池田 正則
| 工学部 電気電子工学科 | 教授 |
研究者情報
研究分野
経歴
委員歴
- 2019年06月 - 現在
幹事, 応用物理学会東北支部 - 2017年05月 - 現在
表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会 - 2015年05月 - 現在
協議員, 日本表面科学会 - 2015年05月 - 2017年05月
東北・北海道支部監査, 日本表面科学会 - 2013年05月 - 2015年05月
産業連携・会員増強委員, 日本表面科学会 - 2013年05月 - 2015年05月
広報委員, 日本表面科学会 - 2013年05月 - 2015年05月
副会長, 日本表面科学会 - 2013年05月 - 2015年05月
常務理事，支部担当理事, 日本表面科学会 - 2013年05月 - 2015年05月
東北・北海道支部支部長, 日本表面科学会 - 2011年05月 - 2013年05月
東北・北海道支部副支部長, 日本表面科学会 - 1999年04月 - 2011年05月
表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会 - 2000年07月 - 2004年06月
会誌編集委員, 日本表面科学会
研究活動情報
論文
- Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成
池田正則,清水博文
表面科学, 2012年03月, 査読無し, 招待有り
筆頭著者 - 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
電子情報通信学会誌C, 2012年02月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers
H. Shimizu; S. Shintarou; M. Ikeda
Applied Physics A, 2011年05月, 査読有り, 通常論文 - Au/PMMA/Ta構造の電流-電圧特性と電気伝導
池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢,吉沢友和
日本大学工学部紀要, 2011年03月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
日本大学工学部紀要, 2011年03月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Characteristics of Sol-Gel Derived and Crystallized HfO2 Thin Films Dependent on Sol Solution
H. Shimizu; D. Nemoto; M. Ikeda; and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., 2010年12月, 査読有り, 通常論文 - Irregular Au profile on the SiO2 surface and at the SiO2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface
H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta
J. Vac. and Technol., 2010年01月, 査読有り, 通常論文 - Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
Hirofumi Shimizu; Sadayoshi Shimada; Masanori Ikeda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年, 査読有り, 通常論文 - Si(100) - (2×1)表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
渡邉清人,清水博文,小川修一,高桑雄二:
表面科学, 2009年12月, 査読有り, 通常論文 - Characterization of Sol-Gel Derived and Crystallized ZrO2 Thin Film
H. Shimizu; T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., 2009年10月, 査読有り, 通常論文 - Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析
嶋田定剛,清水博文
日本大学工学部紀要, 2009年09月, 査読有り, 通常論文 - ゾル溶液の違いによるゾル－ゲル法によるHfO2薄膜の評価
根本大樹,清水博文,西出利一
日本大学工学部紀要, 2009年09月, 査読有り, 通常論文 - ゾル－ゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセスと評価
小長井聡,池田正則,清水博文,小山奈美,西出利一
日本大学工学部紀要, 2008年03月, 査読有り, 通常論文 - Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si(001) surfaces
H. Shimizu; H. Wakashima; S. Shimada; T. Ishikawa and M. Ikeda
Surface and Interface Analysis, 2008年01月, 査読有り, 通常論文 - Effect of Zn on Segregation of ZnO Rich SiO2 Layer and Reduced Oxidation Rate in Thermally Oxidized Si(001)
H. Shimizu; H. Wakashima; M. Ikeda; and T. Sato
Jpn. J. Appl. Phys., 2007年12月, 査読有り, 通常論文 - Quantitative Estimation of Aluminum-Induced Negative Charge Region Top Area of SiO2 Based on Frequency-Dependent AC Surface Photovoltage
H. Shimizu; H. Wakashima; T. Ishikawa; and M. Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys., 2007年11月, 査読有り, 通常論文 - マイクロ波光導電減衰法及び表面光電圧法による熱酸化したAu析出n型Siウェーハの少数キャリアライフタイムの評価
池田正則,小泉勲,吉田敏之,石川卓磨,清水博文
日本大学工学部紀要, 2007年09月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Temperature-Programmed Desorption Analyses of Sol-Gel Deposited and Crystallized HfO2 Films
H. Shimizu; T. Sato; S. Konagai; M. Ikeda; T. Takahashi; and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., 2007年07月, 査読有り, 通常論文 - Analysis of Au/Si Schottky Barrier Type AC Surface Photovoltage in Silicon Wafer Surface Dipped into Au Aqueous Solution
E. Omori; H. Shimizu; M. Ikeda
Electronics and Communications in Japan, Part 2, 2007年06月, 査読無し, 招待有り
責任著者 - Au析出Si表面におけるショットキー型交流表面光電圧の解析
大森絵理,清水博文,池田正則
電子情報通信学会論文誌C, 2006年07月, 査読有り, 通常論文
責任著者 - Anomalous Behavior of Schottky Barrier-Type Surface Photovoltages in Chromium-Contaminated N-Type Silicon Wafers Exposed to Air
Hirofumi Shimizu; Eri Omori; Masanori Ikeda
Japanese Journal of Applied Physics, 2006年06月, 査読有り, 通常論文 - Quantitative Estimation of the Metal-Induced Negative Oxide Charge Density in N-type Silicon Wafers from Measurements of Frequency-Dependant AC Surface Photovoltage
H. Shimizu; R. Shin; and M. Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys., 2006年03月, 査読有り, 通常論文 - Behavior of metal-induced negative oxide charges on the surface of n-type silicon wafers using frequency-dependent AC surface photovoltage measurements
Hirofumi Shimizu; Ryuhei Shin; Masanori Ikeda
Japanese Journal of Applied Physics, 2005年06月, 査読有り, 通常論文 - Auger electron spectroscopy and electron energy loss spestroscopy studies on carbonization of Si(100) and (111) surfaces ｗith ethylene
Chinthaka K. Wijesinghe,M. Ikeda,N. Nagashima
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2003年, 査読有り, 通常論文 - Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface
M Shimomura; M Munakata; A Iwasaki; M Ikeda; T Abukawa; K Sato; T Kawawa; H Shimizu; N Nagashima; S Kono
SURFACE SCIENCE, 2002年04月, 査読有り, 通常論文 - Scanning Tunneling Microscopy of si(100)-c(4x4) reconstructed structure formed by ethylene exposure
M.Ikeda; N.Nagashima
Japanese Journal of Applyed Physics, 2001年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Effect of Metals on Growth of Native Oxide on Silicon(001)Surfaces
Hirofumi Shimizu; Masanori Ikeda; Naoyuki Nagashima
日本大学工学部紀要, 2000年09月, 査読有り, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(001)表面の観察
宮崎 淳; 岩崎 明弘; 池田 正則
日本大学工学部紀要, 2000年, 査読有り, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究
湊 壮史; 池田 正則; 長嶋 直之
日本大学工学部紀要, 2000年, 査読有り, 通常論文 - 低速電子線回折及びオージェ電子分光法によるC2H4暴露したSi(111)表面の研究
小田原 宏樹; 池田 正則; 長嶋 直之
日本大学工学部紀要, 2000年, 査読有り, 通常論文 - Behavior of Fluorine on Silicon(100)Surfaces Etched with NH4F Aqueous Solutions(共著)
M.Ikeda; S. Iwamoto; N. Nagashima
Electronics and Communications in Japan, Part 2, 2000年, 査読無し, 招待有り
筆頭著者 - NH4F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの挙動
池田正則,岩本幸也,長嶋直之
電子情報通信学会論文誌C-Ⅱ, 1999年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Reaction of Si(100) surfaces with C2H4 : XPS and LEED studies(共著)
M. Ikeda; T. Maruoka; N. Nagashima
Surface Science, 1998年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Si(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化
Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
表面科学, 1997年, 査読有り, 通常論文 - X線光電子分光測定におけるSi熱酸化膜の帯電現象
池田正則,Teguh Rusyanto,長嶋直之
日本大学工学部紀要分類A工学編, 1997年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - 超高真空中におけるシリコン単結晶表面の清浄化
Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
日本大学工学部紀要 分類A, 1995年, 査読有り, 通常論文 - HF水溶液に浸漬したSi(100)表面のFおよびOの定量的評価
尾吹友晴,Teguh Rusyanto; 池田正則,長嶋直之
日本大学工学部紀要 分類A, 1994年, 査読有り, 通常論文 - X線光電子分光法によるHF水溶液に浸漬したSi(100)表面のFおよびOの追跡
池田正則,Teguh Rusyanto; 長嶋直之
表面科学, 1994年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - X線光電子分光装置の立ち上げと酸洗浄を行ったSi表面の評価
池田正則,井上達也,長嶋直之
日本大学工学部紀要分類A工学編, 1992年, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - GIANT RESISTIVITY ANOMALY IN A15 NB-3(GE,SI) SUPERCONDUCTIVE FILMS WITH COMPOSITIONALLY MODULATED SUPERSTRUCTURE
H YAMAMOTO; M IKEDA; M TANAKA
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985年, 査読有り, 通常論文
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- ★真空中でアニールしたSi/Al/SiO2構造の交流表面光電圧測定
永留 唯瑛,池田正則
令和2年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会, 2021年03月, 日本表面真空学会東北・北海道支部, 通常論文 - MIC法により結晶化したSi薄膜の交流表面光電圧
畚野梓; 池田正則
2023年（令和5年）応用物理学会東北支部第78回学術講演会, 2023年12月, 通常論文 - Si薄膜結晶化過程における交流表面光電圧変化
畚野梓; 池田正則
2023年度電気関係学会東北支部連合大会, 2023年09月, 通常論文 - Al，Au/Ta2O5/Ta 構造における電気伝導機構
伊藤匠生,池田正則
2022年（令和4年）応用物理学会東北支部第77回学術講演会, 2022年12月, 応用物理学会東北支部, 通常論文 - Al,Au/Ta2O5/Ta 構造の電気特性評価
伊藤匠生,池田正則
令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, 2022年10月, 日本金属学会東北支部, 通常論文 - Si 薄膜の⾦属誘起結晶化過程における交流表⾯光電圧変化
畚野梓,池田正則
令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, 2022年10月, 日本金属学会東北支部, 通常論文 - 陽極化成Ta2O5薄膜における電気伝導機構
伊藤匠生,池田正則
2022年度電気関係学会東北支部連合大会, 2022年08月, 2022年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 交流表面光電圧法による金属誘起結晶化過程における層交換の検出
永留 唯瑛,池田正則
2021年（令和3年）応用物理学会東北支部第76回学術講演会, 2021年12月, 応用物理学会東北支部, 通常論文 - 学生実験における統合的システムの構築
遠藤 拓,道山 哲幸,石川 瑞恵,羽田野 剛司,池田 正則
2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 応用物理学会, 通常論文 - Al誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
池田 正則,高野 隆盛
令和元年度電気関係学会東北支部連合大会, 2019年08月, 電気関係学会東北支部連合事務局, 通常論文 - 学生実験におけるレポート作成技術向上を目指した総括的システムの構築
遠藤拓,道山哲幸,石川瑞恵,羽田野剛司,池田正則
2019年度ICT利用による教育改善研究発表会, 2019年08月, 公益社団法人 私立大学情報教育協会, 通常論文 - 金属誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
池田正則,高野隆盛
2018年日本表面真空学会学術講演会, 2018年11月, 通常論文 - MIC法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
高野 隆盛; 池田 正則
2017年（平成29年）応用物理学会東北支部第72回学術講演会, 2017年11月, 応用物理学会東北支部, 通常論文 - O2暴露により生じるSi(100)-(2×1)表面構造変化の温度依存性
菅野 陽介,池田正則
2017年真空・表面合同講演会第37回表面科学学術講演会, 2017年08月, 表面科学会, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)－(2×1)表面の初期酸化過程観察
菅野陽介,池田正則
平成28年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2017年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したSiにおける酸化膜電荷の評価
渡邉宣之,池田正則
2016年真空・表面合同講演会第36回表面科学学術講演会, 2016年11月, 表面科学会, 通常論文 - MWT型セル用単結晶シリコンウェハのレーザ穴明け加工
小林翼,小野裕道,三瓶義之,大野仁嗣,高島康文,渋川達弘,池田正則,望月敏光,木田康博,白澤勝彦,高遠秀直
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月, 応用物理学会, 通常論文 - スパッタ法で形成したシリコン薄膜の表面光電圧測定
高野隆盛,池田正則
平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, 2016年08月, 電気関係学会東北支部, 通常論文 - 交流表面光電圧法を用いたSi極薄酸化膜中に生成する電荷量の評価
渡邉 宣之,池田 正則
平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, 2016年08月, 電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 表面光電圧法による半導体表面・薄膜の評価
池田正則
平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会, 2016年03月, 日本表面科学会東北・北海道支部, 招待有り - Au蒸着Si(100)-(2×1)表面のSTM観察
佐藤大高,池田正則
平成26年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2015年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - STMによるSi(100)-(2×1)表面におけるラングミュア型吸着酸化過程の研究
佐藤大高,池田正則
平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, 2014年08月, 電気関係学会東北支部, 通常論文 - Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, 2014年08月, 電気関係学会東北支部, 通常論文 - Si(100)-(2×1)表面における初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察
佐藤大高,池田正則
平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2014年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2014年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成26年東北地区若手研究者研究発表会, 2014年02月, 東北地区若手研究者研究発表会, 通常論文 - Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
油座大夢,池田正則
日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, 2013年11月, 日本表面科学会, 通常論文 - 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, 2013年11月, 日本表面科学会, 通常論文 - C会場 8月22日(木)10：30～12：00 ＜半導体・集積回路(1)＞
(座長)池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 2013年08月, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会 - C会場8月22日(木)10：30～12：00 ＜半導体・集積回路(1)＞
座長; 池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 2013年08月, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 2013年08月, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
油座大夢,池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 2013年08月, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2013年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化とAuの挙動
油座大夢,池田正則
平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2013年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - Fe汚染して熱酸化したn型Si表面におけるFeの挙動
萩原寛幸,清水博文,池田正則
第32回表面科学学術講演会, 2012年11月, 日本表面科学会, 通常論文 - 交流光電圧法によるFe及びCr汚染したSiウェーハにおける少数キャリア寿命評価
板野純希,清水博文,池田正則
第32回表面科学学術講演会, 2012年11月, 表面科学会, 通常論文 - H会場 8月31日(金)15:15～16:45 ＜半導体・集積回路(2)＞
(座長)池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会 - Au析出によるn型Si(100)表面ポテンシャルの変化とAuの挙動
油座大夢,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
板野純希,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬; 清水博文; 高松弘之; 迫田尚和,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるSi(100)表面におけるFeの挙動と負電荷の誘起
萩原寛,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - H会場8月31日(金)15:15～16:45 ＜半導体・集積回路(2)＞
座長; 池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 2012年08月, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, 通常論文 - 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,清水博文,高松弘之,迫田尚和,池田正則
福島県ハイテクプラザ研究成果発表会, 2012年07月, 福島県ハイテクプラザ, 通常論文 - 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,清水博文,高松弘行,迫田尚和,池田正則
Cat-CVD研究会第9回研究集会, 2012年06月, Cat-CVD研究会, 通常論文 - 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, 2012年03月, 日本表面科学東北・北海道支部, 通常論文 - 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
平成23年度電気関係学会東北支部連合大会, 2011年08月, 電気関係学会東北支部, 通常論文 - Metal-Induced Negative Charge Detected by Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Fe-contaminated n-Type Silicon Wafers
H. Shimizu; T. Otsuki; and M. Ikeda
E-MRS 2011 Spring Meeting, 2011年05月, 通常論文 - ポリビニルカルバゾール薄膜の電気的特性と光照射による変化
板野 純希; 石崎 裕樹; 末永 勝也,池田 正則,清水 博文
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, 2011年03月, 通常論文 - 熱酸化したFe汚染n型Siの交流表面光電圧による金属誘起負電荷の評価
萩原 寛幸,加藤 悟,清水 博文,池田 正則
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, 2011年03月, 通常論文 - Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, 2011年03月, 通常論文 - Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2011年03月, 日本表面科学会東北・北海道支部, 通常論文 - PMMAおよびPVCz薄膜の電気的特性の研究
池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, 2010年08月, 通常論文 - 非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, 2010年08月, 通常論文 - I会場：半導体・集積回路（１）
(座長)池田正則
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, 2010年08月, 通常論文 - Photon-assisted surface photovoltage in thermally oxidized metal-contaminated n-type silicon wafers
H. Shimizu; S. Nagase; and M. Ikeda
7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, 2010年08月, 通常論文 - PEDT/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,清水博文,北村武久,飯田和幸
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, 2009年12月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nbキャパシタ構造における電気伝導機構，
天野洋,清水博文,北村武久,飯田和幸
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, 2009年12月, 通常論文 - 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面における酸化膜負電荷の解析，
大槻智大,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, 2009年12月, 通常論文 - 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価，
長瀬慎太郎,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, 2009年12月, 通常論文 - 熱酸化したSb汚染p型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価
牟田壮志郎,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演, 2009年12月, 通常論文 - PEDT/Ta2O5/Ta構造における電気的特性
生田目大輔; 清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
2009年電気化学秋季大会, 2009年09月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb 構造における電気的特性の温度依存性と電気伝導機構，
天野洋,清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
2009年電気化学秋季大会, 2009年09月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したFe汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
大槻智大,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 通常論文 - 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面におけるCrの挙動
長瀬慎太郎,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したP汚染及びSb汚染p型Siにおける酸化膜電荷の評価
牟田壮志郎,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 通常論文 - 非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
清水博文,高松弘行,迫田尚和
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 通常論文 - 導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
電解蓄電器評論, 2009年09月, 招待有り - Analyses of Desorbed H2O with Temperature Programmed Desorption Technique in Sol-Gel Derived HfO2 Thin Films
H. Shimizu; D. Nemoto; T. Nishide :
16th International Conference on Thermal Engineering and Thermogrammetry, Budapest, HUNGARY., 2009年07月, 通常論文 - Si(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - 熱酸化したFe故意汚染n型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
大槻智大,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすCrの影響
長瀬慎太郎,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響
牟田壮志郎,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸:
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧特性の温度依存性と電気伝導機構
天野洋,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - ラングミュア型吸着温度領域におけるSi(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
第28回表面科学講演大会, 2008年11月, 通常論文 - Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces,
H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta and M. Ikeda
AVS 55th International Symposium & Exhibition, 2008年10月, 通常論文 - 熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動（その２）
嶋田定剛,清水博文,池田正則
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月, 通常論文 - 昇温脱離法によるゾル－ゲル法により作製したHfO2膜内のH2Oの解析
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月, 通常論文 - 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価，
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月, 通常論文 - 陽極化成Nb2O5薄膜の電気的特性と電気伝導機構
天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, 2008年08月, 通常論文 - 高分子導電膜/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, 2008年08月, 通常論文 - Auによるn型Si(100)表面における熱酸化膜成長の増速
牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, 2008年08月, 通常論文 - Au故意汚染して熱酸化したn型Si(100)表面におけるAuの分布
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, 2008年08月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるn型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, 2008年08月, 通常論文 - ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の特性評価
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文 - ラングミュア型吸着温度領域におけるO2暴露したSi(100)-(2×1)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文 - 熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動
嶋田定剛,清水博文,池田正則
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文 - 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面の交流表面光電圧評価
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2008年03月, 通常論文 - 熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動と熱酸化膜成長
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2008年03月, 通常論文 - 導電性高分子膜/Ta2O5/Taおよび金属/Ta2O5/Ta構造における電気伝導
池田正則,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
平成19年度第３回機能性高分子コンデンサ研究会, 2008年03月, 通常論文 - 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性に関する研究
生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - 陽極化成Nb2O5薄膜の電流－電圧特性と電気伝導機構に関する研究
天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*遠藤英治,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - ゾル－ゲル法により作製した高誘電率HfO2膜の特性評価
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - Fe汚染して熱酸化したn型Si(100)表面における交流表面光電圧評価
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - Au汚染したn型Si(100)表面における熱酸化膜成長
牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - Au汚染して熱酸化したn型Si(100)のSiO2/Si内におけるAuの分布
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - Si(100)表面における熱酸化膜中のAuの挙動に関する研究
嶋田定剛,長瀬慎太郎,牟田壮志郎,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-(2×1)表面の初期酸化過程の研究
渡邉清人,池田正則,清水博文
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, 2008年02月, 通常論文 - 交流表面光電圧法を用いたAl－rich SiO2層のSi表面ポテンシャルに及ぼす影響の評価
石川卓磨,清水博文,池田正則,若島裕也
第27回表面科学講演大会, 2007年11月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧及び容量－電圧特性の温度依存性(その２)
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
2007年電気化学秋季大会, 2007年09月, 通常論文 - Au汚染したSi(100)表面における熱酸化膜成長とAuの挙動
池田正則,若島裕也,石川卓磨,清水博文
第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月, 通常論文 - Au / N-Type Si Schottky-Barrier Contact and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized N-type Si(100) Surfaces
H. Shimizu; H. Wakashima; Y. Shimada; T. Ishikawa; and M. Ikeda
12th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA ’07), 2007年09月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nbキャパシタにおける電気的特性の温度依存性と電気伝導機構
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの解析
石川卓磨,清水博文,池田正則
第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
嶋田定剛,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2007年03月, 通常論文 - ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の物性評価
根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2007年03月, 通常論文 - 一般講演セッション
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 2007年03月, 通常論文 - 陽極化成Nb2O5薄膜における電気的特性の温度依存性
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, 2007年03月, 通常論文 - ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の物性及び電気的特性
根本大樹,鈴木裕也,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, 2007年03月, 通常論文 - 熱酸化したAl汚染n型Si表面におけるAl原子の挙動
石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, 2007年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルに関する研究
嶋田定剛,田中健,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, 2007年03月, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-c(4×4)表面の初期酸化過程の研究
渡邉清人,平石敬幸,池田正則,清水博文
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, 2007年03月, 通常論文 - ゾルーゲル法によるZrO2膜におけるゾル作製プロセスと膜特性の関係
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - ゾルーゲル法によるHfO2膜の物性と電気的特性の評価
根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - Zn汚染及びAl汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長機構
若島裕也,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの評価
石川卓磨,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電気的特性と電気伝導機構
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - セッションB-2 半導体AⅡ，半導体B
応用物理学東北支部第61回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧及び容量－電圧特性の温度依存性
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,飯田和幸
2006年電気化学秋季大会, 2006年09月, 通常論文 - 学生実験における各種学生情報の効率的収集・管理・開示システムの構築
遠藤拓,杉浦義人,上田剛,池田正則
平成18年度大学教育・情報戦略大会, 2006年09月, 通常論文 - Si(100)面上に形成したゾルーゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセス及び評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年08月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造の電気的特性の温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,遠藤英治,飯田和幸
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年08月, 通常論文 - Analyses of Au/Si Schottky Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in N-type Silicon Wafers Rinsed in Au Aqueous Solution
H. Shimizu; E. Omori and M. Ikeda
The 209th Meeting of the Electrochemical Society, 2006年05月, 通常論文 - Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長
若島裕也,清水博文,池田正則
第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年03月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造の電気伝導機構の解析
池田正則,柳沼寛寿,佐藤裕史,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
平成17年度日本表面科学会東北支部講演会, 2006年03月, 通常論文 - ゾルーゲル法によるZrO2膜の作製と物性及び電気的特性の評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, 2006年02月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, 2006年02月, 通常論文 - Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電流－電圧特性
柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, 2006年02月, 通常論文 - ゾルーゲル法によるZrO2膜の物性と電気的特性の評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第60回学術講演会, 2005年12月, 通常論文 - Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜の成長機構とkinetics
若島裕也,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第60回学術講演会, 2005年12月, 通常論文 - 交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第60回学術講演会, 2005年12月, 通常論文 - セッションA-7 半導体BⅡ
応用物理学東北支部第60回学術講演会, 2005年12月, 通常論文 - 陽極化成Nb2O5膜の電気的特性の温度依存性
柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,柴崎陽子,濱良樹,遠藤英治,飯田和幸
応用物理学東北支部第60回学術講演会, 2005年12月, 通常論文 - 導電性高分子(PEDT)/Ta2O5/Taの電流－電圧特性
佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
2005年電気化学秋季大会, 2005年09月, 通常論文 - Au水溶液浸漬したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成
池田正則,大森絵理,清水博文
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるAu/Siショットキー障壁の解析
大森絵理,清水博文,池田正則
電気学会A部門大会, 2005年08月, 通常論文 - Si(100)表面における極薄酸化膜の成長に及ぼすZnの影響
若島裕也,清水博文,池田正則,佐藤拓
電気学会A部門大会, 2005年08月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるCr汚染したSi表面ポテンシャルの解析
大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学関係連合講演会, 2005年03月, 通常論文 - 陽極化成法により形成したNb2O5薄膜の電気的特性に関する研究
佐藤裕史,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,濱良樹,飯田和幸
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月, 通常論文 - Ta電解コンデンサ素子における電流－電圧特性の解析
佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, 2005年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるAu析出させたSi表面のポテンシャルに関する研究
大森絵理,清水博文,池田正則
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, 2005年03月, 通常論文 - 招待講演I-2
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, 2005年03月, 通常論文 - Ta電解コンデンサ素子における電気伝導機構の解析
佐藤裕史,清水博文,池田正則,遠藤英治,西村成興,飯田和幸
応用物理学東北支部第59回学術講演会, 2004年12月, 通常論文 - 高集積化シリコンデバイスにおけるゲート絶縁膜対応HfO2膜の基礎解析
佐藤拓,清水博文,池田正則,高橋知子,西出利一
応用物理学東北支部第59回学術講演会, 2004年12月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるSi表面の電荷解析
大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第59回学術講演会, 2004年12月, 通常論文 - 携帯情報端末を用いた学生実験レポート管理環境の構築
遠藤拓,池田正則,上田剛,杉浦義人
平成16年度大学情報化全国大会（社団法人 私立大学情報教育協会）, 2004年09月, 通常論文 - Determination of the Aluminum-Induced Oxide Charge by AC Surface Photovoltage Measurements in N-Type Silicon
H. Shimizu; M. Ikeda and R. Shin
Electrochemical Society, 2003年04月, 通常論文 - 陽極化成Nb2O5薄膜の容量－電圧及び電流－電圧特性
菅野不二男,池田正則,清水博文,西村成興,遠藤英治,百生秀人,本田光利
平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, 2003年03月, 通常論文 - 一般講演セッション
平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, 2003年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるn形Si表面のAl誘起酸化膜電荷の解析
清水博文,進竜平,池田正則,棟方忠輔
第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡によるCu吸着したSi(111)-(7×7)表面の研究
佐藤黄菜,清水博文,池田正則,長嶋直之
応用物理学会東北支部第57回学術講演会, 2002年12月, 通常論文 - 金属不純物汚染したSiウェハー表面の交流表面光電圧法による酸化膜電荷の解析
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
応用物理学会東北支部第57回学術講演会, 2002年12月, 通常論文 - Al汚染したSi(001)表面における低温酸化膜成長
池田正則,清水博文,長嶋直之
第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるAl汚染したn型Si表面の酸化膜電荷の研究
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月, 通常論文 - XPS/STMによるC2H4吸着Si(111)7×7表面の研究
池田正則,佐藤黄菜,清水博文,長嶋直之
平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, 2002年03月, 通常論文 - 交流表面光電圧法によるFe及びAl不純物汚染したSi結晶の酸化膜電荷に関する研究
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, 2002年03月, 通常論文 - Al汚染したSi表面における酸化膜成長
小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
応用物理学会東北支部第56回学術講演会, 2001年12月, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(111)表面のXPS/LEED解析
池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, 2001年08月, 通常論文 - Si(001)表面におけるC2H4吸着の走査型トンネル顕微鏡観察
佐藤黄菜,池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, 2001年08月, 通常論文 - Si(001)表面の酸化膜成長に及ぼす微量Al不純物の影響
小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, 2001年08月, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(100)表面のSTM観察
平成11年度日本表面科学会東北支部講演会, 2000年, 通常論文 - C2H4吸着Si(001)表面のSTM観察
第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年, 通常論文 - オージェ電子分光法によるC2H4を反応させたSi(001)表面の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000年, 通常論文 - Alを故意汚染したSi(001)表面の熱酸化膜成長と酸化膜電荷に関する研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000年, 通常論文 - LEED/AESによるC2H4暴露したSi(111)表面の研究(共著)
第55回応用物理学会東北支部学術講演会, 2000年, 通常論文 - C2H4とSi(111)表面の反応における温度依存性の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000年, 通常論文 - 走査型トンネル顕微鏡によるC2H4吸着Si(001)表面の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000年, 通常論文 - Effect of Al on Oxide Growth and Oxide Charges in Silicon Wafers(共著)
The Electrochemical Society 198th Meeting, 2000年, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究(共著)
第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999年, 通常論文 - C2H4暴露したSi(001)表面のSTM観察(共著)
第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999年, 通常論文 - C2H4暴露Si(100)-c(4x4)表面の研究
第60回応用物理学会学術講演会, 1999年, 通常論文 - 室温でC2H4暴露したSi(111)表面のXPSによる研究
第60回応用物理学会学術講演会, 1999年, 通常論文 - C2H4を吸着させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究
応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999年, 通常論文 - 室温にてC2H4暴露したSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999年, 通常論文 - C2H4との反応によるSi(001)-C(4x4)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999年, 通常論文 - C2H4を吸着させたSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999年, 通常論文 - C2H4を吸着させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999年, 通常論文 - 低速電子線回折法及びオージェ電子分光法によるC2H4暴露したSi(111)表面の研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999年, 通常論文 - 清浄Si表面の初期酸化過程の研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999年, 通常論文 - C2H4との反応によるSi(100)表面の初期炭化過程の研究
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998年, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(100)表面の研究
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998年, 通常論文 - 陽極酸化Ta2O5膜における電気的特性の温度依存性
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998年, 通常論文 - XPS/LEEDによるC2H4暴露したSi(100)表面の研究
第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998年, 通常論文 - C2H4を反応させたSi(100)表面とSi(111)表面の比較(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998年, 通常論文 - C2H4暴露したSi(111)表面の低速電子線回折およびオージェ電子分光法による研究(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998年, 通常論文 - 走査トンネル顕微鏡によるSi単結晶の表面観察(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998年, 通常論文 - C2H4暴露したSi(100)表面のSTM観察(共著)
平成10年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998年, 通常論文 - M(Au,Al)/Ta2O5/Ta構造における電流-電圧および容量-電圧特性の温度依存性
第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997年, 通常論文 - 清浄Si(100)表面の初期酸化過程の研究
平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997年, 通常論文 - NH4F水溶液に浸漬したSi(100)表面の研究
第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997年, 通常論文 - Metal/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性
平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997年, 通常論文 - NH4F水溶液浸漬Si(100)表面のFの挙動
第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997年, 通常論文 - M(Au,Ae)/Ta2O5/Ta構造におけるI-V,およびC-V特性の温度依存性(その2)
第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997年, 通常論文 - 低暴露領域におけるSi(100)表面への酸素吸着
第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996年, 通常論文 - XPSによるSi(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化
第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996年, 通常論文 - C2H4暴露した清浄Si(100)表面の研究
応用物理学会東北支部第51回学術講演会予稿集, 1996年, 通常論文 - AN XPS STUDY OF THE Si(100) SURFACE EXPOSED TO O2
9th International Conference on Solid Surface (ICSS-9), 1995年, 通常論文
