiyama
    AIP ADVANCES, May 2017, Refereed, Not invited
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) with a self-aligned heavy-metal electrode
    S. Shirotori; H. Yoda; Y. Ohsawa; N. Shimomura; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Kamiguchi; K. Koi; K. Ikegami; H. Sugiyama; M. Shimizu; A. Buyandalai; S. Oikawa; M. Ishikawa; T. Ajay; Y. Saito; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017), Apr. 2017, Refereed, Not invited
  • Spin relaxation through lateral spin transport in heavily doped n-type silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    PHYSICAL REVIEW B, Mar. 2017, Refereed, Not invited
    Lead
  • Room temperature observation of high spin polarization in post annealed Co
    Tiwari Ajay; Inokuchi Tomoaki; Ishikawa Mizue; Sugiyama Hideyuki; Tezuka Nobuki; Saito Yoshiaki
    Jpn. J. Appl. Phys., Feb. 2017
  • Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, Jan. 2017, Refereed, Not invited
  • High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM)
    H. Yoda; H. Sugiyama; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Ohsawa; K. Abe; N. Shimomura; Y. Saito; S. Shirotori; K. Koi; B. Altansargai; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; S. Fujita; A. Kurobe
    2017 IEEE 9TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW), 2017, Refereed, Not invited
  • Room temperature observation of high spin polarization in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    Jpn. J. Appl. Phys., 2017, Refereed, Not invited
  • Room temperature observation of large spin accumulation and transport signals in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    2016 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2016), Sep. 2016, Refereed, Not invited
  • Effect of post annealing on spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
    A. Tiwari; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; N. Tezuka; Y. Saito
    AIP Advances, Jul. 2016, Refereed, Not invited
  • Spin-dependent transport mechanisms in CoFe/MgO/n+-Si junctions investigated by frequency response of signals
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Appl. Phys. Express., Jun. 2016, Refereed, Not invited
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2016, Refereed, Not invited
  • Spin accumulation signals in CoFe/MgO/n+-Si devices deposited on Si (1×1) and Si (2×1) surfaces
    Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka
    Joint MMM/Intermag Conference, 2016, Jan. 2016, Refereed, Not invited
  • Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Nobuki Tezuka; Kohei Hamaya; Yoshiaki Saito
    2015 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2015), Sep. 2015, Refereed, Not invited
    Lead
  • Spin transport and accumulation in n+-Si using Heusler compound Co2FeSi/MgO tunnel contacts
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Appl. Phys. Lett., Aug. 2015, Refereed, Not invited
    Lead
  • Influence of miniaturization of the CoFe/MgO/n+-Si devices on magnitude of magnetoresistance
    Hideyuki Sugiyama; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Yoshiaki Saito; Nobuki Tezuka
    International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces 2015 (ICMFS 2015), Jun. 2015, Refereed, Not invited
  • Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Yoshiaki Saito
    IEEE International magnetic conference 2015 (Intermag 2015), May 2015, Refereed, Not invited
  • Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions
    Y. Saito; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, Refereed, Not invited
  • Ferromagnet/tunnel barrier/n+-Si junction technology for spin-FETs
    Y. Saito; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama
    International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015), 2015, Refereed, Invited
  • Effect of electron trap states on spin-dependent transport characteristics in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions investigated by Hanle effect measurements and inelastic electron tunneling spectroscopy
    Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Yoshiaki Saito
    APPLIED PHYSICS LETTERS, Dec. 2014, Refereed, Not invited
  • Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals
    Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka; Yoshiaki Saito
    59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014), Nov. 2014, Refereed, Not invited
    Lead
  • Large spin-accumulation signal in Si for epitaxial CoFe/highly (100)-textured MgO/Si devices
    H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; T. Tanamoto; Y. Saito; N. Tezuka
    SOLID STATE COMMUNICATIONS, Jul. 2014, Refereed, Not invited
  • Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/silicon-on-insulator lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, May 2014, Refereed, Not invited
  • Effects of interface electric field on the magnetoresistance in spin devices
    T. Tanamoto; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; Y. Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Apr. 2014, Refereed, Not invited
  • Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves
    Y. Saito; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; N. Tezuka; K. Hamaya
    IEEE International nanoelectronics conference, 2014 (IEEE INEC 2014), 2014, Refereed, Invited
  • Maximum magnitude in bias-dependent spin accumulation signals of CoFe/MgO/Si on insulator devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Dec. 2013, Refereed, Not invited
    Lead
  • Local magnetoresistance through Si at room temperature and its bias voltage dependence in CoFe/MgO/SOI lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference), Nov. 2013, Refereed, Not invited
  • Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junctions
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto; Y. Saito
    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference), Nov. 2013, Refereed, Not invited
  • Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    International conference on solid state devices and materials (SSDM2013), Sep. 2013, Refereed, Not invited
    Lead
  • Effects of interface resistance asymmetry on local and non-local magnetoresistance structures
    T. Tanamoto; H. Sugiyama; T. Inokuchi; M. Ishikawa; Y. Saito
    Jap. J. Appl. Phys., Mar. 2013, Refereed, Not invited
  • A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET
    T. Tanamoto; H. Sugiyama; T. Inokuchi; M. Ishikawa; Y. Saito
    Trends in nanotechnology (TNT2013), 2013, Refereed, Invited
  • Spin accumulation in Si for CoFe/MgO/Mg/Si-on-insulator devices
    H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. T. Tanamoto; K. Hamaya; Y. Saito; N. Tezuka
    Joint MMM/Intermag Conference, 2013, Jan. 2013, Refereed, Not invited
  • Spin-Based MOSFETs for Logic and Memory Applications and Spin Accumulation Signals in CoFe/Tunnel Barrier/SOI Devices
    Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka
    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Nov. 2012, Refereed, Not invited
  • Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Sep. 2012, Refereed, Not invited
    Lead
  • Effect of the interface resistance of CoFe/MgO contacts on spin accumulation in silicon
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Appl. Phys. Lett., Jun. 2012, Refereed, Not invited
    Lead
  • Spin injection and detection between CoFe/AlOx junctions and SOI investigates by Hanle effect measurements
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito; N. Tezuka
    56th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials ( 2011 MMM Conference), Nov. 2011, Refereed, Not invited
  • Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor (vol 109, 07C312, 2011)
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Sep. 2011, Refereed, Not invited
  • Spin injection, transport, and read/write operation in spin-based MOSFET
    Yoshiaki Saito; Takao Marukame; Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto
    THIN SOLID FILMS, Sep. 2011, Refereed, Invited
  • Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Apr. 2011, Refereed, Not invited
  • Scalability of spin FPGA: A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET
    Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito
    CoRR, 2011
  • Spin-Based MOSFET and Its Applications
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Marukame; T. Tanamoto
    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2011, Refereed, Not invited
  • Spin-based MOSFET and Its Applications
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Marukame; T. Tanamoto
    2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT), 2011, Refereed, Not invited
  • Spin-based MOSFET: a promising candidate for beyond CMOS device using nanotechnology
    Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto
    he Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7), 2011, Refereed, Invited
  • Read/write operation of spin-based MOSFET using highly spin-polarized ferromagnet/MgO tunnel barrier for reconfigurable logic devices
    T. Marukame; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    2009 IEEE International Electron Devices Meeting, Mar. 2010, Refereed, Not invited
  • Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits
    Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Mizue Ishikawa; Yoshiaki Saito
    2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2010, Refereed, Not invited
  • Read/Write operation of spin-based MOSFET and the related phenomena
    Y. Saito; T. Marukame; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama
    The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), 2010, Refereed, Invited
  • Electrical Spin Injection into n-GaAs Channels and Detection through MgO/CoFeB Electrodes
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Appl. Phys. Express, Feb. 2009, Refereed, Not invited
  • Spin dependent transport between exchange-biased magnetic pinned-layer and magnetic free-layer through lateral GaAs channel
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    20th ICMFS (20th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS2009), 2009, Refereed, Not invited
  • The influence of buffer layer on tunnel magnetoresistance in full-Heusler alloy Co2Fe(Al0.5Si0.5)/MgO/Co2Fe(Al0.5Si0.5) tunnel junctions
    M. Ishikawa; T. Marukame; T. Inokuchi; H. Sugiyama; Y. Saito
    53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2008MMM Conference), Nov. 2008, Refereed, Not invited
    Lead
  • Electrical spin injection and detection through CoFeB/MgO electrodes in n-GaAs channel
    T. Inokuchi; T. Marukame; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2008MMM Conference), Nov. 2008, Refereed, Not invited
  • Novel Look-Up Table Circuits Using Spin MOSFET
    H. Sugiyama; T. Tanamoto; T. Marukame; M. Ishikawa; T. Inokuchi; Y. Saito
    2008 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Sep. 2008, Refereed, Not invited
  • Tenfold Improvement of the Write-Error Rate of Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) by Controlling Switching Energy Barrier Height
    T.Inokuchi; H. Yoda; S. Shirotori; Y. Kato; N. Shimomura; K. Koi; Y. Kamiguchi; K. Ikegami; H. Sugiyama; M. Shimizu; S. Oikawa; M. Ishikawa; A. Buyandalai; T. Ajay; Y. Ohsawa; Y. Saito; A. Kurobe
    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017), Apr. 2007, Refereed, Not invited
  • (Fe,Mn)(3)O-4 nanochannels fabricated by AFM local-oxidation nanolithography using Mo/poly(methyl methacrylate) nanomasks
    Luca Pellegrino; Yoshihiko Yanagisawa; Mizue Ishikawa; Takuya Matsumoto; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai
    ADVANCED MATERIALS, Dec. 2006, Refereed, Not invited
  • Preparation of highly conductive Mn-doped Fe3O4 thin films with spin polarization at room temperature using a pulsed-laser deposition technique
    Mizue Ishikawa; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai
    Applied Physics Letters, May 2005
    Lead

MISC

  • Study of spin relaxation in n+-Si channel layers
    石川瑞恵; 浜屋宏平
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2020
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM)
    アルタンサルガイ ブヤンダライ; 與田 博明; 井口 智明; 大沢 裕一; 下村 尚治; 白鳥 聡志; 杉山 英行; 加藤 侑志; 上口 裕三; 清水 真理子; 鴻井 克彦; 及川 壮一; 石川 瑞恵; アジヤイ テイワリ; 池上 一隆; 斉藤 好昭; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 07 Jul. 2017
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density
    與田 博明; 下村 尚治; 大沢 裕一; 白鳥 聡志; 加藤 侑志; 井口 智明; 上口 裕三; アルタンサガイ ブヤンダライ; 斉藤 好昭; 鴻井 克彦; 杉山 英行; 及川 壮一; 清水 真理子; 石川 瑞恵; 池上 一隆; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 20 Apr. 2017
  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density
    與田 博明; 下村 尚治; 大沢 裕一; 白鳥 聡志; 加藤 侑志; 井口 智明; 上口 裕三; アルタンサガイ ブヤンダライ; 斉藤 好昭; 鴻井 克彦; 杉山 英行; 及川 壮一; 清水 真理子; 石川 瑞恵; 池上 一隆; 黒部 篤
    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 30 Jan. 2017
  • Si〈100〉スピン伝導素子のスピン信号強度増大
    石川瑞恵; 石川瑞恵; 塚原誠人; 藤田裕一; 山田晋也; 杉山英行; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017
  • Si系横型素子における室温スピン信号の増大
    岡孝保; 石川瑞恵; 藤田裕一; 山田晋也; 金島岳; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016
  • Application of Spin MOSFET to Nonvolatile and Reconfigurable LSIs
    INOKUCHI Tomoaki; MARUKAME Takao; TANAMOTO Tetsufumi; SUGIYAMA Hideyuki; ISHIKAWA Mizue; SAITO Yoshiaki
    IEICE technical report, 19 Aug. 2010, Not refereed, Not invited

Lectures, oral presentations, etc.

  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金の作製
    野木祐介; 緑川大己; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2024, Not invited
  • スピン信号測定器の立上げ
    李奕禧; 齋藤麗音; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2024, Not invited
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高濃度p型Si層の作製
    横瀬滉将; 渡辺成美; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2024, Not invited
  • SiスピンMOSFETの作製のためのマスク重ね合わせ条件出し
    生川光太朗; 熊田結子; 石川瑞恵
    令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2024, Not invited
  • Fabrication of heavily-doped p-type Si layer for semiconductor based spin devices
    Mizue Ishikawa
    The 70th JSAP Spring Meeting 2023, Mar. 2023
  • SiスピンMOSFETの性能評価を行うためのスピン信号測定器の立上げ
    佐藤 陸斗; 佐藤 諒; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2023, Not invited
  • SiスピンMOSFETの製作におけるマスク重ね合わせ条件の検討
    大金 竜士; 齋藤 郁斗; 田中 竜樹; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2023, Not invited
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金/CoFe強磁性体電極の作製
    林 龍哉; 半澤 圭悟; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2023, Not invited
  • SiスピンMOSFETの実現に向けた 高規則度ホイスラー合金Co2MnSn電極の作製
    山岸 大紀; 玉貫 海渡; 石川 瑞恵
    令和 5年東北地区若手研究者研究発表会 ｢音･光･電波・エネルギー・システム・材料とその応用｣, Mar. 2023, Not invited
  • Fabrication of heavily-doped Si layer for semiconductor based spin devices
    Mizue Ishikawa
    The 69th JSAP Spring Meeting 2022, Mar. 2022, Not invited
  • Study of spin relaxation in n+-Si channel layers
    石川瑞恵; 浜屋 宏平
    第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020
  • Temperature Dependence of Nonlocal Spin Transport in Si<100> Lateral Spin-Valve Devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Fujita; K. Hamaya
    SSDM2018, Not invited
  • Large local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices
    M. Ishikawa; M. Tsukahara; M. Yamada; Y. Saito; K. Hamaya
    Intermag2018, Apr. 2018, Not invited
  • Si<100>スピン伝導素子のスピン信号強度増大
    石川瑞恵; 塚原 誠人; 藤田 裕一; 山田 晋也; 杉山 英行; 斉藤 好昭; 浜屋 宏平
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017
  • High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write current
    H. Sugiyama; H. Yoda; K. Koi; S. Oikawa; B. Altansargai; T. Inokuchi; S. Shirotori; M. Shimizu; Y. Kato; Y. Ohsawa; M. Ishikawa; A. Tiwari; N. Shimomura; Y. Saito; A. Kurobe
    Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
  • High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM)
    H. Yoda; H. Sugiyama; T. Inokuchi; Y. Kato; Y. Ohsawa; K. Abe; N. Shimomura; Y. Saito; S. Shirotori; K. Koui; B. Altansargai; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; Y. Kamiguchi; S. Fujita; A. Kurobe
    2017 IEEE International Memory Workshop (IMW)
  • Spin Relaxation Mechanism in Heavily Doped n-type Silicon
    M. Ishikawa; T. Oka; Y. Fujita; H. Sugiyama; Y. Saito; K. Hamaya
    Spintech IX, Not invited
  • Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density
    H. Yoda; N. Shimomura; Y. Ohsawa; S. Shirotori; Y. Kato; T. Inokuchi; Y. Kamiguchi; B. Altansargai; Y. Saito; K. Koi; H. Sugiyama; S. Oikawa; M. Shimizu; M. Ishikawa; K. Ikegami; A. Kurobe
    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • Spin injection, transport and detection technology in ferromagnet/MgO/Si devices
    斉藤好昭; 石川瑞恵; テリワリアジェイ; 杉山英行; 井口智明
    第40回日本磁気学会学術講演会, Sep. 2016
  • Room-temperature spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n+-SOI devices
    石川瑞恵; テリワリアジェイ; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第40回日本磁気学会学術講演会, Sep. 2016
  • 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM)
    清水真理子; 與田博明; 井口智明; 大沢裕一; 下村尚治; 白鳥聡志; 杉山英行; 加藤侑志; 上口裕三; ブランダライアルタンサルガイ; 鴻井克彦; 及川壮一; 石川瑞恵; テイワリアジヤイ; 池上一隆; 斉藤好昭; 黒部篤
    第64回応用物理学会春季学術講演会, Sep. 2016
  • Si系横型素子における室温スピン信号の増大
    岡孝保; 石川瑞恵; 藤田裕一; 山田晋也; 金島岳; 斉藤好昭; 浜屋宏平
    第63回応用物理学会学術講演会, Mar. 2016
  • CoFe/MgO/n+-SOIを用いたスピン信号のSi基板表面処理効果
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第63回応用物理学会学術講演会, Mar. 2016
  • Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2015
  • 非弾性散乱トンネルスペクトロスコピーを用いたn-Si/MgO/CoFe接合中のスピン依存伝導機構の解析
    井口智明; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭
    第39回 日本磁気学会学術講演会, Sep. 2015
  • Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/ n+-Si junctions
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; Y. Saito
    Intermag2015
  • Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Y. Saito; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    59th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    MMM2014
  • L21-Co2FeSi/MgO/n+-SOIを用いたスピン蓄積信号のバイアス電圧依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 棚本哲史; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第61回応用物理学会学術講演会, Mar. 2014
  • Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junction
    T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto; Y. Saito
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2013
  • 高配向MgOトンネル障壁を介したSiへのスピン注入と検出
    杉山英行; 石川瑞恵; 井口智明; 棚本哲史; 斉藤好昭; 手束展規
    第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2013
  • 3端子Hanle信号のバイアス依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 棚本哲史; 浜屋宏平; 手束展規; 斉藤好昭
    第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013
  • Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/SOI lateral spin valves
    Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka
    12th joint MMM-Intermag conference
  • Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/crystalline MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito
    SSDM2012
  • CoFe/MgO/n+-SOI接合におけるスピン蓄積信号の界面抵抗依存性
    石川瑞恵; 杉山英行; 井口智明; 浜屋宏平; 斉藤好昭
    第73回応用物理学会学術講演会, Sep. 2012
  • Effect of the interface resistance on spin accumulation signals detected by 3-terminal Hanle effect measurements in CoFe/MgO/SOI devices
    M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; Y. Saito
    Intermag2012
  • CoFe/AlOx/Siにおけるスピン依存伝導特性の評価
    井口智明; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭; 手束展規
    第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012
  • スピンMOSFETを用いたスピンFPGAのベンチマーク
    棚本哲史; 杉山英行; 井口智明; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 池上一隆; 斉藤好昭
    第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011
  • 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用
    杉山英行; 井口智明; 丸亀孝生; 棚本哲史; 石川瑞恵; 斉藤好昭
    第71回応用物理学会学術講演会, Sep. 2010
  • 多結晶Co2Fe(Al,Si)を用いた強磁性トンネル接合の評価
    石川瑞恵; 丸亀孝生; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010
  • スピン注入書込み型スピンMOSFETの総合基本動作の実証
    丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010
  • Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits
    T. Inokuchi; T. Marukame; T. Tanamoto; H. Sugiyama; M. Ishikawa; Y. Saito
    VLSI 2010
  • ホイスラー合金/MgOトンネル障壁を用いたSiスピン注入電極の製作と評価
    丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009
  • 半導体基板上でのホイスラー合金Co2Fe(Al0.5,Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子の作製
    石川瑞恵; 丸亀孝生; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, Apr. 2009
  • CoFeB/トンネル障壁を用いた半導体Siへのスピン注入構造の電気特性評価
    丸亀孝生; 杉山英行; 井口智明; 石川瑞恵; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, Apr. 2009
  • CoFeB/MgO電極からGaAsチャネルへのスピン偏極電子の注入および検出
    井口智明; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 杉山英行; 斉藤好昭
    第56回応用物理学関係連合講演会, Apr. 2009
  • スピンMOSFET用強磁性体/トンネルバリア/Si接合の界面抵抗
    杉山英行; 丸亀孝生; 石川瑞恵; 井口智明; 斉藤好昭
    第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008
  • スピンMOSFETのシステムLSIへの応用とその課題
    斉藤好昭; 杉山英行; 井口智明; 石川瑞恵; 丸亀孝生
    第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008
  • ホイスラー合金Co2Fe(Al0.5Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子のバッファー層効果
    石川瑞恵; 井口智明; 杉山英行; 斉藤好昭
    第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
  • スピンMOSFETを用いたルックアップテーブル回路
    杉山英行; 石川瑞恵; 井口智明; 斉藤好昭
    第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
  • The electrical/magnetic property and the electronic structure of highly conductive MnxFe3-xO4 thin films with spin polarization at room temperature
    M. Ishikawa; H. Tanaka; T. Kawai; E. Ikenaga; A. Takeuchi; M. Awaji; K. Kobayashi; Y. Satoh; K. Takeda
    4th 21st Century COE “Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience” International symposium, Nov. 2005
  • 室温スピン偏極Fe3-xMnxO4薄膜の電子輸送特性と電子状態評価2
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二; 池永 英司; 竹内 晃久; 淡路 晃弘; 小林 啓介; 斉藤 祐児
    第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
  • 室温スピン偏極Fe3-xMnxO4薄膜の電子輸送特性と電子状態評価
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二; 池永 英司; 竹内 晃久; 淡路 晃弘; 小林 啓介; 木村 昭夫
    第52回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005
  • レーザーアブレーション法によるFe3-xMnxO4薄膜の作製とその電気・磁気的特性
    石川 瑞恵; 田中 秀和; 川合 知二
    第65回応用物理学会学術講演会, Sep. 2004

Courses

  • Sep. 2023 - Present
  • Sep. 2022 - Present
  • Sep. 2019 - Present
  • Sep. 2019 - Present
  • Apr. 2019 - Present
  • Apr. 2019 - Present
  • Apr. 2019 - Present
  • Apr. 2019 - Present
  • Apr. 2019 - Present
  • Sep. 2019 - Mar. 2022
  • Sep. 2019 - Mar. 2022

Research Themes

  • SiスピンMOSFETの実現を可能とする低界面抵抗構造の創製
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 01 Apr. 2021 - 31 Mar. 2024
    石川 瑞恵
  • 放射線下で動作する電子部品SiスピンMOSFETの試作開発
    アカデミア・コンソーシアムふくしま事務局, 令和5年度 大学発イノベーティブ・ベンチャー創出事業, Sep. 2023 - Feb. 2024
  • Development of highly efficient Si spin-MOSFETs by interface-controlled techniques
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, 30 Aug. 2019 - 31 Mar. 2021
    Ishikawa Mizue

Industrial Property Rights

  • 特願2018-98432, 磁気記憶装置
    加藤侑志, 及川壮一, 石川瑞恵, 斉藤好昭, 與田博明
  • 特許6346045, 特願2014-188734, 磁場センサ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 棚本哲史
  • 特許6290487, 特願2017-053567, 磁気メモリ
    石川瑞恵, 加藤侑志, 斉藤好昭, 及川壮一, 與田博明
  • 特開2018-22796, 特願2016-153898, 磁気メモリ
    斉藤好昭, 與田博明, 加藤侑志, 石川瑞恵, 及川壮一
  • 特許09842635, 特願15063808, Spin transistor memory
    H. Sugiyama, M. Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許6203312, 特願2016-052961, 磁気メモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許6148450, 特願2012-237600, スピントランジスタおよびリコンフィギャラブル論理回路
    斉藤好昭, 井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 棚本哲史
  • 特許09570137, 特願15067586, Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit
    H. Sugiyama, T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許09536583, 特願14948709, Magnetic memory, spin element, and spin MOS transistor
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, A. Takashima, Y. Saito
  • 特許09520171, 特願14832520, Resistive change memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito, T. Tanamoto
  • 特開2016-178254, 特願2015-058763, スピントランジスタメモリ
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許09230625, 特願14204422, Magnetic memory, spin element, and spin MOS transistor
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, A. Takashima, Y. Saito
  • 特許09112131, 特願14105580, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許09112139, 特願13526007, Spin transistor and memory
    T. Inokuchi, T. Marukame, T. Tanamoto, H. Sugiyama, M. Ishikawa, Y. Saito
  • 特許5778945, 特願2011-038699, 連想メモリ
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 斉藤好昭, 木下敦寛, 辰村光介
  • 特開2015-65235, 特願2013-197352, 磁気記憶装置及び半導体集積回路
    杉山英行, 棚本哲史, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特開2015-61045, 特願2013-195731, スピンＭＯＳＦＥＴ
    石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 棚本哲史, 斉藤好昭
  • 特開2015-61043, 特願2013-195705, 抵抗変化メモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 棚本哲史
  • 特許08981436, 特願14041055, Stacked structure, spin transistor, and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto
  • 特許5711637, 特願2011-209986, 磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 中山昌彦, 岸達也, 與田博明, 斉藤好昭
  • 特許08958239, 特願13532981, Magnetic memory element, magnetic memory device, spin transistor, andintegrated circuit
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, M. Nakayama, T. Kishi, H. Yoda, Y. Saito
  • 特許5665711, 特願2011-209915, スピントランジスタおよびメモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 棚本哲史, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 特許5649605, 特願2012-070144, スピントランジスタおよびメモリ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特開2014-203931, 特願2013-078005, 磁気メモリ、スピン素子およびスピンＭＯＳトランジスタ
    井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行, 棚本哲史, 高島章, 斉藤好昭
  • 特許08847288, 特願8847288, Spin transistors and memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許08637946, 特願13228852, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許08618590, 特願12561475, Spin transistor, integrated circuit, and magnetic memory
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許5443502, 特願2011-531738, 27
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08611143, 特願13403308, Memory circuit using spin MOSFETs, path transistor circuit with memoryfunction, switching box circuit, switching block circuit, and fieldprogrammable gate array
    H. Sugiyama, M. Oda, S. Fujita, T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Marukame, T. Inokuchi, Y. Saito
  • 特許5421325, 特願2011-110627, スピンＭＯＳＦＥＴおよびリコンフィギャラブルロジック回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許541554, 特願2011-532848, メモリ機能付きパストランジスタ回路およびこのパストランジスタ回路を有するスイッチングボックス回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許5377531, 特願2011-012371, スピンＭＯＳ電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特表5238784, 特願2010-217799, ルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイ
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許5225419, 特願2011-070860, スピンＭＯＳＦＥＴを用いたメモリ回路、メモリ機能付きパストランジスタ回路、スイッチングボックス回路、スイッチングブロック回路、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ
    杉山英行, 小田聖翔, 藤田忍, 棚本哲史, 石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許08335059, 特願13533198, Tunneling magnetoresistive effect element and spin MOS field-effect
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許08330196, 特願13419947, Semiconductor device and method of manufacturing the same
    T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許5150673, 特願2010-065084, スピンメモリおよびスピントランジスタ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 相川尚徳, 中山昌彦, 岸達也, 與田博明, 斉藤好昭
  • 特許5144569, 特願2009-071363, スピントランジスタ及び論理回路装置
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許5072877, 特願2009-030130, スピントランジスタ
    石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許5075863, 特願2009-071946, スピントランジスタ、このスピントランジスタを備えたリコンフィギャラブル論理回路および磁気メモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08243400, 特願12342383, Tunneling magnetoresistive effect element and spin MOS field-effecttransistor
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許502316, 特願2010-025821, スピンＭＯＳトランジスタを用いた不揮発性メモリ回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許4997194, 特願2008-192507, スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵, 丸亀孝生
  • 特許4996390, 特願2007-221600, スピンＦＥＴ及び磁気抵抗効果素子
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵
  • 特許4966277, 特願2008-241566, スピンＭＯＳ電界効果トランジスタ
    杉山英行, 石川瑞恵, 丸亀孝生, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許4956514, 特願2008-240883, 半導体装置
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許08139403, 特願12885833, Spin memory and spin transistor
    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, H. Aikawa, M. Nakayama, T. Kishi, H. Yoda, Y. Saito
  • 特許08111087, 特願12408953, Semiconductor integrated circuit
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許4908540, 特願2009-074785, スピンＭＯＳＦＥＴおよびリコンフィギャラブルロジック回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵
  • 特許4845927, 特願2008-144167, スピンＭＯＳＦＥＴおよびこのスピンＭＯＳＦＥＴを用いたリコンフィギュラブル論理回路
    斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵, 丸亀孝生
  • 特許08026561, 特願12725561, Spin MOSFET and reconfigurable logic circuit
    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa
  • 特許4792093, 特願2009-039657, スイッチングボックス回路、スイッチングブロック回路、およびＦＰＧＡ回路
    杉山英行, 棚本哲史, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許07973351, 特願12565303, Stack having Heusler alloy, magnetoresistive element and spin transistorusing the stack, and method of manufacturing the same
    T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許4764466, 特願2008-246718, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、スピントランジスタ及びその製造方法
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許476285, 特願昭39-064534, スピントランジスタ、集積回路、及び、磁気メモリ
    井口智明, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許 07956395, 特願12200169, Spin transistor and magnetic memory
    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito
  • 特許07943974, 特願12662100, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許4738499, 特願2009-028943, スピントランジスタ及びその製造方法
    丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭
  • 特許4703660, 特願2008-005041, トンネル磁気抵抗効果素子及びスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 杉山英行, 斉藤好昭, 井口智明
  • 特許4630905, 特願2008-051192, スピンＭＯＳＦＥＴを有する論理回路
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特許7796423, 特願12339638, Reconfigurable logic circuit
    H. Sugiyama, M.Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito, T. Tanamoto
  • 特許第4580966号, 特願2009-54724, 特願2007-218963, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特許4580966, 特願2007-218963, ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特許4516137, 特願2008-084937, 半導体集積回路
    井口智明, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 7709867, 2009/0050948, 12/194797, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許7709867, 特願12194797, Spin MOS field effect transistor and tunneling magnetoresistive effectelement using stack having Heusler alloy
    M. Ishikawa, Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi
  • 特許4496141, 特願2005-193130, スピントランジスタ及び磁気メモリ
    井口智明, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭
  • 特許4435236, 特願2008-004192, リコンフィギュラブル論理回路
    杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭
  • 特開2009-239122, 特願2008-084940, 磁気抵抗効果素子及びスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ
    石川瑞恵, 斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明
  • 特開2007-73644, 特願2005-257087, 磁気抵抗素子およびその製造方法
    川合知二, 石川瑞恵, 佐藤一成, 田中秀和
  • 特開2006-237304, 特願2005-050216, 強磁性伝導体材料およびその製造方法、並びに磁気抵抗素子、電界効果トランジスタ
    田中秀和, 石川瑞恵, 川合知二