高橋 芳浩

理工学部 電子工学科教授

研究キーワード

  • マイクロテクノロジー
  • SOI
  • シングルイベント
  • 照射誘起電流
  • 照射効果
  • MIS構造
  • Si系発光素子
  • 紫外線励起プロセス
  • 陽極酸化プロセス
  • 耐放射線性デバイス
  • 半導体デバイス

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電子デバイス、電子機器, 電子デバイス・電子機器
  • 環境・農学, 放射線影響, 放射線・化学物質影響科学
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電気電子材料工学, 電子・電気材料工学
  • 環境・農学, 化学物質影響, 放射線・化学物質影響科学

経歴

  • 2011年04月 - 現在
    日本大学 教授
  • 2007年04月 - 2011年03月
    日本大学 准教授
  • 2001年04月 - 2007年03月
    日本大学 専任講師
  • 1989年04月 - 2001年03月
    日本大学 助手

学歴

  • 1988年
    日本大学, 大学院 理工学研究科, 電子工学専攻
  • 1986年
    日本大学, 理工学部, 電子工学

委員歴

  • 2014年04月 - 現在
    シリコンテクノロジー分科会 表面・界面・シリコン材料研究委員会 幹事, 応用物理学会
  • 1992年04月 - 現在
    シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員, 電子情報通信学会
  • 2015年04月 - 2019年05月
    評議員, 日本信頼性学会
  • 2011年04月 - 2015年03月
    理事, 日本信頼性学会

受賞

  • 日本信頼性学会, 日本信頼性学会 優秀賞
    SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討, 国内学会・会議・シンポジウム等の賞
    小倉俊太,高橋芳浩,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
  • The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Best Poster Award
    Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device, 国際学会・会議・シンポジウム等の賞
    S. Ogura;T. Komiyama;Y. Takahashi;T. Makino;S. Onoda;T. Hirao;T. Oshima
  • 理工学部学術賞
    宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究

論文

  • ★電界結合型非接触スリップリングの設計及び試作
    高橋芳浩,塩野光弘,髙野忠
    電子情報通信学会論文誌B, 2022年03月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • 微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制
    和田雄友; 呉研; 高橋芳浩
    日本信頼性学会誌, 2017年05月, 査読有り, 通常論文
    ラスト(シニア)オーサー
  • 半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果
    高橋芳浩
    日本信頼性学会誌, 2014年11月, 査読有り, 招待有り
    筆頭著者
  • MOS構造の重イオン照射誘起電流およびトータルドーズ効果
    高橋芳浩,平尾敏雄,小野田忍
    電子情報通信学会論文誌C, 2012年09月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after Gamma-Ray Irradiation
    T. Ohshima; S. Onoda; T. Hirao; Y. Takahashi; G. Vizkelethy; B. L. Doyle
    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, 2009年, 査読無し, 通常論文
  • New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry
    A. Makihara; T. Ebihara; T. Yokose; Y. Tsuchiya; A. Amano; H. Shindou; R. Imagawa; Y. Takahashi; and S. Kuboyama
    IEEE Transactions on Nuclear Science, 2008年12月, 査読有り, 通常論文
  • Heavy-ion induced current through an oxide layer
    Yoshihiro Takahashi; Takahiro Ohki; Takaharu Nagasawa; Yasuhito Nakajima; Ryu Kawanabe; Kazunori Ohnishi; Toshio Hirao; Shinobu Onoda; Kenta Mishima; Katsuyasu Kawano; Hisayoshi Itoh
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 2007年07月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Heavy-Ion Induced Current in MOS Structure
    Y. Takahashi; T. Shibata; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Kamiya
    Electronics and Communications in Japan, 2007年01月, 査読無し, 通常論文
    筆頭著者
  • Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices
    A. Makihara; T. Yamaguchi; H. Asai; Y. Tsuchiya; Y. Amano; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Onoda; T. Hirao; Y. Nakajima; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and S. Kuboyama
    IEEE Trans. on Nuclear Science, 2006年12月, 査読有り, 通常論文
  • Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices
    A. Makihara; T. Yamaguchi; H. Asai; Y. Tsuchiya; Y. Amano; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Onoda; T. Hirao; Y. Nakajima; Y. Takahashi; K. Ohnishi; S. Kuboyama
    IEEE Trans. on Nuclear Science, 2006年12月, 査読有り, 通常論文
  • MOS構造における重イオン照射誘起電流
    高橋芳浩,芝田利彦,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,神谷富裕
    電子情報通信学会論文誌, 2006年03月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Relationship between the current direction in the inversion layer and the electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors on 3C-SiC
    T Ohshima; KK Lee; Y Ishida; K Kojima; Y Tanaka; T Takahashi; M Yoshikawa; H Okumura; K Arai; T Kamiya
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2, 2004年, 査読有り, 通常論文
  • 衛星搭載用半導体デバイスに関する研究
    高橋芳浩
    テクノニュースちば, 2003年01月, 査読無し, 通常論文
    筆頭著者
  • Growth and Characterization of Anodic Oxidized Films in Pure Water
    K. Ohnishi; A. ito; Y. Takahashi and S. Miyazaki
    Jpn.J.Appli.Phys., 2002年03月, 査読有り, 通常論文
  • Radiation-Induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
    Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; M. Yoshikawa
    IEEE Transactions on Nuclear Science, 1999年12月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • Evaluation of Fixed Charge Distribution and Its Density in the Insulation Layer of Metal-Nitride-Oxide-Si Structure Using Slanted Etching Method
    Y. Takahashi; K. Ohnishi
    Electronics and Communications in Japan, PartII, 1999年, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
    高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会論文誌, 1999年01月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム
    吉川正人,大島武,伊藤久義,梨山勇,高橋芳浩,大西一功,奥村元,吉田貞史
    電子情報通信学会論文誌, 1998年01月, 査読有り, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
    出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会論文誌, 1997年04月, 査読無し, 通常論文
  • Depth profile of trapped charges in oxide layer of 6H-SiC metal-oxide-semiconductor structures
    M. Yoshikawa; K. Saitoh; S. Yoshida; H. Okumura; Y. Takahashi; K. Ohnishi
    Journal of Applied Physics, 1996年07月, 査読有り, 通常論文
  • シリコン空化膜のγ線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析
    大西一功,高橋芳浩,小松茂,吉川正人
    日本原子力研究所研究報告, 1996年01月, 査読有り, 通常論文
  • Analysis of Microwave Characteristics of Coplanar traveling Wave Electrodes on III-V Semiconductor with N+ Doped Layer
    Zhiwu Wu; Yoshihiro Takahashi; Minghua Wang; Kunio Tada
    IEEE Journal of Lightwave Technology, 1995年10月, 査読有り, 通常論文
  • Estimation of Insulation Layer Conductance in MNOS Structure
    Yoshihiro Takahashi; Kazunori Ohnishi
    IEEE Transactions on Electron Devices, 1993年11月, 査読有り, 通常論文
    筆頭著者
  • 誘電体装着有限導体アンテナの放射特性の解析
    長谷部望,高橋芳浩,谷岡憲隆
    電子情報通信学会論文誌, 1990年12月, 査読無し, 通常論文
  • GaAs系進行波形方向性結合器光変調器の設計、試作、実験
    林秀樹,多田邦雄,高橋芳浩,石川卓哉
    電子情報通信学会論文誌, 1990年10月, 査読有り, 通常論文
  • 反射率可変レーダーリフレクタを用いたパッシブテレメトリ
    長谷部望,兼板晃宏,高橋芳浩,英美喜夫
    電子情報通信学会論文誌, 1988年10月, 査読有り, 通常論文

MISC

  • 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
    小倉 俊太; 高橋 芳浩; 牧野 高紘; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武
    信頼性シンポジウム発表報文集, 2012年06月11日

講演・口頭発表等

  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    新垣雅斗; 高橋芳浩
    2024年電子情報通信学会総合大会, 2024年03月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの小型化に関する検討
    曽我勇斗; 高野忠; 高橋芳浩
    2024年電子情報通信学会総合大会, 2024年03月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの安定化に向けた検討
    曽我勇斗; 高野忠; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • Pocket構造がトンネルFETの電気的特性に及ぼす影響
    大西尚征; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    新垣雅斗; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • SnとSiO2の同時スパッタ膜のフォトルミネセンス特性
    森山大柊; 萩原広隆; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • 高圧水蒸気雰囲気中で成膜した陽極酸化膜に対する熱処理効果
    梁成晨; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • 水蒸気雰囲気中で交番電圧印加により成膜した陽極酸化膜の電気的特性
    長村慶貞; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • 低温酸化処理によるSiO2膜の電気的ストレス耐性向上
    足利佳治; 高橋芳浩
    日本大学理工学部術講演会, 2023年11月, 通常論文
  • 水蒸気雰囲気中で製膜した陽極酸化膜に対する熱処理効果
    梁成晨,八ツ橋拓真,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • 水蒸気雰囲気中で交番電圧を印加して成膜した陽極酸化膜の特性評価
    八ツ橋拓真,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • Pocket構造によるpチャネルトンネルFETの出力特性改善に関する検討
    大西尚征,藤井陸功,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • スパッタ成膜したMg2Si膜の組成分析
    遠藤孔輝,髙野慧祐,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    新垣雅斗,高橋芳浩,呉研
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • PN-Body Tied SOI MOSFETの動作メカニズム
    鴇田陸斗,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • Snを添加したSi系絶縁材料の発光特性に関する研究
    森山大柊,吾妻満順,高橋芳浩,呉研
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • スパッタ法により成膜したSn添加Si系絶縁膜のPL特性
    吾妻満順,森山大柊,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの高周波化に向けた検討
    曽我勇斗,大澤亮太,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • 電界結合型非接触電力伝送システム用高周波インバーターの特性評価
    彦坂忠利,大澤亮太,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • Pocket構造の導入によるトンネルFET-CMOS回路の動作速度向上に関する検討
    藤井陸功,大西尚征,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2022年12月, 通常論文
  • Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
    大西尚征; 藤井陸功; 遠藤孔輝; 呉研; 高橋芳浩
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月, 応用物理学会, 通常論文
  • p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
    藤井陸功; 遠藤孔輝; 呉研; 高橋芳浩
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, 応用物理学会, 通常論文
  • トンネルFETの出力特性改善に関する検討
    藤井陸功,遠藤孔輝,三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月, 応用物理学会, 通常論文
  • 高圧水蒸気中で製膜した陽極シリコン酸化膜 -印加電圧依存性-
    堅田卓弥,八ッ橋拓真,呉研,高橋芳浩
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月, 応用物理学会, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの検討
    大島綾太,斎藤大珠,彦坂忠利,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    2021年電子情報通信学会総合大会, 2021年03月, 電子情報通信学会, 通常論文
  • トンネルFETにおけるID-VD立ち上がり特性改善に関する検討
    三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2020年12月, 通常論文
  • ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
    山口直弥,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2020年12月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法によるプロセス電流評価
    堅田卓弥,八ッ橋拓真,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2020年12月, 通常論文
  • SJ-MOSFETにおけるスイッチング特性
    中野敬介,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2020年12月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの小型化に向けた検討
    大島綾太,齋藤大珠,彦坂忠利,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2020年12月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の電気特性
    堅田卓弥,角田将紀,呉研,高橋芳浩
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 通常論文
  • 低温酸化処理がSiO2膜の電気的ストレス耐性に及ぼす影響
    安田光保,呉研,高橋芳浩
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 通常論文
  • Mg2Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性
    山口直弥,菅瑛斗,中野雄介,岸佳佑,唐鎌亮太,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 通常論文
  • 真空蒸着法により成膜したSiO/Sn膜のフォトルミネセンス特性
    長谷川裕人,呉研,高橋芳浩
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 通常論文
  • Sn 添加光 CVD シリコン酸窒化膜のPL発光波長
    長谷川裕人,黒沢亮太,山本悦治,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • 光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすPMA効果
    李一博,鈴木黎,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
    角田将紀,堅田卓弥,伊藤隼雄,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • SiO2成膜中の温度変化が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
    安田光保,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • SJ-MOSFETにおけるデバイス構造の検討
    中野敬介,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • ソース不純物濃度がトンネルFETのID-VD特性に及ぼす影響
    三田梓郎,唐鎌亮太,岸佳佑,山口直弥,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • Mg2Si/Si ヘテロ接合トンネルダイオードに関する検討
    山口直弥,唐鎌亮太,三田梓郎,岸佳佑,菅瑛斗,中野雄介,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • Fin型トンネルFETのデバイスパラメータ依存性
    岸佳佑,唐鎌亮太,三田梓郎,山口直弥,菅瑛斗,中野雄介,高橋芳浩,呉研
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • 非接触スリップリングの実現に向けたコンデンサの検討
    大島綾太,小野寺巧,小林泰輔,齋藤大珠,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • PN-Body Tied SOI MOSFETのCMOSインバータの検討
    古川遼太,安田光保,中野敬介,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • 多層円筒型コンデンサを用いた電界結合型非接触スリップリングの検討
    小野寺巧,大島綾太1,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • トンネルFETの閾値電圧評価法に関する研究
    唐鎌亮太,岸佳佑,三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2019年12月, 通常論文
  • Basic Investigation on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling
    Tadashi Takano; Yoshihiro Takahashi; Takumi Onodera; Ryota Ohshima; and Mitsuhiro Shiono
    Basic Investigation on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling", 2019 International Symposium on Antennas and Propagation (ISAP2019), 2019年10月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの基本設計
    小野寺巧,大島綾汰,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    2019年電子情報通信学会総合大会, 2019年03月, 通常論文
  • PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流
    古川遼太,呉研,高橋芳浩
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
    角田将紀,伊藤広起,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすアニール効果
    李一博,鈴木黎,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 酸化温度が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
    安田光保,金山純一,中野敬介,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • Sn拡散SiON膜のフォトルミネセンス特性(NH3アニール効果)
    長谷川裕人,安部桂史,大竹亮,高橋和希,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 真空蒸着法によって作製したSn添加シリコン酸化膜の発光特性評価
    安部桂史,高橋和希,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 陽極酸化膜の界面準位密度に及ぼす低温熱処理効果
    伊藤広起,角田将紀,堅田卓弥,齋藤理紗,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • SiGeを導入したSOI-MOSFETにおける重イオン照射効果
    金山純一,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • pin及びpnp構造素子における重イオン照射誘起電流
    岩波悠太,唐鎌亮太,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • PN-Body Tied SOI MOSFET の重イオン照射効果
    古川遼太,金山純一,安田光保,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • SOI-トンネルFETの電気的特性(デバイスパラメータ依存性)
    唐鎌亮太,岩波悠太,三田梓郎,岸佳佑,山口直弥,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 電界結合型非接触スリップリングの設計
    小野寺巧,大島綾太,呉研,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2018年12月, 通常論文
  • 無線スリップリングの応用目的と基礎検討
    高野忠,小野寺巧,大島綾太,塩野光弘,高橋芳浩
    第4回宇宙太陽発電シンポジウム, 2018年11月, 通常論文
  • 硬X線分光法を用いたMgSi/Siヘテロ接合バンドオフセット評価
    唐鎌亮太,岩波悠太,呉研,角嶋邦之,高橋芳浩
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 通常論文
  • SiGeを導入したSOI-CMOS回路の重イオン照射効果
    金山純一,呉研,高橋芳浩
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 通常論文
  • H2O2を用いた陽極酸化膜の熱処理効果
    伊藤広起,中田友緒,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • 膜厚がSn添加光CVDシリコン酸窒化膜の発光特性に及ぼす影響
    安部桂史,古澤翔太,長谷川裕人,山岸慧,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • 気相Snを拡散したシリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性(基板温度依存性)
    古澤翔太,安部桂史,長谷川裕人,山岸慧,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • 流水純水中で成膜した陽極酸化膜の熱処理効果
    中田友緒,伊藤広起,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • トンネルFETのデバイスパラメータが電気的特性に及ぼす影響
    波悠太; 唐鎌亮太,三田梓郎,高橋芳浩,呉研
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果の抑制に関する検討
    金山純一,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2017年12月, 通常論文
  • LDD構造を用いたトンネルFETベースCMOS回路においての耐放射線性評価
    呉研,岩波悠太,高橋芳浩
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 通常論文
  • Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si Based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
    Yan Wu; Kuniyuki Kakushima; Yoshihiro Takahashi
    The 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2017年06月, 通常論文
  • 陽極酸化膜を有する MOS 構造におけるアドミタンス特性
    中田友緒,張祺,呉研,高橋芳浩
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 通常論文
  • トンネルFETベースCMOS回路のシングルイベント耐性
    呉研,和田雄友,岩波悠太,金山純一,高橋芳浩
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性(膜厚依存性)
    古澤翔太,中村駿介,呉研,高橋芳浩
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 通常論文
  • 流水中で成膜した陽極シリコン酸化膜の特性評価 ~印加電圧波形依存性~
    張祺,中田友緒; 伊藤広起; 鈴木健太; 呉研; 高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2016年12月, 通常論文
  • コンダクタンス法によるゲート絶縁膜の界面準位密度評価
    陳士琪; 浜中健吾; 野口竣太郎; 吉岡亘輝; 呉研; 高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2016年12月, 通常論文
  • 陽極酸化膜を有する MOS 構造におけるアドミタンスの周波数依存性
    中田友緒,張祺,伊藤広起,鈴木健太,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2016年12月, 通常論文
  • 気相 Sn を拡散したシリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性
    古澤翔太; 鈴木拓也; 鈴木翼; 中村駿介; 呉研; 高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2016年12月, 通常論文
  • 微細 SOI デバイスにおける重イオン照射効果
    和田雄友; 岩波悠太; 金山純一; 長塚藍; 呉研; 高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2016年12月, 通常論文
  • Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制
    和田雄友,山本航汰,高橋芳浩,呉研
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 通常論文
  • 半導体デバイスの放射線効果基礎
    高橋芳浩
    第5回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, 2016年03月, 通常論文
  • 気相Snを拡散したシリコン酸窒化膜のPL 特性評価
    川俣明,鈴木拓也,古澤翔太,楊子平,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2015年12月, 通常論文
  • 流水中で成膜した陽極シリコン酸化膜の特性評価 〜印加電圧波形依存性〜
    張祺,手原大貴,中田友緒,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2015年12月, 通常論文
  • SOI-MOSFET における寄生バイポーラ効果のSource/Drainバンドギャップ依存性
    和田雄友,山本航汰,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2015年12月, 通常論文
  • 微細SOI-CMOS構造の重イオン照射効果
    山本航汰,和田雄友,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2015年12月, 通常論文
  • The Impact of Tunnel FET on Irradiation Effects
    Y. Wu; K. Yamamoto; Y. Wada; and Y. Takahashi
    International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2015年11月, 通常論文
  • Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減
    呉研,高橋芳浩
    日本信頼性学会第23回春季信頼性シンポジウム, 2015年06月, 日本信頼性学会, 通常論文
  • 高圧水蒸気中における陽極酸化法より成膜したSiO2膜の特性評価
    手原大貴,尾和瀬智成,呉研,高橋芳浩
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文
  • SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果
    山本航汰,家城大輔,呉研,高橋芳浩
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文
  • トンネルFETのシングルイベト耐性評価
    呉研,山本航汰,家城大輔,高橋芳浩
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性評価
    川俣明,竹内寛稀,鈴木拓也,呉研,高橋芳浩
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文
  • 半導体デバイスの放射線効果基礎
    高橋芳浩
    第4回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, 2015年02月, 通常論文
  • 静電気力顕微鏡を用いた半導体表面電位測定による不純物濃度分布の評価検討
    佐藤大知; 東尾順平,高橋芳浩,芦澤好人,塚本新,上原利夫,中川活二
    IEEE主催2014年度第2回学生研究発表会, 2014年12月, 通常論文
  • トンネルFET に対する放射線影響およびSi 系ヘテロ接合によるON 電流向上効果
    呉研,山本航汰,家城大輔,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • Analysis of Semiconductor Dopant Profiling by Measurement of Voltage Distribution on Surface with Electrostatic Force Microscope
    Daichi Satou; Jumpei Higashio; Yoshihiro Takahashi; Yoshito Ashizawa; Arata Tsukamoto; Toshio Uehara; Katsuji Nakagawa
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • Sn 添加シリコン酸窒化膜のPL 特性評価
    川俣明,鈴木拓也,竹内寛稀,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
    手原大貴,尾和瀬智成,加藤裕史,張祺,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • 交番電圧を用いて流水純水中で成膜した陽極酸化膜の特性評価
    尾和瀬智成,手原大貴,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • LPCVD-SiN 膜中電荷トラップ密度の反応温度依存性
    長谷川洋介,陳士琪,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • 微細SOI-MOSFET に対する重イオン照射誘起電流の検討
    家城大輔,山本航汰,和田雄友,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • 微細SOI-MOSFET における照射誘起寄生バイポーラ効果に関する研究
    山本航汰,家城大輔,和田雄友,呉研,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • 有限要素法による不純物濃度の異なる半導体の表面電位解析
    宮野晴行,佐藤大知,東尾順平,高橋芳浩,芦澤好人,塚本新,上原利夫,中川活二
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • ニューラルネットワークを搭載した昆虫型MEMS マイクロロボットの研究
    内木場文男,木村元昭,高橋芳浩,佐伯勝敏,齊藤健
    日大理工学術講演会, 2014年12月, 通常論文
  • ELECTROSTATIC FORCE MICROSCOPE APPLICATIONS FOR THE RESEARCH OF PIEZO ACTUATOR AND SEMICONDUCTOR
    Toshio Uehara; Katsuji Nakaawa; Yoshihiro Takahashi; Yoshito Ashizawa; and Jumpei Higashio
    The 67th ICAT/JTTAS Joint International Smart Actuators/Sensors Symposium, 2014年10月, 通常論文
  • 静電気力顕微鏡を用いた半導体表面電位測定による不純物濃度分布評価
    佐藤大知; 東尾順平; 高橋芳浩; 芦澤好人; 塚本新; 上原利夫; 中川活二
    第113 回日本画像学会年次大会, 2014年06月, 通常論文
  • LPCVD-SiN 膜中電荷トラップ密度の反応ガス流量比依存性
    長谷川洋介,佐藤晃太郎,小清水祐貴,宮島秀明,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • 流水純水中でのSi 陽極酸化膜の成膜
    長谷川洋介,佐藤晃太郎,小清水祐貴,宮島秀明,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • Sn 添加シリコン酸化膜のPL 特性
    滝島正博,川俣明,田中慶吾,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • 光CVD 法により作製したシリコン窒化膜の膜質評価 ~反応圧力およびガス流量比依存性~
    佐藤晃太郎,長谷川洋介,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • SOI-pn ダイオードにおける重イオン照射誘起電流の照射位置依存性
    家城大輔,小宮山隆洋,金子直之,山本航汰,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • SOI 基板上に作製したMOSFET における重イオン照射誘起電流
    小宮山隆洋,家城大輔,金子直之,山本航汰,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2013年12月, 通常論文
  • Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device
    S. Ogura; T. Komiyama; T. Makino; S. Onoda; T. Hirao; T. Oshima
    International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2012年12月, 通常論文
  • 負電圧印加した陽極酸化膜の電気的特性
    張義淳,山崎雄大,柿沼真一
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法におけるプロセス方法の検討
    山崎雄大,張義淳,柿沼真一
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • Si基板上に面内配置されたSiO2/Sn膜のEL発光
    秋山和也,滝島正博,大谷捷,遠山大地
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • PECVD-SiO2 膜の電気的特性に及ぼすアニール効果
    古瀬達也; 佐藤晃太郎; 尾和瀬智成; 長谷川洋介
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • Sn-SiO2面内配置構造のPL特性
    滝島正博; 秋山和也; 大谷捷; 遠山大地
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • SOI-MOSFET の重イオン照射誘起電流に関する検討(支持基板不純物タイプによる変化)
    小倉俊太; 小宮山隆洋; 家城大輔; 倉島翼
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • SOI 基板上のpn ダイオードにおける重イオン照射誘起電流
    小宮山隆洋; 小倉俊太; 家城大輔; 倉島翼
    日大理工学術講演会, 2012年11月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起過渡電流抑制
    小倉俊太,小宮山隆洋,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
    第7回高崎量子応用研究シンポジウム, 2012年10月, 日本原子力研究開発機構, 通常論文
  • SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
    小倉俊太,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
    日本信頼性学会第20回春季信頼性シンポジウム, 2012年06月, 日本信頼性学会, 通常論文
  • 半導体デバイスの宇宙放射線効果基礎
    第1回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, 2012年02月, 通常論文
  • Ge基板上に成膜したCVD SiO2膜の低温熱処理効果
    常清悠介,山崎拓也
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • 紫外線励起法により作製したSiON 膜についての検討
    山崎拓也,常清悠介,長谷川洋介
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • Si基板上に面内配置されたSiO2/Sn膜の発光特性
    秋山和也,秋山陽一,滝島正博,遠山大地
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • 陽極酸化SiO2膜の熱処理効果
    張義淳,山崎雄大,安井良平
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流に関する検討(照射位置依存性)
    小倉俊太,岡﨑勇志,小宮山隆洋,佐藤江里子
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • SOI基板上に作製したMOSFETの重イオン照射誘起電流
    岡﨑勇志,小倉俊太,小宮山隆洋,佐藤江里子
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • 純水中での陽極酸化法におけるプロセス方法の改善
    山崎雄大,張義淳,安井良平
    日大理工学術講演会, 2011年11月, 通常論文
  • SOIデバイスにおける重イオン照射誘起電流の抑制
    岡﨑勇志,小倉俊太,平尾敏雄,小野田忍,大島武
    第6回高崎量子応用研究シンポジウム, 2011年10月, 日本原子力研究開発機構, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流の抑制に関する検討
    岡﨑勇志,小倉俊太,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
    応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 応用物理学会, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸化膜の発光特性
    秋山陽一,秋山和也
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • 紫外線励起法により作製したSiON膜の作製と評価
    山崎拓也,常清悠介,長谷川洋介,古瀬達也
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるゲルマニウムの低温酸化
    阿部大和,張義淳,山崎雄大
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • Ge基板に対する高誘電率絶縁膜の作製と評価
    常清悠介,山崎拓也,長谷川洋介,古瀬達也
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討
    竹安秀徳,岡崎勇志,大谷拓海,小倉俊太
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討
    竹安秀徳,岡崎勇志,大谷拓海,小倉俊太
    日大理工学術講演会, 2010年11月, 通常論文
  • Heavy-Ion Induced Current in SOI Junction Diode
    H. Takeyasu; Y. Okazaki; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
    International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2010年10月, 通常論文
  • SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
    大脇章弘,竹安秀徳,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
    第5回高崎量子応用研究シンポジウム, 2010年10月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討
    竹安秀徳,岡崎勇志,小倉俊太,大谷拓海,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
    応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流
    第1回半導体材料・デバイスフォーラム, 2010年02月, 通常論文
  • 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
    日大理工学術講演会, 2009年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるシリコン窒化膜の低温酸化
    阿部大和,野澤翔吾,井坂真彦
    日大理工学術講演会, 2009年11月, 通常論文
  • 下地膜による高誘電率ゲート絶縁膜の界面特性改善
    呉研,常清悠介,山崎拓也
    日大理工学術講演会, 2009年11月, 通常論文
  • SOI基板上のpnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
    大脇章弘,竹安秀徳,岡崎勇志,松岡将太
    日大理工学術講演会, 2009年11月, 通常論文
  • SOIデバイスの重イオン照射誘起電流制御に関する検討
    竹安秀徳,大脇章弘,岡崎勇志,松岡将太
    日大理工学術講演会, 2009年11月, 通常論文
  • SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
    今川良,大脇章弘,竹安秀徳,平尾敏雄,小野田忍,牧野髙紘,大島武
    第4回高崎量子応用研究シンポジウム, 2009年10月, 通常論文
  • SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴
    高橋芳浩
    第19回高温エレクトロニクス研究会, 2009年03月, 通常論文
  • SiO/Sn/SiO2構造の発光特性に対する膜厚依存性
    五十嵐健太朗,北口直哉,入村侑宏,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2008年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法により確認したSiO2膜の表面構造
    西村航,阿部大和,野澤翔吾,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2008年11月, 通常論文
  • MOCVD法を用いたHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の作製と評価
    渡邊拓,山本真也,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2008年11月, 通常論文
  • pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
    大脇章弘,今川良,竹安秀徳,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2008年11月, 通常論文
  • 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
    今川良,大澤一仁,大脇章弘,竹安秀徳,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2008年11月, 通常論文
  • MOS構造素子のシングルイベント効果の解明
    高橋芳浩,大西一功,府金賢,今川良,大脇章弘,平尾敏雄,小野田忍,大島武
    第3回高崎量子応用研究シンポジウム, 2008年10月, 通常論文
  • Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET
    Y. Takahashi; M. Fugane; R. Imagawa; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
    8th European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems, 2008年09月, 通常論文
  • Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET
    Y. Takahashi; M. Fugane; R. Imagawa; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
    International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, 2008年08月, 通常論文
  • Investigation of the Radiation Effects of Semiconductor using the Irradiation Facilities in Takasaki Advanced Radiation Research Institute
    T. Hirao; Y. Takahashi; H. Ohyama
    International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, 2008年08月, 通常論文
  • Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after Gamma-Ray Irradiation
    Takeshi Ohshima; Shinobu Onoda; Toshio Hirao; Yoshihiro Takahashi; Gyorgy Vizkelethy; Barney L. Doyle
    20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry, 2008年08月, 通常論文
  • MOSデバイスにおける重イオン照射誘起過渡電流とトータルドーズとの関係
    今川良,府金賢,大西一功,高橋芳浩,平尾敏雄,小野田忍,大島武
    第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会, 2008年07月, 通常論文
  • MOSデバイスにおける重イオン照射誘起電流
    平尾敏雄,高橋芳浩,小野田忍,大島武
    第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会, 2008年07月, 通常論文
  • New SET Characterization Technique Utilizing SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitries
    A. Makihara; T. Ebihara; T. Yokose; Y. Tsuchiya; Y. Amano; H. Shindou; S. Kuboyama; R. Imagawa; Y. Takahashi; K. Ohnishi
    2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, 2008年07月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるSiO2膜の製膜と評価 〜局所的な異常成長について〜
    西村航,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文
  • SiO2/Sn/SiO2構造によるフォトルミネッセンス特性
    五十嵐健太朗,安藤健志,北口直哉,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文
  • 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
    今川良; 大澤一仁; 大西一功; 高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文
  • 重イオンがγ線照射前後のMOSキャパシタに誘起する過渡電流
    小野田忍,府金賢,平尾敏雄,大島武,高橋芳浩,今川良; 大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 通常論文
  • 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜のホールアレイ構造の作製と評価
    西村航,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • HfO2ゲート絶縁膜のSiON下地膜による特性改善
    渡邊拓,西村剛,高月健太,山下晃慶,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • 真空蒸着法により作製したSiO/Sn/SiO構造の発光特性
    五十嵐健太朗,安藤健志,北口直哉,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • MOCVD法によるHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の製膜及び評価
    西村剛,渡邊拓,山下晃慶,高月健太,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • 急速熱処理を施したSn添加SiO2膜の発光特性
    安藤健志,五十嵐健太郎,北口直哉,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
    今川良,府金賢,大澤一仁,大脇章弘,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • MOSFETにおける重イオン照射誘起ゲート電流
    府金賢,今川良,大澤一仁,大脇章弘,平尾敏雄,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2007年12月, 通常論文
  • MOSデバイスのハードエラーおよびその抑制
    高橋芳浩
    応用物理学会学術講演会, 2007年09月, 通常論文
  • MOSFETにおける重イオン照射誘起ゲート電流
    府金賢,高橋芳浩,中嶋康人,長澤賢治,今川良,野本敬介,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,大島武
    応用物理学会学術講演会, 2007年09月, 通常論文
  • SOIデバイスにおけるイオン照射誘起電荷の輸送現象の解明
    大西一功,高橋芳浩,中嶋康人,長澤賢治,府金賢,今川良,野本敬介,平尾敏雄,小野田忍,三島健太
    高崎量子応用研究シンポジウム, 2007年06月, 通常論文
  • MOS構造における重イオン照射誘起過渡電流
    高橋芳浩,長澤賢治,中嶋康人,府金賢,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
    半導体の放射線照射効果研究会, 2006年12月, 通常論文
  • マイクロビームを利用したシングルイベント評価研究 -JAEAのシングルイベント研究の現状-
    平尾敏雄,小野田忍,三島健太,大島武,及川将一,佐藤隆博,神谷富裕,河野勝泰,高橋芳浩,大西一功
    半導体の放射線照射効果研究会, 2006年12月, 通常論文
  • 完全空乏型0.15um CMOS/SOI民生プロセスデバイスへの放射線対策の最適化
    槇原亜紀子,浅井弘彰,土屋義久,天野幸男,緑川正彦,新藤浩之,久保山智司,小野田忍,平尾敏雄,中嶋康人,高橋芳浩,大西一功
    半導体の放射線照射効果研究会, 2006年12月, 通常論文
  • HfO2をゲート絶縁膜としたMIS構造における放射線照射効果
    長澤賢治,中嶋康人,府金賢,今川良,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • 紫外線励起NH3アニールによるHfO2ゲート絶縁膜の電気的特性変化
    日大理工学術講演会
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • 光励起プロセスによるシリコン酸窒化薄膜の作製及び評価
    西村剛,海老原司,山崎裕幸,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • HfO2高誘電率ゲート絶縁膜の作製
    山本絢介,守田圭佑,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の成膜と電気的特性の評価
    菅沼卓仁,西村航,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • Si窒化膜とSn添加Si窒化膜のフォトルミネッセンス特性
    安藤健志,五十嵐健太朗,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • MOSFETにおける重イオン照射誘起電流
    中嶋康人,今川良,野本敬介,府金賢,長澤賢治,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • イオン注入法を用いたMOSFETの作製
    中嶋康人,長澤賢治,府金賢,今川良,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2006年11月, 通常論文
  • Optimization for SEU/SET immunity on 0.15um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2006年10月, 通常論文
  • Heavy-ion Induced Current through an Oxide Layer
    Y. Takahashi; T. Ohki; T. Nagasawa; Y. Nakajima; R. Kawanabe; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; K. Mishima; K. Kawano; and H. Itoh
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2006年10月, 通常論文
  • 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の成膜と電気的特性の評価
    菅沼卓仁,柳沢卓人,西村航,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 2006年08月, 通常論文
  • Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15 um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device
    A. Makihara; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Kuboyama; T. Hirao; S. Onoda; T. Ohki; Y. Takahashi
    International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, 2006年07月, 通常論文
  • Heavy-Ion Induced Current through an Oxide Layer
    Y. Takahashi; T. Ohki; T. Nagasawa; Y. Nakajima; R. Kawanabe; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; K. Mishima; K. Kawano; H. Itoh
    10th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications, 2006年07月, 通常論文
  • 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流の評価
    大西一功,高橋芳浩,大木隆広,平尾敏雄,小野田忍,伊藤久義
    高崎量子応用研究シンポジウム, 2006年06月, 通常論文
  • 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流
    高橋芳浩,大木隆広,長澤賢治,中嶋康人,川鍋龍,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
    応用物理学関係連合講演会, 2006年03月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
    大西一功,高橋芳浩,新垣久,藤田明良,南卓士
    応用物理学会特別研究会「ゲートスタック研究会」, 2006年02月, 通常論文
  • 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流
    大木隆広,川鍋龍,長澤賢治,中嶋康人,高橋芳浩,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
    半導体の放射線照射効果研究会, 2005年12月, 通常論文
  • PERL構造太陽電池の作製とそのプロセス評価
    岸雅人,石川寛之,佐藤拓蔵,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • スパッタ法によるSi薄膜の製膜・評価 〜N2+H2混合ガスアニール効果〜
    石川寛之,岸雅人,佐藤拓蔵,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • スパッタ法により製膜したHfO2絶縁膜の作製と評価
    山本絢介,足立学,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
    藤田明良,柳沢卓人,菅沼卓仁,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • 紫外線励起プロセスを用いたシリコン窒化膜の作製及び評価
    稲野正,海老原司,西村剛,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸化膜のフォトルミネッセンス特性
    大津卓也,安藤健志,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • MOSFETの作製プロセスの評価 〜SOIFETの試作〜
    長澤賢治,中嶋康人,府金賢,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • SOI構造におけるシングルイベント過渡電流の解析
    大木隆広,川鍋龍,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2005年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
    藤田明良,菅沼卓仁,新垣久,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 2005年09月, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸化膜のPhotoluminescence特性
    大津卓也,安藤健志,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 2005年09月, 通常論文
  • SRAMのシングルイベントアップセット評価
    阿部哲男,大木隆広,高橋芳浩,大西一功,平尾敏雄
    応用物理学関係連合講演会, 2005年03月, 通常論文
  • 下地酸化膜を有するHfO2ゲート絶縁膜の電気伝導
    南卓士,山本絢介,西岡泰城,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2005年03月, 通常論文
  • SRAMのシングルイベントアップセット評価
    阿部哲男,大木隆広,平尾敏雄,高橋芳浩,大西一功
    半導体の放射線照射効果研究会, 2005年02月, 通常論文
  • 単結晶シリコン太陽電池の高効率化のための研究
    岸雅人,石川寛之,芳賀一純,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • スパッタ法を用いたa-Si/c-Si太陽電池の作製及び評価
    石川寛之,岸雅人,芳賀一純,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • スパッタ法により製膜したHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の特性評価
    南卓士,大津卓也,山田和正,山本絢介,高橋芳浩,大西一功,西岡泰城
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • 紫外線励起アンモニアガスを用いたシリコン窒化膜の作製及び評価
    稲野正,海老原司,福岡大樹,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の作製と評価
    藤田明良,新垣久,菅沼卓仁,藤岡州次,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • 純水中での陽極酸化法によるシリコン酸化膜の作製と評価
    新垣久,藤田明良,菅沼卓仁,藤岡州次,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • Si-Sn-O構造の発光特性
    大津卓也,南卓士,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • SRAMのシグルイベントアップセット評価
    阿部哲男,大木隆広,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • SRAMに対するシグルイベントアップセットのシミュレーション
    大木隆広,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2004年11月, 通常論文
  • Charge collected in Si MOS Capacitors and SOI Devices P+N Diodes due to Heavy Ion Radiation
    T. Hirao; J.S. Laird; S. Onoda; T. Shibata; T. Wakasa; T. Yamakawa; H. Abe; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and H. Itoh
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2004年10月, 通常論文
  • Heavy-Ion induced Current in MOS Structure
    Y. Takahashi; T. Shibata; Y. Murase; K. Ohnishi; T. Hirao; T. Kamiya
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2004年10月, 通常論文
  • Consideration to Reliability of Laser Testing for Evaluating SEU Tolerance
    T. Abe; K. Ohnishi; Y. Takahashi; T. Hirao
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2004年10月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるシリコン酸化膜の作製と評価
    柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2004年03月, 通常論文
  • 陽極酸化法で作製したシリコン酸化膜の特性
    渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2004年03月, 通常論文
  • MOS構造における重イオン照射誘起電流
    MOS構造における重イオン照射誘起電流
    応用物理学関係連合講演会, 2004年03月, 通常論文
  • SOI素子のシングルイベント耐性に関する研究 〜MOSキャパシタにおけるシングルイベント過渡電流の測定〜
    芝田利彦,平尾敏雄,J.S.Laird,小野田忍,神谷富裕,村瀬祐児,高橋芳浩,大西一功
    半導体の放射線照射効果研究会, 2004年02月, 通常論文
  • SOI素子のシングルイベント耐性に関する研究〜MOSキャパシタにおけるシングルイベント過渡電流の測定〜
    芝田利彦,平尾敏雄,J.S. Laird,小野田忍,神谷富裕,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • FPGAを用いたシングルイベントアップセット測定システムの検討
    阿部哲男,芝田利彦,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • MOS構造における重イオン照射誘起電流の計算シミュレーション
    村瀬裕児,芝田利彦,平尾敏雄,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるシリコン酸化膜の作製と評価〜電極間に複数枚のシリコン基板がある場合〜
    柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法で作製したシリコン酸化膜の特性
    渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • ポーラスシリコンの発光特性
    斉藤迪,満山弘,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • スパッタ法により製膜したHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の特性評価
    南卓志,福山亨,西岡泰城,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • 紫外線励起アンモニアガスを用いたシリコン窒化膜の作製・評価
    稲野正,近藤憲,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2003年11月, 通常論文
  • Experimental Study of Single-Event Transient Current in SOI Devices
    T. Hirao; T. Shibata; J. S. Laird; S. Onoda; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and T. Kamiya
    European conference on Radiation and its effects on components and system, 2003年09月, 通常論文
  • 半導体記憶素子のマッピング方法の検討
    芝田利彦,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
    半導体の放射線照射効果研究会, 2003年02月, 通常論文
  • 大規模集積回路のシングルイベント効果の研究
    芝田利彦,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • デバイスシミュレーターによるSOI-MOSFETの特性解析
    吉村崇尚,滝沢賢司,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • MNOSトランジスタの放射線照射効果-MNOSトランジスタの試作-
    大井田信也,村瀬祐児,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • 紫外線励起アンモニアガスを用いた酸窒化膜の作製・評価
    森田崇,増田祥,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法で作製した酸化膜の特性
    渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,高田和規,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるシリコン酸化膜の製作と評価-酸化温度依存性-
    柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,高田和規,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • Hf添加によるSi発光素子の作成と評価:Hf膜の分析について
    南卓士,満山弘,松下貴史,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • ポーラスシリコンのフォトルミネセンス特性
    日大理工学術講演会, 2002年11月, 通常論文
  • Total Dose Effect on MIS structures
    K. Ohnishi and Y. Takahashi
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2002年10月, 通常論文
  • 紫外線励起アンモニアガスを用いた酸窒化膜の作製・評価
    森田崇,臼倉一敏,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2002年09月, 通常論文
  • 多孔質シリコンのフォトルミネセンス特性
    松下貴史,満山弘,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2002年09月, 通常論文
  • 耐放射線性MNOSトランジスタ作製に向けたプロセス評価〜MOSFETの試作〜
    大井田信也,中島友樹,成田隆,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2001年11月, 通常論文
  • 紫外線励起アンモニアガスを用いた窒化酸化膜の作製と評価
    森田崇,臼倉一敏,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2001年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法により作製したシリコン酸化膜の熱アニール効果
    渡辺竜太,柴田徹也,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2001年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法によるシリコン酸化膜の製作と評価〜印加周波数依存性〜
    柴田徹也,渡辺竜太,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2001年11月, 通常論文
  • Sn添加シリコン酸化膜のフォトルミネセンス特性
    松下貴史,高木一彦,福永陽介,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2001年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法により作製した酸化膜の熱処理効果
    宮崎俊助,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2001年03月, 通常論文
  • Si-Sn-O構造におけるフォトルミネセンスに関する研究
    齋藤正実,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2001年03月, 通常論文
  • 陽極酸化法により作製した酸化膜の熱処理効果
    宮崎俊助,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2000年11月, 通常論文
  • Si-Sn-O構造におけるフォトルミネセンスに関する研究
    齋藤正実,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2000年11月, 通常論文
  • ポーラスシリコンのフォトルミネセンスに関する研究
    松下貴史,齋藤正実,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2000年11月, 通常論文
  • 耐放射線性MISトランジスタ作製に向けたプロセス評価 〜pnダイオードの試作・評価〜
    大井田信也,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2000年11月, 通常論文
  • 光CVD法によるSIN膜の作製と評価
    菅原隆之,森田崇,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 2000年11月, 通常論文
  • Total Dose Effect of Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
    Y. Takahashi and K. Ohnishi
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 2000年10月, 通常論文
  • 光CVD法により作製したシリコン窒化膜の熱処理効果
    川倉秀雄,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常論文
  • 純水中での陽極酸化法により作製したSiO2膜に関する研究
    伊藤鑑,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の電荷捕獲機構
    宮崎俊助,萩原大門,吉川正人,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1999年11月, 通常論文
  • 光CVD法SiN膜に対するNH3処理の効果
    川倉秀雄,小沢祐介,菅原隆之,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1999年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法により作製したシリコン酸化膜に関する研究
    伊藤鑑,村田誠,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1999年11月, 通常論文
  • Radiation-induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
    Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; and M. Yoshikawa
    International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, 1999年07月, 通常論文
  • MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
    藤巻剛,大西一功,高橋芳浩,吉川正人
    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 1999年03月, 通常論文
  • 耐放射線性MNOS構造の最適膜厚の検討
    藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1998年11月, 通常論文
  • 陽極酸化法により作製したシリコン酸化膜に関する研究
    伊藤鑑,沼尻匡史,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1998年11月, 通常論文
  • Si-Sn-O構造におけるフォトルミネセンスに関する研究
    斎藤正実,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1998年11月, 通常論文
  • Radiation-induced trapped charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor structure
    Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; M. Yoshikawa
    The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, 1998年10月, 通常論文
  • MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
    大西一功,高橋芳浩,藤巻剛,吉川正人
    電子情報通信学会ソサイエティ大会, 1998年09月, 通常論文
  • Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
    高橋芳浩; X.W. Wang; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern
    電子情報通信学会ソサイエティ大会, 1998年09月, 通常論文
  • Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
    高橋芳浩; X.W. Wang; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern
    応用物理学会学術講演会, 1998年09月, 通常論文
  • 耐放射線性MNOS構造の最適膜厚の検討
    藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学会学術講演会, 1998年09月, 通常論文
  • Effect of Process Temperature on SiC MOS Properties
    X.W. Wang; X. Guo; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern; Y. Takahashi
    Conference on Solid State Device and Materials, 1998年09月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中電荷捕獲量評価
    箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    応用物理学関係連合講演会, 1998年03月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法によるγ線照射MNOS構造の絶縁膜中電荷分布評価
    藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1997年11月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中捕獲電荷量評価
    箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1997年11月, 通常論文
  • Electrical Properties and Reliability of Vapor Jet Deposited Oxide on SiC
    X.W. Wang; Y. Takahashi; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern; J.J. Schmitt
    International Conference on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-1997, 1997年09月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中電荷捕獲現象
    箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • 高電界ストレス下におけるMOS構造の酸化膜劣化評価
    小田部昇,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • 高電圧印加時におけるMNOS構造絶縁膜電流
    清水哲,岩谷和紀,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • ICTS法によるMOS, MNOS構造のSi/SiO2界面評価
    四十物邦雄,大西一功,吉川正人,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • Sn添加SiO2膜からの発光現象に関する研究
    吉澤正雄,折出俊彦,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • 多孔質Siにおけるエッチング後のPL特性
    植木剛克,大西一功,高橋芳浩
    日大理工学術講演会, 1996年11月, 通常論文
  • 酸素アニールをしたSn蒸着Siからの可視フォトルミネセンス
    岩本真司,吉澤正雄,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1996年03月, 通常論文
  • NH3アニールしたMOS構造の酸化膜中電荷分布における熱的効果
    今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1996年03月, 通常論文
  • 窒化膜の堆積条件依存性及び二層窒化膜MNOS構造の電荷捕獲特性
    斉藤亮,清水哲,浜田博史,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1996年03月, 通常論文
  • The Change of Depth Profiling of Trapped Charges in Insulator of MIS Structure due to Irradiation
    Yoshihiro Takahashi; Kazunori Ohnishi; Masahito Yoshikawa
    The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, 1996年03月, 通常論文
  • Depth Profiling of Oxide-Trapped Charges in 6H-SiC MOS Structures by Slanted Etching Method
    K. Saitoh; M. Yoshikawa; T. Ohshima; H. Itoh; I. Nashiyama; Y. Takahashi; K. Ohnishi
    Recent Progress in Accelerator Beam Application, 1996年03月, 通常論文
  • フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定 [2]
    山本克美,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法によるSiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価
    斎藤一成,吉川正人,梨山勇,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法によるMNOS構造絶縁膜中電荷分布評価
    箱守厚志,斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • NH3アニールしたMOS構造における酸化膜中電荷分布のγ線照射による変化(ゲート電圧依存性)
    今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • MOSキャパシタの高電界ストレス下におけるC, G-V特性変化
    斉藤俊,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • 製膜条件の異なる窒化シリコン膜の膜質評価
    斉藤亮,清水哲,浜田博史,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • ポーラスSiにおけるエッチング後のレーザ照射効果
    植木剛克,谷本一征,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • SiO2: Sn膜からの可視光発光
    岩本真司,吉澤正雄,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • Si添加SiO2薄膜のフォトルミネセンス
    吉澤正雄,岩本真司,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1995年11月, 通常論文
  • A Slanted Etching Method to Analyze the Trapped Charge Distribution in the Insulators of MIS structures
    K. Ohnishi; Y. Takahashi; S. Imaki; K. Okada; M. Yoshikawa
    International Symposium for Testing and Failure Analysis, 1995年11月, 通常論文
  • フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
    山本克美,大西一功,高橋芳浩,佐藤順平
    電子情報通信学会シリコン材料,デバイス研究会, 1995年05月, 通常論文
  • MNOS構造におけるγ線照射効果(ドーズ量依存性)
    若山広光,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
    応用物理学関係連合講演会, 1995年03月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法によるMNOS構造の絶縁膜中電荷分布評価
    斎藤一成,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
    応用物理学関係連合講演会, 1995年03月, 通常論文
  • Test Structure for Determining the Charge Distribution in the Oxide of MOS Structure
    Yoshihiro Takahashi; Shunsaku Imaki; Kazunori Ohnishi; Masahito Yoshikawa
    International Conference on Microelectronic Test Structures, 1995年03月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
    出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会シリコン材料,デバイス研究会, 1994年11月, 通常論文
  • MIS構造における放射線誘起電流の測定
    小松茂,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 熱CVD窒化膜の膜質変化-流量比依存性
    斉藤亮,清水哲,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 不純物を添加したSiO2膜の評価
    岩本真司,吉澤正雄,中西賢真,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
    山本克美,佐藤順平,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • MNOS構造におけるγ線照射効果(ドーズ量依存性)
    若山広光,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 窒化酸化膜の高電界ストレス耐性
    玉田直子,小田部昇,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • NH3アニールしたMOS構造のγ線照射による酸化膜中電荷分布の変化
    今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜のPMA効果
    大西理雄,出口泰,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 窒化膜を有するMIS構造の電気的特性に及ぼす熱処理効果 (II)
    斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1994年11月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜のPMA効果
    出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1994年09月, 通常論文
  • 窒化膜を有するMIS構造のγ線照射効果に及ぼす熱処理効果
    斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1994年09月, 通常論文
  • NH3アニールしたMOS構造のγ線照射による酸化膜中電荷分布の評価
    今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1994年09月, 通常論文
  • GaAs系進行波型方向性結合器光変調器の構造改善について
    呉志武,高橋芳浩,戸田知朗,多田邦雄
    応用物理学会学術講演会, 1994年09月, 通常論文
  • 対称電極を有するGaAs系進行波型方向性結合器光変調器の試作
    呉志武,高橋芳浩,戸田知朗,多田邦雄
    応用物理学会学術講演会, 1994年09月, 通常論文
  • フラッシュメモリの劣化特性における書き換えパルス条件
    原貴仁,山本克美,山添尚志,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1994年03月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定 (III)
    今木俊作,岡田耕平,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1994年03月, 通常論文
  • 多孔質シリコンの化学エッチング効果
    中西賢真,小川口進,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • 窒素希釈酸化法による高温熱酸化膜の評価
    玉田直子,片岡弘行,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • XPSによる極薄シリコン酸化膜の分析
    芳野光男,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • フラッシュEEPROMの劣化特性
    山本克美,原貴仁,山添尚志,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
    出口泰,森克文,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定
    今木俊作,岡田耕平,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • 窒化膜を有するMIS構造の電気特性に及ぼす熱処理効果
    斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構
    須藤仁介,鈴木康晴,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1993年11月, 通常論文
  • GaAs系進行波型方向性結合器光変調器の高速化について
    呉志武,高橋芳浩,多田邦雄
    応用物理学会学術講演会, 1993年09月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定II
    岡田耕平,今木俊作,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
    応用物理学会学術講演会, 1993年09月, 通常論文
  • 光CVD法によるSiN膜のアニール効果
    森克文,出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1993年09月, 通常論文
  • γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構(III)
    須藤仁介,鈴木康晴,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
    応用物理学会学術講演会, 1993年09月, 通常論文
  • MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
    岡田耕平,今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    電子情報通信学会シリコン材料,デバイス研究会, 1993年07月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
    森克文,出口泰,高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会シリコン材料,デバイス研究会, 1993年07月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
    岡田耕平,千賀裕之,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1993年03月, 通常論文
  • MONOS構造のγ線照射効果
    根本規生,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1993年03月, 通常論文
  • MOS C,G-V特性に及ぼすSi-金属接合の影響
    中西賢真,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の電荷捕獲機構
    朝香勝征,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • MNOS型不揮発性メモリの劣化機構について
    原貴仁,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • 光CVD法によるシリコン窒化膜における酸素混入量の研究
    森克文,出口泰,菊池知之,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • XPSによる極薄シリコン酸化膜の評価
    芳野光男,若山広光,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • XPSによる薄いSiO2膜の膜厚測定
    玉田直子,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • MONOS構造のγ線照射効果
    根本規生,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
    岡田耕平,千賀裕之,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
    日大理工学術講演会, 1992年11月, 通常論文
  • γ線照射によるMNOS構造の電荷捕獲機構 (II)
    朝香勝征,高橋芳浩,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1992年09月, 通常論文
  • GaAs系進行波型方向性結合器型光変調器のクロストーク低減について
    高橋芳浩,呉志武,王明華,多田邦雄
    応用物理学会学術講演会, 1992年09月, 通常論文
  • γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構
    高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
    γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構, 1992年07月, 通常論文
  • γ線照射時のMNOS構造における電荷捕獲機構
    高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
    応用物理学関係連合講演会, 1992年03月, 通常論文
  • Gamma-ray Irradiation Effects in MNOS Structure
    Yoshihiro TAKAHASHI; Kazunori OHNISHI and Katsuyuki ASAKA
    The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, 1992年02月, 通常論文
  • C-t法によるMNOS構造の少数キャリア発生時定数の測定
    松本哲郎,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1991年11月, 通常論文
  • エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
    岡田耕平,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1991年11月, 通常論文
  • MNOS構造のγ線照射効果
    朝香勝征,根本規生,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1991年11月, 通常論文
  • MNOS構造の絶縁膜コンダクタンス評価
    原貴仁,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1991年11月, 通常論文
  • NH3アニールを施したSi酸化膜に対するN2アニールの影響
    相良宏司,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1991年11月, 通常論文
  • MNOS構造のγ線照射効果
    高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1991年10月, 通常論文
  • MNOS構造の絶縁膜コンダクタンス評価
    高橋芳浩,原貴仁,大西一功
    応用物理学会学術講演会, 1991年10月, 通常論文
  • 光ファイバ磁界・電流センサにおける簡易型位相検出方式
    松田安司,七部清人,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1990年11月, 通常論文
  • MOS構造のNH3アニールによるγ線照射効果
    田中雅俊,広瀬禎彦,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1990年11月, 通常論文
  • MOS構造のNH3アニールによるγ線照射効果
    広瀬禎彦,高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会シリコン材料,デバイス研究会, 1990年07月, 通常論文
  • GaAs系進行波形分布結合ガイド光変調器の試作
    林秀樹,高橋芳浩,石川卓哉,多田邦雄
    応用物理学関係連合講演会, 1990年03月, 通常論文
  • MNOS構造のC-V特性周波数依存性に関する考察
    高橋芳浩,大西一功
    電子情報通信学会春季全国大会, 1990年03月, 通常論文
  • GaAs系進行波形分布結合ガイド光変調器の試作
    林秀樹,高橋芳浩,石川卓哉,多田邦雄
    応用物理学会学術講演会, 1989年11月, 通常論文
  • MNOS構造の蓄積層等価回路評価
    高橋芳浩,鶴田浩二,大西一功
    日大理工学術講演会, 1989年11月, 通常論文
  • LCD変調器を用いたファラデー効果測定装置の試作と検討
    松田安司,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1989年11月, 通常論文
  • 希釈酸化による極薄酸化膜の製作と膜評価
    相良宏司,西辺俊彦,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1989年11月, 通常論文
  • 三角形電圧印加時のMNOS構造における捕獲電荷中心測定法
    高橋芳浩,谷口真也,大西一功
    電子情報通信学会春季全国大会, 1989年03月, 通常論文
  • MNOSダイオードのΔVFB特性測定のCAMによる自動化
    三浦克宏,高橋芳浩,大西一功
    日大理工学術講演会, 1988年11月, 通常論文
  • 誘電体装着有限地板上アンテナの放射特性
    高橋芳浩,長谷部望
    電子情報通信学会春季全国大会, 1988年03月, 通常論文
  • 誘電体装着有限地板上アンテナの放射特性
    高橋芳浩,中田久史,長谷部望
    日大理工学術講演会, 1987年11月, 通常論文
  • 有限地板上のモノポールアンテナ放射界と誘電体被膜の効果
    高橋芳浩,長谷部望
    日大理工学術講演会, 1986年11月, 通常論文
  • 可変レフを用いたパッシブテレメトリ(交通流計測)
    高橋芳浩,伊豆徳夫,兼板晃宏,長谷部望
    日大理工学術講演会, 1985年11月, 通常論文

所属学協会

  • 2011年04月 - 現在
    日本信頼性学会
  • 電子情報通信学会
  • 応用物理学会

共同・受託研究希望テーマ

  • 半導体デバイスの耐放射線性強化, 半導体デバイスに対するトータルドーズ効果,シングルイベント効果の耐性強化技術, 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 電界結合による非接触スリップリングの研究
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 2018年04月01日 - 2021年03月31日
    高橋 芳浩; 塩野 光弘; 高野 忠
  • 電界結合による非接触スリップリングの研究
    2018年 - 2020年
  • マイクロ機械/知能エレクトロニクス集積化技術の総合研究
    文部科学省, 私立大学学術フロンティア推進事業, 2004年 - 2008年
  • マイクロテクノロジーによるインテリジェントデバイスの開発
    日本大学理工学部, 日本大学理工学部研究プロジェクト, 2002年 - 2003年
  • 半導体素子の放射線照射効果に関する研究
    日本大学, 日本大学学術研究助成金・一般研究(個人), 2002年 - 2002年
  • マイクロテクノロジーによる機能デバイス開発に関する研究
    日本大学理工学部, 日本大学理工学部研究プロジェクト, 2000年 - 2001年