IKEDA Masanori

Department of Electrical and Electronic EngineeringProfessor

Research Keyword

  • STM
  • oxidation
  • silicon surface
  • 陽極化成
  • Nb2O5
  • Ta2O5
  • Surface Physics
  • Electronic and Electric Materials Engineering

Field Of Study

  • Nanotechnology/Materials, Thin-film surfaces and interfaces, Surface Physics
  • Nanotechnology/Materials, Thin-film surfaces and interfaces, Thin Film and Surface Interface Physical Properties
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering, Electronic and Electric Materials Engineering

Career

  • Apr. 2012 - Present
    Professor
  • Apr. 2006 - Mar. 2012
    Associate Professor
  • Apr. 2002 - Mar. 2006
    Associate Professor
  • Apr. 1995 - Mar. 2002
    Lecturer
  • Apr. 1990 - Mar. 1995
    Research Assistant
  • Apr. 1985 - Mar. 1990
    富士通株式会社

Educational Background

  • 1985
    Nihon University, Graduate School, Division of Science and Engineering, 電子工学
  • 1983
    Nihon University, Faculty of Science and Engineering, Department of Electronic engineering

Member History

  • Jun. 2019 - Present
    幹事, 応用物理学会東北支部
  • May 2017 - Present
    表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会
  • May 2015 - Present
    協議員, 日本表面科学会
  • May 2015 - May 2017
    東北・北海道支部監査, 日本表面科学会
  • May 2013 - May 2015
    産業連携・会員増強委員, 日本表面科学会
  • May 2013 - May 2015
    広報委員, 日本表面科学会
  • May 2013 - May 2015
    副会長, 日本表面科学会
  • May 2013 - May 2015
    常務理事,支部担当理事, 日本表面科学会
  • May 2013 - May 2015
    東北・北海道支部支部長, 日本表面科学会
  • May 2011 - May 2013
    東北・北海道支部副支部長, 日本表面科学会
  • Apr. 1999 - May 2011
    表面科学会東北・北海道支部企画幹事, 日本表面科学会
  • Jul. 2000 - Jun. 2004
    会誌編集委員, 日本表面科学会

Paper

  • Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成
    池田正則,清水博文
    表面科学, Mar. 2012, Not refereed, Invited
    Lead
  • 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    電子情報通信学会誌C, Feb. 2012, Refereed, Not invited
    Lead
  • Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers
    H. Shimizu; S. Shintarou; M. Ikeda
    Applied Physics A, May 2011, Refereed, Not invited
  • Au/PMMA/Ta構造の電流-電圧特性と電気伝導
    池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢,吉沢友和
    日本大学工学部紀要, Mar. 2011, Refereed, Not invited
    Lead
  • 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    日本大学工学部紀要, Mar. 2011, Refereed, Not invited
    Lead
  • Characteristics of Sol-Gel Derived and Crystallized HfO2 Thin Films Dependent on Sol Solution
    H. Shimizu; D. Nemoto; M. Ikeda; and T. Nishide
    Jpn. J. Appl. Phys., Dec. 2010, Refereed, Not invited
  • Irregular Au profile on the SiO2 surface and at the SiO2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface
    H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta
    J. Vac. and Technol., Jan. 2010, Refereed, Not invited
  • Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
    Hirofumi Shimizu; Sadayoshi Shimada; Masanori Ikeda
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, Refereed, Not invited
  • Si(100) - (2×1)表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
    渡邉清人,清水博文,小川修一,高桑雄二:
    表面科学, Dec. 2009, Refereed, Not invited
  • Characterization of Sol-Gel Derived and Crystallized ZrO2 Thin Film
    H. Shimizu; T. Nishide
    Jpn. J. Appl. Phys., Oct. 2009, Refereed, Not invited
  • Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析
    嶋田定剛,清水博文
    日本大学工学部紀要, Sep. 2009, Refereed, Not invited
  • ゾル溶液の違いによるゾル-ゲル法によるHfO2薄膜の評価
    根本大樹,清水博文,西出利一
    日本大学工学部紀要, Sep. 2009, Refereed, Not invited
  • ゾル-ゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセスと評価
    小長井聡,池田正則,清水博文,小山奈美,西出利一
    日本大学工学部紀要, Mar. 2008, Refereed, Not invited
  • Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si(001) surfaces
    H. Shimizu; H. Wakashima; S. Shimada; T. Ishikawa and M. Ikeda
    Surface and Interface Analysis, Jan. 2008, Refereed, Not invited
  • Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si(001) surfaces
    H. Shimizu; H. Wakashima; S. Shimada; T. Ishikawa and M. Ikeda
    Surface and Interface Analysis, Jan. 2008, Refereed, Not invited
  • Effect of Zn on Segregation of ZnO Rich SiO2 Layer and Reduced Oxidation Rate in Thermally Oxidized Si(001)
    H. Shimizu; H. Wakashima; M. Ikeda; and T. Sato
    Jpn. J. Appl. Phys., Dec. 2007, Refereed, Not invited
  • Quantitative Estimation of Aluminum-Induced Negative Charge Region Top Area of SiO2 Based on Frequency-Dependent AC Surface Photovoltage
    H. Shimizu; H. Wakashima; T. Ishikawa; and M. Ikeda
    Jpn. J. Appl. Phys., Nov. 2007, Refereed, Not invited
  • マイクロ波光導電減衰法及び表面光電圧法による熱酸化したAu析出n型Siウェーハの少数キャリアライフタイムの評価
    池田正則,小泉勲,吉田敏之,石川卓磨,清水博文
    日本大学工学部紀要, Sep. 2007, Refereed, Not invited
    Lead
  • Temperature-Programmed Desorption Analyses of Sol-Gel Deposited and Crystallized HfO2 Films
    H. Shimizu; T. Sato; S. Konagai; M. Ikeda; T. Takahashi; and T. Nishide
    Jpn. J. Appl. Phys., Jul. 2007, Refereed, Not invited
  • Analysis of Au/Si Schottky Barrier Type AC Surface Photovoltage in Silicon Wafer Surface Dipped into Au Aqueous Solution
    E. Omori; H. Shimizu; M. Ikeda
    Electronics and Communications in Japan, Part 2, Jun. 2007, Not refereed, Invited
    Corresponding
  • Au析出Si表面におけるショットキー型交流表面光電圧の解析
    大森絵理,清水博文,池田正則
    電子情報通信学会論文誌C, Jul. 2006, Refereed, Not invited
    Corresponding
  • Anomalous Behavior of Schottky Barrier-Type Surface Photovoltages in Chromium-Contaminated N-Type Silicon Wafers Exposed to Air
    Hirofumi Shimizu; Eri Omori; Masanori Ikeda
    Japanese Journal of Applied Physics, Jun. 2006, Refereed, Not invited
  • Quantitative Estimation of the Metal-Induced Negative Oxide Charge Density in N-type Silicon Wafers from Measurements of Frequency-Dependant AC Surface Photovoltage
    H. Shimizu; R. Shin; and M. Ikeda
    Jpn. J. Appl. Phys., Mar. 2006, Refereed, Not invited
  • Behavior of metal-induced negative oxide charges on the surface of n-type silicon wafers using frequency-dependent AC surface photovoltage measurements
    Hirofumi Shimizu; Ryuhei Shin; Masanori Ikeda
    Japanese Journal of Applied Physics, Jun. 2005, Refereed, Not invited
  • Auger electron spectroscopy and electron energy loss spestroscopy studies on carbonization of Si(100) and (111) surfaces with ethylene
    Chinthaka K. Wijesinghe,M. Ikeda,N. Nagashima
    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2003, Refereed, Not invited
  • Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface
    M Shimomura; M Munakata; A Iwasaki; M Ikeda; T Abukawa; K Sato; T Kawawa; H Shimizu; N Nagashima; S Kono
    SURFACE SCIENCE, Apr. 2002, Refereed, Not invited
  • Scanning Tunneling Microscopy of si(100)-c(4x4) reconstructed structure formed by ethylene exposure
    M.Ikeda; N.Nagashima
    Japanese Journal of Applyed Physics, 2001, Refereed, Not invited
    Lead
  • Effect of Metals on Growth of Native Oxide on Silicon(001)Surfaces
    Hirofumi Shimizu; Masanori Ikeda; Naoyuki Nagashima
    日本大学工学部紀要, Sep. 2000, Refereed, Not invited
  • Observation of a Si(001) surface by means of a scanning tunneling mlcroscope
    宮崎 淳; 岩崎 明弘; 池田 正則
    日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited
  • An XPS study of Si(111) surface reacted with C2H4
    湊 壮史; 池田 正則; 長嶋 直之
    日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited
  • A study of Si(111)surface exposed to C2H4 by LEED and AES
    小田原 宏樹; 池田 正則; 長嶋 直之
    日本大学工学部紀要, 2000, Refereed, Not invited
  • Behavior of Fluorine on Silicon(100)Surfaces Etched with NH4F Aqueous Solutions(共著)
    M.Ikeda; S. Iwamoto; N. Nagashima
    Electronics and Communications in Japan, Part 2, 2000, Not refereed, Invited
    Lead
  • Behavior of Fluorine on the Si(100) Sunfaces Etched by NH4F Aqueous Solution
    池田正則,岩本幸也,長嶋直之
    電子情報通信学会論文誌C-Ⅱ, 1999, Refereed, Not invited
    Lead
  • Reaction of Si(100) surfaces with C2H4 : XPS and LEED studies(共著)
    M. Ikeda; T. Maruoka; N. Nagashima
    Surface Science, 1998, Refereed, Not invited
    Lead
  • Effect of Heat Treatments on the Oxygen Adsorbed on Si(100)Surface
    Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
    Journal of The Surface Science Society of Japan, 1997, Refereed, Not invited
  • Electric Charge Accumulation of Thermally Oxidized Si Surfaces for X-Ray Photoelectron Spectroscopy Measurement
    池田正則,Teguh Rusyanto,長嶋直之
    The Journal of The College of Engineering Nihon University, 1997, Refereed, Not invited
    Lead
  • Surface Cleaning of Silicon Single Crystals in Ultra High Vacuum
    Teguh Rusyanto; M. Ikeda; N. Nagashima
    THE JOURNAL OF THE COLLEGE OF ENGINEERING NIHON UNIVERSITY Series A, 1995, Refereed, Not invited
  • Quantitative Estimation of F and O on Si(100) Surfaces Dipped in Aqueous Solution of HF
    尾吹友晴,Teguh Rusyanto; 池田正則,長嶋直之
    THE JOURNAL OF THE COLLEGE OF ENGINEERING NIHON UNIVERSITY Series A, 1994, Refereed, Not invited
  • An XPS Study of F and O on the Si(100) Surfaces Dipped in Aqueous Solution of HF
    池田正則,Teguh Rusyanto; 長嶋直之
    Journal of the Surface Science Society of Japan HYOMEN KAGAKU, 1994, Refereed, Not invited
    Lead
  • Stup of X-ray Photoelectron Spectrometer and Studies of Acid Treated Si Surfaces
    池田正則,井上達也,長嶋直之
    The Journal of The College of Engineering Nihon University, 1992, Refereed, Not invited
    Lead
  • GIANT RESISTIVITY ANOMALY IN A15 NB-3(GE,SI) SUPERCONDUCTIVE FILMS WITH COMPOSITIONALLY MODULATED SUPERSTRUCTURE
    H YAMAMOTO; M IKEDA; M TANAKA
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985, Refereed, Not invited

Books and other publications

  • 導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
    池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
    Sep. 2009, Not refereed
  • 基礎からの半導体工学
    清水博文; 星陽一; 池田正則, Joint work, 清水博文,星陽一,池田正則
    日新出版, Apr. 2003, Not refereed

Lectures, oral presentations, etc.

  • ★真空中でアニールしたSi/Al/SiO2構造の交流表面光電圧測定
    永留 唯瑛,池田正則
    令和2年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2021, 日本表面真空学会東北・北海道支部, Not invited
  • MIC法により結晶化したSi薄膜の交流表面光電圧
    畚野梓; 池田正則
    2023年(令和5年)応用物理学会東北支部第78回学術講演会, Dec. 2023, Not invited
  • Si薄膜結晶化過程における交流表面光電圧変化
    畚野梓; 池田正則
    2023年度電気関係学会東北支部連合大会, Sep. 2023, Not invited
  • Al,Au/Ta2O5/Ta 構造における電気伝導機構
    伊藤匠生,池田正則
    2022年(令和4年)応用物理学会東北支部第77回学術講演会, Dec. 2022, 応用物理学会東北支部, Not invited
  • Al,Au/Ta2O5/Ta 構造の電気特性評価
    伊藤匠生,池田正則
    令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, Oct. 2022, 日本金属学会東北支部, Not invited
  • Si 薄膜の⾦属誘起結晶化過程における交流表⾯光電圧変化
    畚野梓,池田正則
    令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会, Oct. 2022, 日本金属学会東北支部, Not invited
  • 陽極化成Ta2O5薄膜における電気伝導機構
    伊藤匠生,池田正則
    2022年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2022, 2022年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 交流表面光電圧法による金属誘起結晶化過程における層交換の検出
    永留 唯瑛,池田正則
    2021年(令和3年)応用物理学会東北支部第76回学術講演会, Dec. 2021, 応用物理学会東北支部, Not invited
  • 学生実験における統合的システムの構築
    遠藤 拓,道山 哲幸,石川 瑞恵,羽田野 剛司,池田 正則
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2019, 応用物理学会, Not invited
  • Al誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
    池田 正則,高野 隆盛
    令和元年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2019, 電気関係学会東北支部連合事務局, Not invited
  • 学生実験におけるレポート作成技術向上を目指した総括的システムの構築
    遠藤拓,道山哲幸,石川瑞恵,羽田野剛司,池田正則
    2019年度ICT利用による教育改善研究発表会, Aug. 2019, 公益社団法人 私立大学情報教育協会, Not invited
  • 金属誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
    池田正則,高野隆盛
    2018年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2018, Not invited
  • MIC法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
    高野 隆盛; 池田 正則
    2017年(平成29年)応用物理学会東北支部第72回学術講演会, Nov. 2017, 応用物理学会東北支部, Not invited
  • O2暴露により生じるSi(100)-(2×1)表面構造変化の温度依存性
    菅野 陽介,池田正則
    2017年真空・表面合同講演会第37回表面科学学術講演会, Aug. 2017, 表面科学会, Not invited
  • 走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)-(2×1)表面の初期酸化過程観察
    菅野陽介,池田正則
    平成28年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2017, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したSiにおける酸化膜電荷の評価
    渡邉宣之,池田正則
    2016年真空・表面合同講演会第36回表面科学学術講演会, Nov. 2016, 表面科学会, Not invited
  • MWT型セル用単結晶シリコンウェハのレーザ穴明け加工
    小林翼,小野裕道,三瓶義之,大野仁嗣,高島康文,渋川達弘,池田正則,望月敏光,木田康博,白澤勝彦,高遠秀直
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2016, 応用物理学会, Not invited
  • スパッタ法で形成したシリコン薄膜の表面光電圧測定
    高野隆盛,池田正則
    平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2016, 電気関係学会東北支部, Not invited
  • 交流表面光電圧法を用いたSi極薄酸化膜中に生成する電荷量の評価
    渡邉 宣之,池田 正則
    平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2016, 電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 表面光電圧法による半導体表面・薄膜の評価
    池田正則
    平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2016, 日本表面科学会東北・北海道支部, Invited
  • Au蒸着Si(100)-(2×1)表面のSTM観察
    佐藤大高,池田正則
    平成26年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2015, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • STMによるSi(100)-(2×1)表面におけるラングミュア型吸着酸化過程の研究
    佐藤大高,池田正則
    平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2014, 電気関係学会東北支部, Not invited
  • Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
    高橋尚樹,池田正則
    平成26年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2014, 電気関係学会東北支部, Not invited
  • Si(100)-(2×1)表面における初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察
    佐藤大高,池田正則
    平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2014, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
    高橋尚樹,池田正則
    平成25年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2014, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • Si表面における極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
    高橋尚樹,池田正則
    平成26年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2014, 東北地区若手研究者研究発表会, Not invited
  • Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
    油座大夢,池田正則
    日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, Nov. 2013, 日本表面科学会, Not invited
  • 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
    葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    日本表面科学会第33回表面科学学術講演会, Nov. 2013, 日本表面科学会, Not invited
  • C会場 8月22日(木)10:30~12:00 <半導体・集積回路(1)>
    (座長)池田正則
    平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
  • C会場8月22日(木)10:30~12:00 <半導体・集積回路(1)>
    座長; 池田正則
    平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
    葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化と酸化膜成長への影響
    油座大夢,池田正則
    平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2013, 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    葛生一馬,池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2013, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • Au析出によるn型Si(100)表面電位の変化とAuの挙動
    油座大夢,池田正則
    平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2013, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • Fe汚染して熱酸化したn型Si表面におけるFeの挙動
    萩原寛幸,清水博文,池田正則
    第32回表面科学学術講演会, Nov. 2012, 日本表面科学会, Not invited
  • 交流光電圧法によるFe及びCr汚染したSiウェーハにおける少数キャリア寿命評価
    板野純希,清水博文,池田正則
    第32回表面科学学術講演会, Nov. 2012, 表面科学会, Not invited
  • H会場 8月31日(金)15:15~16:45 <半導体・集積回路(2)>
    (座長)池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Au析出によるn型Si(100)表面ポテンシャルの変化とAuの挙動
    油座大夢,清水博文,池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
    板野純希,清水博文,池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    葛生一馬; 清水博文; 高松弘之; 迫田尚和,池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるSi(100)表面におけるFeの挙動と負電荷の誘起
    萩原寛,清水博文,池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • H会場8月31日(金)15:15~16:45 <半導体・集積回路(2)>
    座長; 池田正則
    平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2012, 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会, Not invited
  • 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    葛生一馬,清水博文,高松弘之,迫田尚和,池田正則
    福島県ハイテクプラザ研究成果発表会, Jul. 2012, 福島県ハイテクプラザ, Not invited
  • 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    葛生一馬,清水博文,高松弘行,迫田尚和,池田正則
    Cat-CVD研究会第9回研究集会, Jun. 2012, Cat-CVD研究会, Not invited
  • 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
    平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会, Mar. 2012, 日本表面科学東北・北海道支部, Not invited
  • 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和:
    平成23年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2011, 電気関係学会東北支部, Not invited
  • Metal-Induced Negative Charge Detected by Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Fe-contaminated n-Type Silicon Wafers
    H. Shimizu; T. Otsuki; and M. Ikeda
    E-MRS 2011 Spring Meeting, May 2011, Not invited
  • ポリビニルカルバゾール薄膜の電気的特性と光照射による変化
    板野 純希; 石崎 裕樹; 末永 勝也,池田 正則,清水 博文
    平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited
  • 熱酸化したFe汚染n型Siの交流表面光電圧による金属誘起負電荷の評価
    萩原 寛幸,加藤 悟,清水 博文,池田 正則
    平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited
  • Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
    眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
    平成23年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2011, Not invited
  • Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊
    眞田 悠司; 清水 博文; 池田 正則
    平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2011, 日本表面科学会東北・北海道支部, Not invited
  • PMMAおよびPVCz薄膜の電気的特性の研究
    池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢
    平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited
  • 非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited
  • I会場:半導体・集積回路(1)
    (座長)池田正則
    平成22年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2010, Not invited
  • Photon-assisted surface photovoltage in thermally oxidized metal-contaminated n-type silicon wafers
    H. Shimizu; S. Nagase; and M. Ikeda
    7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, Aug. 2010, Not invited
  • PEDT/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
    生田目大輔,清水博文,北村武久,飯田和幸
    応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nbキャパシタ構造における電気伝導機構,
    天野洋,清水博文,北村武久,飯田和幸
    応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited
  • 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面における酸化膜負電荷の解析,
    大槻智大,清水博文
    応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited
  • 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価,
    長瀬慎太郎,清水博文
    応用物理学会東北支部第64回学術講演会, Dec. 2009, Not invited
  • 熱酸化したSb汚染p型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価
    牟田壮志郎,清水博文
    応用物理学会東北支部第64回学術講演, Dec. 2009, Not invited
  • PEDT/Ta2O5/Ta構造における電気的特性
    生田目大輔; 清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
    2009年電気化学秋季大会, Sep. 2009, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb 構造における電気的特性の温度依存性と電気伝導機構,
    天野洋,清水博文; 丸山雅義; 北村武久; 飯田和幸
    2009年電気化学秋季大会, Sep. 2009, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したFe汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
    大槻智大,清水博文
    第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited
  • 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面におけるCrの挙動
    長瀬慎太郎,清水博文
    第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したP汚染及びSb汚染p型Siにおける酸化膜電荷の評価
    牟田壮志郎,清水博文
    第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited
  • 非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
    清水博文,高松弘行,迫田尚和
    第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Not invited
  • 導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
    池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
    電解蓄電器評論, Sep. 2009, Invited
  • Analyses of Desorbed H2O with Temperature Programmed Desorption Technique in Sol-Gel Derived HfO2 Thin Films
    H. Shimizu; D. Nemoto; T. Nishide :
    16th International Conference on Thermal Engineering and Thermogrammetry, Budapest, HUNGARY., Jul. 2009, Not invited
  • Si(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
    渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • 熱酸化したFe故意汚染n型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
    大槻智大,清水博文,池田正則
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすCrの影響
    長瀬慎太郎,清水博文,池田正則
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響
    牟田壮志郎,清水博文,池田正則
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性
    生田目大輔,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸:
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造における電流-電圧特性の温度依存性と電気伝導機構
    天野洋,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
    応用物理学会東北支部第63回学術講演会, Dec. 2008, Not invited
  • ラングミュア型吸着温度領域におけるSi(100)-(2x1)表面初期酸化過程のSTM観察
    渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
    第28回表面科学講演大会, Nov. 2008, Not invited
  • Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces,
    H. Shimizu; S. Shimada; S. Nagase; S. Muta and M. Ikeda
    AVS 55th International Symposium & Exhibition, Oct. 2008, Not invited
  • 熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動(その2)
    嶋田定剛,清水博文,池田正則
    第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited
  • 昇温脱離法によるゾル-ゲル法により作製したHfO2膜内のH2Oの解析
    根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
    第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited
  • 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価,
    池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    第69回応用物理学会学術講演会, Sep. 2008, Not invited
  • 陽極化成Nb2O5薄膜の電気的特性と電気伝導機構
    天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
    平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited
  • 高分子導電膜/Ta2O5/Taキャパシタ構造における電気的特性の温度依存性
    生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,濱良樹,北村武久,柴崎陽子,飯田和幸
    平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited
  • Auによるn型Si(100)表面における熱酸化膜成長の増速
    牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
    平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited
  • Au故意汚染して熱酸化したn型Si(100)表面におけるAuの分布
    長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
    平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるn型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析
    大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成20年度電気関係学会東北支部連合大会, Aug. 2008, Not invited
  • ゾル-ゲル法により作製したHfO2膜の特性評価
    根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
    第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited
  • ラングミュア型吸着温度領域におけるO2暴露したSi(100)-(2×1)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
    渡邉清人,池田正則,清水博文,小川修一,高桑雄二
    第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited
  • 熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動
    嶋田定剛,清水博文,池田正則
    第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited
  • 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面の交流表面光電圧評価
    大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2008, Not invited
  • 熱酸化したAu汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動と熱酸化膜成長
    長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
    平成19年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2008, Not invited
  • 導電性高分子膜/Ta2O5/Taおよび金属/Ta2O5/Ta構造における電気伝導
    池田正則,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
    平成19年度第3回機能性高分子コンデンサ研究会, Mar. 2008, Not invited
  • 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性に関する研究
    生田目大輔,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • 陽極化成Nb2O5薄膜の電流-電圧特性と電気伝導機構に関する研究
    天野洋,柳沼寛寿,池田正則,清水博文,*遠藤英治,*濱良樹,*北村武久,*柴崎陽子,*飯田和幸
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • ゾル-ゲル法により作製した高誘電率HfO2膜の特性評価
    根本大樹,清水博文,池田正則,西出利一
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • Fe汚染して熱酸化したn型Si(100)表面における交流表面光電圧評価
    大槻智大,石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • Au汚染したn型Si(100)表面における熱酸化膜成長
    牟田壮志郎,長瀬慎太郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • Au汚染して熱酸化したn型Si(100)のSiO2/Si内におけるAuの分布
    長瀬慎太郎,牟田壮志郎,嶋田定剛,清水博文,池田正則
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • Si(100)表面における熱酸化膜中のAuの挙動に関する研究
    嶋田定剛,長瀬慎太郎,牟田壮志郎,清水博文,池田正則
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-(2×1)表面の初期酸化過程の研究
    渡邉清人,池田正則,清水博文
    平成20年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2008, Not invited
  • 交流表面光電圧法を用いたAl-rich SiO2層のSi表面ポテンシャルに及ぼす影響の評価
    石川卓磨,清水博文,池田正則,若島裕也
    第27回表面科学講演大会, Nov. 2007, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造における電流-電圧及び容量-電圧特性の温度依存性(その2)
    柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
    2007年電気化学秋季大会, Sep. 2007, Not invited
  • Au汚染したSi(100)表面における熱酸化膜成長とAuの挙動
    池田正則,若島裕也,石川卓磨,清水博文
    第68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2007, Not invited
  • Au / N-Type Si Schottky-Barrier Contact and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized N-type Si(100) Surfaces
    H. Shimizu; H. Wakashima; Y. Shimada; T. Ishikawa; and M. Ikeda
    12th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA ’07), Sep. 2007, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nbキャパシタにおける電気的特性の温度依存性と電気伝導機構
    柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
    第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの解析
    石川卓磨,清水博文,池田正則
    第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
    嶋田定剛,石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited
  • ゾル-ゲル法により作製したHfO2膜の物性評価
    根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited
  • 一般講演セッション
    平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, Mar. 2007, Not invited
  • 陽極化成Nb2O5薄膜における電気的特性の温度依存性
    柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
    平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited
  • ゾル-ゲル法により作製したHfO2膜の物性及び電気的特性
    根本大樹,鈴木裕也,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited
  • 熱酸化したAl汚染n型Si表面におけるAl原子の挙動
    石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルに関する研究
    嶋田定剛,田中健,石川卓磨,清水博文,池田正則
    平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited
  • 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(100)-c(4×4)表面の初期酸化過程の研究
    渡邉清人,平石敬幸,池田正則,清水博文
    平成19年東北地区若手研究者研究発表会, Mar. 2007, Not invited
  • ゾルーゲル法によるZrO2膜におけるゾル作製プロセスと膜特性の関係
    小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • ゾルーゲル法によるHfO2膜の物性と電気的特性の評価
    根本大樹,小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • Zn汚染及びAl汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長機構
    若島裕也,清水博文,池田正則
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの評価
    石川卓磨,清水博文,池田正則
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電気的特性と電気伝導機構
    柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,北村武久,飯田和幸
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • セッションB-2 半導体AⅡ,半導体B
    応用物理学東北支部第61回学術講演会, Dec. 2006, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造における電流-電圧及び容量-電圧特性の温度依存性
    柳沼寛寿,池田正則,清水博文,遠藤英治,柴崎陽子,濱良樹,飯田和幸
    2006年電気化学秋季大会, Sep. 2006, Not invited
  • 学生実験における各種学生情報の効率的収集・管理・開示システムの構築
    遠藤拓,杉浦義人,上田剛,池田正則
    平成18年度大学教育・情報戦略大会, Sep. 2006, Not invited
  • Si(100)面上に形成したゾルーゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセス及び評価
    小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    第67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造の電気的特性の温度依存性
    池田正則,柳沼寛寿,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,遠藤英治,飯田和幸
    第67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006, Not invited
  • Analyses of Au/Si Schottky Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in N-type Silicon Wafers Rinsed in Au Aqueous Solution
    H. Shimizu; E. Omori and M. Ikeda
    The 209th Meeting of the Electrochemical Society, May 2006, Not invited
  • Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長
    若島裕也,清水博文,池田正則
    第53回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造の電気伝導機構の解析
    池田正則,柳沼寛寿,佐藤裕史,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
    平成17年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2006, Not invited
  • ゾルーゲル法によるZrO2膜の作製と物性及び電気的特性の評価
    小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の解析
    石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
    平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited
  • Au/Nb2O5/Nb構造の低温における電流-電圧特性
    柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,飯田和幸,遠藤英治,濱良樹,柴崎陽子
    平成18年東北地区若手研究者研究発表会, Feb. 2006, Not invited
  • ゾルーゲル法によるZrO2膜の物性と電気的特性の評価
    小長井聡,清水博文,池田正則,西出利一
    応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited
  • Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜の成長機構とkinetics
    若島裕也,清水博文,池田正則
    応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited
  • 交流表面光電圧法による熱酸化したAi汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価
    石川卓磨,大森絵理,清水博文,池田正則
    応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited
  • セッションA-7 半導体BⅡ
    応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited
  • 陽極化成Nb2O5膜の電気的特性の温度依存性
    柳沼寛寿,佐藤裕史,池田正則,清水博文,柴崎陽子,濱良樹,遠藤英治,飯田和幸
    応用物理学東北支部第60回学術講演会, Dec. 2005, Not invited
  • 導電性高分子(PEDT)/Ta2O5/Taの電流-電圧特性
    佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
    2005年電気化学秋季大会, Sep. 2005, Not invited
  • Au水溶液浸漬したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成
    池田正則,大森絵理,清水博文
    第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるAu/Siショットキー障壁の解析
    大森絵理,清水博文,池田正則
    電気学会A部門大会, Aug. 2005, Not invited
  • Si(100)表面における極薄酸化膜の成長に及ぼすZnの影響
    若島裕也,清水博文,池田正則,佐藤拓
    電気学会A部門大会, Aug. 2005, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるCr汚染したSi表面ポテンシャルの解析
    大森絵理,清水博文,池田正則
    応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited
  • 陽極化成法により形成したNb2O5薄膜の電気的特性に関する研究
    佐藤裕史,池田正則,清水博文,遠藤英治,西村成興,濱良樹,飯田和幸
    第52回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited
  • Ta電解コンデンサ素子における電流-電圧特性の解析
    佐藤裕史,池田正則,清水博文,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
    平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるAu析出させたSi表面のポテンシャルに関する研究
    大森絵理,清水博文,池田正則
    平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited
  • 招待講演I-2
    平成16年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2005, Not invited
  • Ta電解コンデンサ素子における電気伝導機構の解析
    佐藤裕史,清水博文,池田正則,遠藤英治,西村成興,飯田和幸
    応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited
  • 高集積化シリコンデバイスにおけるゲート絶縁膜対応HfO2膜の基礎解析
    佐藤拓,清水博文,池田正則,高橋知子,西出利一
    応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるSi表面の電荷解析
    大森絵理,清水博文,池田正則
    応用物理学東北支部第59回学術講演会, Dec. 2004, Not invited
  • 携帯情報端末を用いた学生実験レポート管理環境の構築
    遠藤拓,池田正則,上田剛,杉浦義人
    平成16年度大学情報化全国大会(社団法人 私立大学情報教育協会), Sep. 2004, Not invited
  • Determination of the Aluminum-Induced Oxide Charge by AC Surface Photovoltage Measurements in N-Type Silicon
    H. Shimizu; M. Ikeda and R. Shin
    Electrochemical Society, Apr. 2003, Not invited
  • 陽極化成Nb2O5薄膜の容量-電圧及び電流-電圧特性
    菅野不二男,池田正則,清水博文,西村成興,遠藤英治,百生秀人,本田光利
    平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2003, Not invited
  • 一般講演セッション
    平成14年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2003, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるn形Si表面のAl誘起酸化膜電荷の解析
    清水博文,進竜平,池田正則,棟方忠輔
    第50回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2003, Not invited
  • 走査型トンネル顕微鏡によるCu吸着したSi(111)-(7×7)表面の研究
    佐藤黄菜,清水博文,池田正則,長嶋直之
    応用物理学会東北支部第57回学術講演会, Dec. 2002, Not invited
  • 金属不純物汚染したSiウェハー表面の交流表面光電圧法による酸化膜電荷の解析
    進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
    応用物理学会東北支部第57回学術講演会, Dec. 2002, Not invited
  • Al汚染したSi(001)表面における低温酸化膜成長
    池田正則,清水博文,長嶋直之
    第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるAl汚染したn型Si表面の酸化膜電荷の研究
    進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
    第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002, Not invited
  • XPS/STMによるC2H4吸着Si(111)7×7表面の研究
    池田正則,佐藤黄菜,清水博文,長嶋直之
    平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2002, Not invited
  • 交流表面光電圧法によるFe及びAl不純物汚染したSi結晶の酸化膜電荷に関する研究
    進竜平,清水博文,池田正則,棟方忠輔,長嶋直之
    平成13年度日本表面科学会東北支部講演会, Mar. 2002, Not invited
  • Al汚染したSi表面における酸化膜成長
    小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
    応用物理学会東北支部第56回学術講演会, Dec. 2001, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(111)表面のXPS/LEED解析
    池田正則,清水博文,長嶋直之
    平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited
  • Si(001)表面におけるC2H4吸着の走査型トンネル顕微鏡観察
    佐藤黄菜,池田正則,清水博文,長嶋直之
    平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited
  • Si(001)表面の酸化膜成長に及ぼす微量Al不純物の影響
    小島敏志,池田正則,清水博文,長嶋直之
    平成13年度化学工学会神奈川大会, Aug. 2001, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(100)表面のSTM観察
    平成11年度日本表面科学会東北支部講演会, 2000, Not invited
  • C2H4吸着Si(001)表面のSTM観察
    第47回応用物理学関係連合講演会, 2000, Not invited
  • オージェ電子分光法によるC2H4を反応させたSi(001)表面の研究(共著)
    第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited
  • Alを故意汚染したSi(001)表面の熱酸化膜成長と酸化膜電荷に関する研究(共著)
    第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited
  • LEED/AESによるC2H4暴露したSi(111)表面の研究(共著)
    第55回応用物理学会東北支部学術講演会, 2000, Not invited
  • C2H4とSi(111)表面の反応における温度依存性の研究(共著)
    第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited
  • 走査型トンネル顕微鏡によるC2H4吸着Si(001)表面の研究(共著)
    第43回日本大学工学部学術研究報告会, 2000, Not invited
  • Effect of Al on Oxide Growth and Oxide Charges in Silicon Wafers(共著)
    The Electrochemical Society 198th Meeting, 2000, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究(共著)
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999, Not invited
  • C2H4暴露したSi(001)表面のSTM観察(共著)
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999, Not invited
  • C2H4暴露Si(100)-c(4x4)表面の研究
    第60回応用物理学会学術講演会, 1999, Not invited
  • 室温でC2H4暴露したSi(111)表面のXPSによる研究
    第60回応用物理学会学術講演会, 1999, Not invited
  • C2H4を吸着させたSi(111)表面のXPS/LEEDによる研究
    応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999, Not invited
  • 室温にてC2H4暴露したSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
    応用物理学会東北支部第54回学術講演会, 1999, Not invited
  • C2H4との反応によるSi(001)-C(4x4)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
    第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited
  • C2H4を吸着させたSi(001)表面の走査型トンネル顕微鏡観察
    第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited
  • C2H4を吸着させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究
    第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited
  • 低速電子線回折法及びオージェ電子分光法によるC2H4暴露したSi(111)表面の研究
    第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited
  • 清浄Si表面の初期酸化過程の研究
    第42回日本大学工学部学術研究報告会, 1999, Not invited
  • C2H4との反応によるSi(100)表面の初期炭化過程の研究
    平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(100)表面の研究
    平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited
  • 陽極酸化Ta2O5膜における電気的特性の温度依存性
    平成9年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited
  • XPS/LEEDによるC2H4暴露したSi(100)表面の研究
    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究(共著)
    日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited
  • C2H4を反応させたSi(100)表面とSi(111)表面の比較(共著)
    日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited
  • C2H4暴露したSi(111)表面の低速電子線回折およびオージェ電子分光法による研究(共著)
    日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited
  • 走査トンネル顕微鏡によるSi単結晶の表面観察(共著)
    日本大学工学部第41回学術研究報告会予稿集, 1998, Not invited
  • C2H4暴露したSi(100)表面のSTM観察(共著)
    平成10年度日本表面科学会東北支部講演会講演予稿集, 1998, Not invited
  • M(Au,Al)/Ta2O5/Ta構造における電流-電圧および容量-電圧特性の温度依存性
    第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997, Not invited
  • 清浄Si(100)表面の初期酸化過程の研究
    平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997, Not invited
  • NH4F水溶液に浸漬したSi(100)表面の研究
    第44回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1997, Not invited
  • Metal/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性
    平成9年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 1997, Not invited
  • NH4F水溶液浸漬Si(100)表面のFの挙動
    第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997, Not invited
  • M(Au,Ae)/Ta2O5/Ta構造におけるI-V,およびC-V特性の温度依存性(その2)
    第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1997, Not invited
  • 低暴露領域におけるSi(100)表面への酸素吸着
    第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996, Not invited
  • XPSによるSi(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化
    第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996, Not invited
  • C2H4暴露した清浄Si(100)表面の研究
    応用物理学会東北支部第51回学術講演会予稿集, 1996, Not invited
  • AN XPS STUDY OF THE Si(100) SURFACE EXPOSED TO O2
    9th International Conference on Solid Surface (ICSS-9), 1995, Not invited

Affiliated academic society

  • 応用物理学会
  • 日本表面科学会
  • 電子情報通信学会

Research Themes

  • 負誘電率周波数帯の表面電磁波共鳴を用いたテラヘルツイメージングの研究
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025
    四方 潤一; 池田 正則; 大野 誠吾
  • Super-resolution three-dimensional terahertz imaging using doubly resonant terahertz-wave resonators
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, 01 Apr. 2019 - 31 Mar. 2022
    SHIKATA Jun-ichi

Industrial Property Rights

  • 特許第5091795号, 特願2008-201099, シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価装置
    清水博文

Others

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