STM

oxidation

silicon surface

陽極化成

Nb2O5

Ta2O5

Surface Physics

Electronic and Electric Materials Engineering

Nanotechnology/Materials, Thin-film surfaces and interfaces, Surface Physics

Nanotechnology/Materials, Thin-film surfaces and interfaces, Thin Film and Surface Interface Physical Properties

Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering, Electronic and Electric Materials Engineering

Apr. 2012 - Present
Professor

Apr. 2006 - Mar. 2012
Associate Professor

Apr. 2002 - Mar. 2006
Associate Professor

Apr. 1995 - Mar. 2002
Lecturer

Apr. 1990 - Mar. 1995
Research Assistant

Apr. 1985 - Mar. 1990
富士通株式会社

1985
Nihon University, Graduate School, Division of Science and Engineering, 電子工学

1983
Nihon University, Faculty of Science and Engineering, Department of Electronic engineering

Jun. 2019 - Present
幹事, 応用物理学会東北支部

May 2017 - Present
表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会

May 2015 - Present
協議員, 日本表面科学会

May 2015 - May 2017
東北・北海道支部監査, 日本表面科学会

May 2013 - May 2015
産業連携・会員増強委員, 日本表面科学会

May 2013 - May 2015
広報委員, 日本表面科学会

May 2013 - May 2015
副会長, 日本表面科学会

May 2013 - May 2015
常務理事，支部担当理事, 日本表面科学会

May 2013 - May 2015
東北・北海道支部支部長, 日本表面科学会

May 2011 - May 2013
東北・北海道支部副支部長, 日本表面科学会

Apr. 1999 - May 2011
表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会

Jul. 2000 - Jun. 2004
会誌編集委員, 日本表面科学会

Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成
池田正則,清水博文
表面科学, Mar. 2012, Not refereed, Invited
Lead

表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
電子情報通信学会誌C, Feb. 2012, Refereed, Not invited
Lead

Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers
H. Shimizu; S. Shintarou; M. Ikeda
Applied Physics A, May 2011, Refereed, Not invited

Au/PMMA/Ta構造の電流-電圧特性と電気伝導
池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢,吉沢友和
日本大学工学部紀要, Mar. 2011, Refereed, Not invited
Lead

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
日本大学工学部紀要, Mar. 2011, Refereed, Not invited
Lead

Characteristics of Sol-Gel Derived and Crystallized HfO2 Thin Films Dependent on Sol Solution
H. Shimizu; D. Nemoto; M. Ikeda; and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., Dec. 2010, Refereed, Not invited

Irregular Au profile on the SiO2 surface and at the SiO2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface
H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta
J. Vac. and Technol., Jan. 2010, Refereed, Not invited

Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
Hirofumi Shimizu; Sadayoshi Shimada; Masanori Ikeda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, Refereed, Not invited

Si(100) - (2×1)表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
渡邉清人,清水博文,小川修一,高桑雄二:
表面科学, Dec. 2009, Refereed, Not invited

Characterization of Sol-Gel Derived and Crystallized ZrO2 Thin Film
H. Shimizu; T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., Oct. 2009, Refereed, Not invited

Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析
嶋田定剛,清水博文
日本大学工学部紀要, Sep. 2009, Refereed, Not invited

ゾル溶液の違いによるゾル－ゲル法によるHfO2薄膜の評価
根本大樹,清水博文,西出利一
日本大学工学部紀要, Sep. 2009, Refereed, Not invited

ゾル－ゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセスと評価
小長井聡,池田正則,清水博文,小山奈美,西出利一
日本大学工学部紀要, Mar. 2008, Refereed, Not invited

Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si(001) surfaces
H. Shimizu; H. Wakashima; S. Shimada; T. Ishikawa and M. Ikeda
Surface and Interface Analysis, Jan. 2008, Refereed, Not invited

Effect of Zn on Segregation of ZnO Rich SiO2 Layer and Reduced Oxidation Rate in Thermally Oxidized Si(001)
H. Shimizu; H. Wakashima; M. Ikeda; and T. Sato
Jpn. J. Appl. Phys., Dec. 2007, Refereed, Not invited

Quantitative Estimation of Aluminum-Induced Negative Charge Region Top Area of SiO2 Based on Frequency-Dependent AC Surface Photovoltage
H. Shimizu; H. Wakashima; T. Ishikawa; and M. Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys., Nov. 2007, Refereed, Not invited

マイクロ波光導電減衰法及び表面光電圧法による熱酸化したAu析出n型Siウェーハの少数キャリアライフタイムの評価
池田正則,小泉勲,吉田敏之,石川卓磨,清水博文
日本大学工学部紀要, Sep. 2007, Refereed, Not invited
Lead

Temperature-Programmed Desorption Analyses of Sol-Gel Deposited and Crystallized HfO2 Films
H. Shimizu; T. Sato; S. Konagai; M. Ikeda; T. Takahashi; and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys., Jul. 2007, Refereed, Not invited

Analysis of Au/Si Schottky Barrier Type AC Surface Photovoltage in Silicon Wafer Surface Dipped into Au Aqueous Solution
E. Omori; H. Shimizu; M. Ikeda
Electronics and Communications in Japan, Part 2, Jun. 2007, Not refereed, Invited
Corresponding

Au析出Si表面におけるショットキー型交流表面光電圧の解析
大森絵理,清水博文,池田正則
電子情報通信学会論文誌C, Jul. 2006, Refereed, Not invited
Corresponding

Anomalous Behavior of Schottky Barrier-Type Surface Photovoltages in Chromium-Contaminated N-Type Silicon Wafers Exposed to Air
Hirofumi Shimizu; Eri Omori; Masanori Ikeda
Japanese Journal of Applied Physics, Jun. 2006, Refereed, Not invited

Quantitative Estimation of the Metal-Induced Negative Oxide Charge Density in N-type Silicon Wafers from Measurements of Frequency-Dependant AC Surface Photovoltage
H. Shimizu; R. Shin; and M. Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys., Mar. 2006, Refereed, Not invited

Behavior of metal-induced negative oxide charges on the surface of n-type silicon wafers using frequency-dependent AC surface photovoltage measurements
Hirofumi Shimizu; Ryuhei Shin; Masanori Ikeda
Japanese Journal of Applied Physics, Jun. 2005, Refereed, Not invited

Auger electron spectroscopy and electron energy loss spestroscopy studies on carbonization of Si(100) and (111) surfaces ｗith ethylene
Chinthaka K. Wijesinghe,M. Ikeda,N. Nagashima
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2003, Refereed, Not invited

Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface
M Shimomura; M Munakata; A Iwasaki; M Ikeda; T Abukawa; K Sato; T Kawawa; H Shimizu; N Nagashima; S Kono
SURFACE SCIENCE, Apr. 2002, Refereed, Not invited

Scanning Tunneling Microscopy of si(100)-c(4x4) reconstructed structure formed by ethylene exposure
M.Ikeda; N.Nagashima
Japanese Journal of Applyed Physics, 2001, Refereed, Not invited
Lead

Effect of Metals on Growth of Native Oxide on Silicon(001)Surfaces
Hirofumi Shimizu; Masanori Ikeda; Naoyuki Nagashima
日本大学工学部紀要, Sep. 2000, Refereed, Not invited

Observation of a Si(001) surface by means of a scanning tunneling mlcroscope
宮崎 淳; 岩崎 明弘; 池田 正則
日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited

An XPS study of Si(111) surface reacted with C₂H₄
湊 壮史; 池田 正則; 長嶋 直之
日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited

A study of Si(111)surface exposed to C₂H₄ by LEED and AES
小田原 宏樹; 池田 正則; 長嶋 直之
日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited

Behavior of Fluorine on Silicon(100)Surfaces Etched with NH₄F Aqueous Solutions(共著)
M.Ikeda; S. Iwamoto; N. Nagashima
Electronics and Communications in Japan, Part 2, 2000, Not refereed, Invited
Lead

Behavior of Fluorine on the Si(100) Sunfaces Etched by NH₄F Aqueous Solution
池田正則,岩本幸也,長嶋直之
電子情報通信学会論文誌C-Ⅱ, 1999, Refereed, Not invited
Lead

Reaction of Si(100) surfaces with C₂H₄ : XPS and LEED studies(共著)
M. Ikeda; T. Maruoka; N. Nagashima
Surface Science, 1998, Refereed, Not invited
Lead

Effect of Heat Treatments on the Oxygen Adsorbed on Si(100)Surface
Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
Journal of The Surface Science Society of Japan, 1997, Refereed, Not invited

Electric Charge Accumulation of Thermally Oxidized Si Surfaces for X-Ray Photoelectron Spectroscopy Measurement
池田正則,Teguh Rusyanto,長嶋直之
The Journal of The College of Engineering Nihon University, 1997, Refereed, Not invited
Lead

Surface Cleaning of Silicon Single Crystals in Ultra High Vacuum
Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
THE JOURNAL OF THE COLLEGE OF ENGINEERING NIHON UNIVERSITY Series A, 1995, Refereed, Not invited

Quantitative Estimation of F and O on Si(100) Surfaces Dipped in Aqueous Solution of HF
尾吹友晴,Teguh Rusyanto; 池田正則,長嶋直之
THE JOURNAL OF THE COLLEGE OF ENGINEERING NIHON UNIVERSITY Series A, 1994, Refereed, Not invited

An XPS Study of F and O on the Si(100) Surfaces Dipped in Aqueous Solution of HF
池田正則,Teguh Rusyanto; 長嶋直之
Journal of the Surface Science Society of Japan HYOMEN KAGAKU, 1994, Refereed, Not invited
Lead

Stup of X-ray Photoelectron Spectrometer and Studies of Acid Treated Si Surfaces
池田正則,井上達也,長嶋直之
The Journal of The College of Engineering Nihon University, 1992, Refereed, Not invited
Lead

GIANT RESISTIVITY ANOMALY IN A15 NB-3(GE,SI) SUPERCONDUCTIVE FILMS WITH COMPOSITIONALLY MODULATED SUPERSTRUCTURE
H YAMAMOTO; M IKEDA; M TANAKA
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985, Refereed, Not invited

導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
Sep. 2009, Not refereed

基礎からの半導体工学
清水博文; 星陽一; 池田正則, Joint work, 清水博文,星陽一,池田正則
日新出版, Apr. 2003, Not refereed

★真空中でアニールしたSi/Al/SiO2構造の交流表面光電圧測定
永留 唯瑛,池田正則
令和2年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2021, 日本表面真空学会東北・北海道支部, Not invited

MIC法により結晶化したSi薄膜の交流表面光電圧
畚野梓; 池田正則
2023年（令和5年）応用物理学会東北支部第78回学術講演会, Dec. 2023, Not invited

Si薄膜結晶化過程における交流表面光電圧変化
畚野梓; 池田正則
2023年度電気関係学会東北支部連合大会, Sep. 2023, Not invited

Al，Au/Ta2O5/Ta 構造における電気伝導機構
伊藤匠生,池田正則
2022年（令和4年）応用物理学会東北支部第77回学術講演会, Dec. 2022, 応用物理学会東北支部, Not invited

Al,Au/Ta2O5/Ta 構造の電気特性評価
伊藤匠生,池田正則
令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, Oct. 2022, 日本金属学会東北支部, Not invited

Si 薄膜の⾦属誘起結晶化過程における交流表⾯光電圧変化
畚野梓,池田正則
令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, Oct. 2022, 日本金属学会東北支部, Not invited

陽極化成Ta2O5薄膜における電気伝導機構
伊藤匠生,池田正則
2022年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2022, 2022年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

交流表面光電圧法による金属誘起結晶化過程における層交換の検出
永留 唯瑛,池田正則
2021年（令和3年）応用物理学会東北支部第76回学術講演会, Dec. 2021, 応用物理学会東北支部, Not invited

学生実験における統合的システムの構築
遠藤 拓,道山 哲幸,石川 瑞恵,羽田野 剛司,池田 正則
2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2019, 応用物理学会, Not invited

Al誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
池田 正則,高野 隆盛
令和元年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2019, 電気関係学会東北支部連合事務局, Not invited

学生実験におけるレポート作成技術向上を目指した総括的システムの構築
遠藤拓,道山哲幸,石川瑞恵,羽田野剛司,池田正則
2019年度ICT利用による教育改善研究発表会, Aug. 2019, 公益社団法人 私立大学情報教育協会, Not invited

金属誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
池田正則,高野隆盛
2018年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2018, Not invited

MIC法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
高野 隆盛; 池田 正則
2017年（平成29年）応用物理学会東北支部第72回学術講演会, Nov. 2017, 応用物理学会東北支部, Not invited

O2暴露により生じるSi(100)-(2×1)表面構造変化の温度依存性
菅野 陽介,池田正則
2017年真空・表面合同講演会第37回表面科学学術講演会, Aug. 2017, 表面科学会, Not invited

走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)－(2×1)表面の初期酸化過程観察
菅野陽介,池田正則
平成28年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2017, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したSiにおける酸化膜電荷の評価
渡邉宣之,池田正則
2016年真空・表面合同講演会第36回表面科学学術講演会, Nov. 2016, 表面科学会, Not invited

MWT型セル用単結晶シリコンウェハのレーザ穴明け加工
小林翼,小野裕道,三瓶義之,大野仁嗣,高島康文,渋川達弘,池田正則,望月敏光,木田康博,白澤勝彦,高遠秀直
第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2016, 応用物理学会, Not invited

スパッタ法で形成したシリコン薄膜の表面光電圧測定
高野隆盛,池田正則
平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2016, 電気関係学会東北支部, Not invited

交流表面光電圧法を用いたSi極薄酸化膜中に生成する電荷量の評価
渡邉 宣之,池田 正則
平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2016, 電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

表面光電圧法による半導体表面・薄膜の評価
池田正則
平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2016, 日本表面科学会東北・北海道支部, Invited

Au蒸着Si(100)-(2×1)表面のSTM観察
佐藤大高,池田正則
平成26年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2015, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

STMによるSi(100)-(2×1)表面におけるラングミュア型吸着酸化過程の研究
佐藤大高,池田正則
平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2014, 電気関係学会東北支部, Not invited

Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2014, 電気関係学会東北支部, Not invited

Si(100)-(2×1)表面における初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察
佐藤大高,池田正則
平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2014, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2014, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
高橋尚樹,池田正則
平成26年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2014, 東北地区若手研究者研究発表会, Not invited

Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
油座大夢,池田正則
日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, Nov. 2013, 日本表面科学会, Not invited

表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, Nov. 2013, 日本表面科学会, Not invited

C会場 8月22日(木)10：30～12：00 ＜半導体・集積回路(1)＞
(座長)池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会

C会場8月22日(木)10：30～12：00 ＜半導体・集積回路(1)＞
座長; 池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
油座大夢,池田正則
平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2013, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化とAuの挙動
油座大夢,池田正則
平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2013, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

Fe汚染して熱酸化したn型Si表面におけるFeの挙動
萩原寛幸,清水博文,池田正則
第32回表面科学学術講演会, Nov. 2012, 日本表面科学会, Not invited

交流光電圧法によるFe及びCr汚染したSiウェーハにおける少数キャリア寿命評価
板野純希,清水博文,池田正則
第32回表面科学学術講演会, Nov. 2012, 表面科学会, Not invited

H会場 8月31日(金)15:15～16:45 ＜半導体・集積回路(2)＞
(座長)池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会

Au析出によるn型Si(100)表面ポテンシャルの変化とAuの挙動
油座大夢,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
板野純希,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬; 清水博文; 高松弘之; 迫田尚和,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

交流表面光電圧法によるSi(100)表面におけるFeの挙動と負電荷の誘起
萩原寛,清水博文,池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

H会場8月31日(金)15:15～16:45 ＜半導体・集積回路(2)＞
座長; 池田正則
平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited

表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,清水博文,高松弘之,迫田尚和,池田正則
福島県ハイテクプラザ研究成果発表会, Jul. 2012, 福島県ハイテクプラザ, Not invited

表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
葛生一馬,清水博文,高松弘行,迫田尚和,池田正則
Cat-CVD研究会第9回研究集会, Jun. 2012, Cat-CVD研究会, Not invited

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2012, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
平成23年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2011, 電気関係学会東北支部, Not invited

Metal-Induced Negative Charge Detected by Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Fe-contaminated n-Type Silicon Wafers
H. Shimizu; T. Otsuki; and M. Ikeda
E-MRS 2011 Spring Meeting, May 2011, Not invited

ポリビニルカルバゾール薄膜の電気的特性と光照射による変化
板野 純希; 石崎 裕樹; 末永 勝也,池田 正則,清水 博文
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited

熱酸化したFe汚染n型Siの交流表面光電圧による金属誘起負電荷の評価
萩原 寛幸,加藤 悟,清水 博文,池田 正則
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited

Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited

Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2011, 日本表面科学会東北・北海道支部, Not invited

PMMAおよびPVCz薄膜の電気的特性の研究
池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited

非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited

I会場：半導体・集積回路（１）
(座長)池田正則
平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited

Photon-assisted surface photovoltage in thermally oxidized metal-contaminated n-type silicon wafers
H. Shimizu; S. Nagase; and M. Ikeda
7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, Aug. 2010, Not invited

PEDT/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,清水博文,北村武久,飯田和幸
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited

Au/Nb2O5/Nbキャパシタ構造における電気伝導機構，
天野洋,清水博文,北村武久,飯田和幸
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited

熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面における酸化膜負電荷の解析，
大槻智大,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited

熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価，
長瀬慎太郎,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited

熱酸化したSb汚染p型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価
牟田壮志郎,清水博文
応用物理学会東北支部第64回学術講演, Dec. 2009, Not invited

PEDT/Ta2O5/Ta構造における電気的特性
生田目大輔; 清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
2009年電気化学秋季大会, Sep. 2009, Not invited

Au/Nb2O5/Nb 構造における電気的特性の温度依存性と電気伝導機構，
天野洋,清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
2009年電気化学秋季大会, Sep. 2009, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したFe汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
大槻智大,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited

熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面におけるCrの挙動
長瀬慎太郎,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したP汚染及びSb汚染p型Siにおける酸化膜電荷の評価
牟田壮志郎,清水博文
第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited

非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
清水博文,高松弘行,迫田尚和
第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited

導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
電解蓄電器評論, Sep. 2009, Invited

Analyses of Desorbed H2O with Temperature Programmed Desorption Technique in Sol-Gel Derived HfO2 Thin Films
H. Shimizu; D. Nemoto; T. Nishide :
16th International Conference on Thermal Engineering and Thermogrammetry, Budapest, HUNGARY., Jul. 2009, Not invited

Si(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

熱酸化したFe故意汚染n型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
大槻智大,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすCrの影響
長瀬慎太郎,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響
牟田壮志郎,清水博文,池田正則
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸:
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧特性の温度依存性と電気伝導機構
天野洋,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited

ラングミュア型吸着温度領域におけるSi(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
第28回表面科学講演大会, Nov. 2008, Not invited

Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces,
H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta and M. Ikeda
AVS 55th International Symposium & Exhibition, Oct. 2008, Not invited

熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動（その２）
嶋田定剛,清水博文,池田正則
第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited

昇温脱離法によるゾル－ゲル法により作製したHfO2膜内のH2Oの解析
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価，
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited

陽極化成Nb2O5薄膜の電気的特性と電気伝導機構
天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited

高分子導電膜/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited

Auによるn型Si(100)表面における熱酸化膜成長の増速
牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited

Au故意汚染して熱酸化したn型Si(100)表面におけるAuの分布
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited

交流表面光電圧法によるn型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited

ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の特性評価
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited

ラングミュア型吸着温度領域におけるO2暴露したSi(100)-(2×1)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited

熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動
嶋田定剛,清水博文,池田正則
第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited

熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面の交流表面光電圧評価
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2008, Not invited

熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動と熱酸化膜成長
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2008, Not invited

導電性高分子膜/Ta2O5/Taおよび金属/Ta2O5/Ta構造における電気伝導
池田正則,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
平成19年度第３回機能性高分子コンデンサ研究会, Mar. 2008, Not invited

高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性に関する研究
生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

陽極化成Nb2O5薄膜の電流－電圧特性と電気伝導機構に関する研究
天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*遠藤英治,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

ゾル－ゲル法により作製した高誘電率HfO2膜の特性評価
根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

Fe汚染して熱酸化したn型Si(100)表面における交流表面光電圧評価
大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

Au汚染したn型Si(100)表面における熱酸化膜成長
牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

Au汚染して熱酸化したn型Si(100)のSiO2/Si内におけるAuの分布
長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

Si(100)表面における熱酸化膜中のAuの挙動に関する研究
嶋田定剛,長瀬慎太郎,牟田壮志郎,清水博文,池田正則
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-(2×1)表面の初期酸化過程の研究
渡邉清人,池田正則,清水博文
平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited

交流表面光電圧法を用いたAl－rich SiO2層のSi表面ポテンシャルに及ぼす影響の評価
石川卓磨,清水博文,池田正則,若島裕也
第27回表面科学講演大会, Nov. 2007, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧及び容量－電圧特性の温度依存性(その２)
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
2007年電気化学秋季大会, Sep. 2007, Not invited

Au汚染したSi(100)表面における熱酸化膜成長とAuの挙動
池田正則,若島裕也,石川卓磨,清水博文
第68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2007, Not invited

Au / N-Type Si Schottky-Barrier Contact and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized N-type Si(100) Surfaces
H. Shimizu; H. Wakashima; Y. Shimada; T. Ishikawa; and M. Ikeda
12th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA ’07), Sep. 2007, Not invited

Au/Nb2O5/Nbキャパシタにおける電気的特性の温度依存性と電気伝導機構
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの解析
石川卓磨,清水博文,池田正則
第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
嶋田定剛,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited

ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の物性評価
根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited

一般講演セッション
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited

陽極化成Nb2O5薄膜における電気的特性の温度依存性
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited

ゾル－ゲル法により作製したHfO2膜の物性及び電気的特性
根本大樹,鈴木裕也,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited

熱酸化したAl汚染n型Si表面におけるAl原子の挙動
石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルに関する研究
嶋田定剛,田中健,石川卓磨,清水博文,池田正則
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited

走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-c(4×4)表面の初期酸化過程の研究
渡邉清人,平石敬幸,池田正則,清水博文
平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited

ゾルーゲル法によるZrO2膜におけるゾル作製プロセスと膜特性の関係
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

ゾルーゲル法によるHfO2膜の物性と電気的特性の評価
根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

Zn汚染及びAl汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長機構
若島裕也,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの評価
石川卓磨,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電気的特性と電気伝導機構
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

セッションB-2 半導体AⅡ，半導体B
応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造における電流－電圧及び容量－電圧特性の温度依存性
柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,飯田和幸
2006年電気化学秋季大会, Sep. 2006, Not invited

学生実験における各種学生情報の効率的収集・管理・開示システムの構築
遠藤拓,杉浦義人,上田剛,池田正則
平成18年度大学教育・情報戦略大会, Sep. 2006, Not invited

Si(100)面上に形成したゾルーゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセス及び評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
第67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造の電気的特性の温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,遠藤英治,飯田和幸
第67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006, Not invited

Analyses of Au/Si Schottky Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in N-type Silicon Wafers Rinsed in Au Aqueous Solution
H. Shimizu; E. Omori and M. Ikeda
The 209th Meeting of the Electrochemical Society, May 2006, Not invited

Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長
若島裕也,清水博文,池田正則
第53回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造の電気伝導機構の解析
池田正則,柳沼寛寿,佐藤裕史,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
平成17年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2006, Not invited

ゾルーゲル法によるZrO2膜の作製と物性及び電気的特性の評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited

Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電流－電圧特性
柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited

ゾルーゲル法によるZrO2膜の物性と電気的特性の評価
小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited

Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜の成長機構とkinetics
若島裕也,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited

交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited

セッションA-7 半導体BⅡ
応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited

陽極化成Nb2O5膜の電気的特性の温度依存性
柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,柴崎陽子,濱良樹,遠藤英治,飯田和幸
応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited

導電性高分子(PEDT)/Ta2O5/Taの電流－電圧特性
佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
2005年電気化学秋季大会, Sep. 2005, Not invited

Au水溶液浸漬したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成
池田正則,大森絵理,清水博文
第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005, Not invited

交流表面光電圧法によるAu/Siショットキー障壁の解析
大森絵理,清水博文,池田正則
電気学会A部門大会, Aug. 2005, Not invited

Si(100)表面における極薄酸化膜の成長に及ぼすZnの影響
若島裕也,清水博文,池田正則,佐藤拓
電気学会A部門大会, Aug. 2005, Not invited

交流表面光電圧法によるCr汚染したSi表面ポテンシャルの解析
大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited

陽極化成法により形成したNb2O5薄膜の電気的特性に関する研究
佐藤裕史,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,濱良樹,飯田和幸
第52回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited

Ta電解コンデンサ素子における電流－電圧特性の解析
佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited

交流表面光電圧法によるAu析出させたSi表面のポテンシャルに関する研究
大森絵理,清水博文,池田正則
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited

招待講演I-2
平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited

Ta電解コンデンサ素子における電気伝導機構の解析
佐藤裕史,清水博文,池田正則,遠藤英治,西村成興,飯田和幸
応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited

高集積化シリコンデバイスにおけるゲート絶縁膜対応HfO2膜の基礎解析
佐藤拓,清水博文,池田正則,高橋知子,西出利一
応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited

交流表面光電圧法によるSi表面の電荷解析
大森絵理,清水博文,池田正則
応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited

携帯情報端末を用いた学生実験レポート管理環境の構築
遠藤拓,池田正則,上田剛,杉浦義人
平成16年度大学情報化全国大会（社団法人 私立大学情報教育協会）, Sep. 2004, Not invited

Determination of the Aluminum-Induced Oxide Charge by AC Surface Photovoltage Measurements in N-Type Silicon
H. Shimizu; M. Ikeda and R. Shin
Electrochemical Society, Apr. 2003, Not invited

陽極化成Nb2O5薄膜の容量－電圧及び電流－電圧特性
菅野不二男,池田正則,清水博文,西村成興,遠藤英治,百生秀人,本田光利
平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2003, Not invited

一般講演セッション
平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2003, Not invited

交流表面光電圧法によるn形Si表面のAl誘起酸化膜電荷の解析
清水博文,進竜平,池田正則,棟方忠輔
第50回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2003, Not invited

走査型トンネル顕微鏡によるCu吸着したSi(111)-(7×7)表面の研究
佐藤黄菜,清水博文,池田正則,長嶋直之
応用物理学会東北支部第57回学術講演会, Dec. 2002, Not invited

金属不純物汚染したSiウェハー表面の交流表面光電圧法による酸化膜電荷の解析
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
応用物理学会東北支部第57回学術講演会, Dec. 2002, Not invited

Al汚染したSi(001)表面における低温酸化膜成長
池田正則,清水博文,長嶋直之
第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002, Not invited

交流表面光電圧法によるAl汚染したn型Si表面の酸化膜電荷の研究
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002, Not invited

XPS/STMによるC2H4吸着Si(111)7×7表面の研究
池田正則,佐藤黄菜,清水博文,長嶋直之
平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2002, Not invited

交流表面光電圧法によるFe及びAl不純物汚染したSi結晶の酸化膜電荷に関する研究
進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2002, Not invited

Al汚染したSi表面における酸化膜成長
小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
応用物理学会東北支部第56回学術講演会, Dec. 2001, Not invited

C2H4を反応させたSi(111)表面のXPS/LEED解析
池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited

Si(001)表面におけるC2H4吸着の走査型トンネル顕微鏡観察
佐藤黄菜,池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited

Si(001)表面の酸化膜成長に及ぼす微量Al不純物の影響
小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited

C₂H₄を反応させたSi(100)表面のSTM観察
平成11年度日本表面科学会東北支部講演会, 2000, Not invited

C₂H₄吸着Si(001)表面のSTM観察
第47回応用物理学関係連合講演会, 2000, Not invited

オージェ電子分光法によるC₂H₄を反応させたSi(001)表面の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited

Alを故意汚染したSi(001)表面の熱酸化膜成長と酸化膜電荷に関する研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited

LEED/AESによるC₂H₄暴露したSi(111)表面の研究(共著)
第55回応用物理学会東北支部学術講演会, 2000, Not invited

C₂H₄とSi(111)表面の反応における温度依存性の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited

走査型トンネル顕微鏡によるC₂H₄吸着Si(001)表面の研究(共著)
第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited

Effect of Al on Oxide Growth and Oxide Charges in Silicon Wafers(共著)
The Electrochemical Society 198th Meeting, 2000, Not invited

C₂H₄を反応させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究(共著)
第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999, Not invited

C₂H₄暴露したSi(001)表面のSTM観察(共著)
第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999, Not invited

C₂H₄暴露Si(100)-c(4x4)表面の研究
第60回応用物理学会学術講演会, 1999, Not invited

室温でC₂H₄暴露したSi(111)表面のXPSによる研究
第60回応用物理学会学術講演会, 1999, Not invited

C₂H₄を吸着させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究
応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999, Not invited

室温にてC₂H₄暴露したSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999, Not invited

C₂H₄との反応によるSi(001)-C(4x4)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited

C₂H₄を吸着させたSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited

C₂H₄を吸着させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited

低速電子線回折法及びオージェ電子分光法によるC₂H₄暴露したSi(111)表面の研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited

清浄Si表面の初期酸化過程の研究
第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited

C₂H₄との反応によるSi(100)表面の初期炭化過程の研究
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited

C₂H₄を反応させたSi(100)表面の研究
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited

陽極酸化Ta₂O₅膜における電気的特性の温度依存性
平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited

XPS/LEEDによるC₂H₄暴露したSi(100)表面の研究
第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998, Not invited

C₂H₄を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited

C₂H₄を反応させたSi(100)表面とSi(111)表面の比較(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited

C₂H₄暴露したSi(111)表面の低速電子線回折およびオージェ電子分光法による研究(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited

走査トンネル顕微鏡によるSi単結晶の表面観察(共著)
日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited

C₂H₄暴露したSi(100)表面のSTM観察(共著)
平成10年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited

M(Au,Al)/Ta₂O₅/Ta構造における電流-電圧および容量-電圧特性の温度依存性
第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997, Not invited

清浄Si(100)表面の初期酸化過程の研究
平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997, Not invited

NH₄F水溶液に浸漬したSi(100)表面の研究
第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997, Not invited

Metal/Ta₂O₅/Ta構造における電気的特性の温度依存性
平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997, Not invited

NH₄F水溶液浸漬Si(100)表面のFの挙動
第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997, Not invited

M(Au,Ae)/Ta₂O₅/Ta構造におけるI-V,およびC-V特性の温度依存性(その2)
第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997, Not invited

低暴露領域におけるSi(100)表面への酸素吸着
第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996, Not invited

XPSによるSi(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化
第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996, Not invited

C₂H₄暴露した清浄Si(100)表面の研究
応用物理学会東北支部第51回学術講演会予稿集, 1996, Not invited

AN XPS STUDY OF THE Si(100) SURFACE EXPOSED TO O₂
9th International Conference on Solid Surface (ICSS-9), 1995, Not invited

応用物理学会

日本表面科学会

電子情報通信学会

負誘電率周波数帯の表面電磁波共鳴を用いたテラヘルツイメージングの研究
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025
四方 潤一; 池田 正則; 大野 誠吾

Super-resolution three-dimensional terahertz imaging using doubly resonant terahertz-wave resonators
Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, 01 Apr. 2019 - 31 Mar. 2022
SHIKATA Jun-ichi

特許第5091795号, 特願2008-201099, シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価装置
清水博文

マイクロ波光導電減衰...
14 Jul. 2006 - 14 Jul. 2006

マイクロ波光導電減衰法および表面光電圧による半導体シリコンの評価 〜金属原子の挙動と汚染計測〜
14 Jul. 2006 - 14 Jul. 2006

超高集積化半導体デバ...
12 Nov. 2004 - 12 Nov. 2004

超高集積化半導体デバイス対応の誘電体薄膜及び半導体表面科学に関する研究
12 Nov. 2004 - 12 Nov. 2004