清水 耕作
| 生産工学部 電気電子工学科 | 教授 |
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研究活動情報
論文
- Electric and Magnetic Properties of BiFe1-xMnxO3 Thin Films and CaFeOx/BiFe1-xMnxO3 Superlatticies
T. Inaba; Y. Watabe; K. Oshima; C. Wang; S. Ohashi; H. Song; H. Matsuyama; T. Nagata; T. Hashimoto; K. Takase; H; Ishida; Y. Takano; K.Shimizu; H. Yamamoto; and N. Iwata
Trans. Mat. Res. Soc. Japan., 2016年, 査読有り, 通常論文 - EXAFS study on poly-Si1-xGex films prepared by reactive thermal CVD method
Masatoshi Wakagi; Yoshiki Yonamoto; Kiyoshi Ogata; Kousaku Shimizu; Jun-ichi Hanna
Journal of Non-Crystalline Solids, 2006年05月, 査読有り, 通常論文 - Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC
Jeong-woo Lee; Kousaku Shimizu and Jun-ichi Hanna
Solid State Phoenomena, 2004年10月, 査読有り, 通常論文 - Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC
Jeong-woo Lee; Kousaku Shimizu; Jun-ichi Hanna
Solid State Phoenomena, 2004年10月, 査読有り, 通常論文 - Post hydrogenation effect by hot wire method on poly-crystalline silicon based devices
Kousaku Shimizu; Noriyoshi Kohama; Tadaaki Tani and Jun-ichi Hanna
J. Non-Cryst. Sol., 2004年08月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - High mobility top-gate thin film transistors fabricated with poly-Si1-xGex thin films on glass substrate
Jianjun Zhang; Kousaku Shimizu; and Jun-ichi Hanna
J. Non-Cryst. Sol, 2004年08月, 査読有り, 通常論文 - Deposition of high crystallinity poly-Si films on glass substrate and fabrication of high mobility bottom-gate TFT
Jeong-woo Lee; Kousaku Shimziu; and Jun-ichi Hanna
J. Non-Cryst. Sol., 2004年05月, 査読有り, 通常論文
筆頭著者 - Ni-seeding effects on the properties of polycrystalline silicon germanium grown at low temperature
Jianjun Zhang; Kousaku Shimizu; and Jun-ichi Hanna
Appl. Phys. Lett., 2003年10月, 査読有り, 通常論文 - 反応性熱ＣＶＤ法による多結晶Si1-xGex薄膜の低温堆積とTFTへの応用
清水耕作、張建軍、半那純一
電子情報通信学会論文誌, 2003年08月, 査読無し, 通常論文
筆頭著者 - 反応性熱CVD法による薄膜と多結晶 Si1-xGex薄膜の低温堆積とTFTへの応用
半那純一、清水耕作、張建軍
応用物理学会誌, 2002年10月, 査読無し, 通常論文 - 酸化還元反応による多結晶シリコンゲルマニウムの低温成長
J-Hanna
J. Organo.Met. Chem., 2002年03月, 査読有り, 通常論文 - Low Temperature poly-Si1-xGex Deposited by Reactive Thermal CVD for Thin Film Transistor Application
Jianjun Zhang; Kousaku Shimizu; and Jun-ichi Hanna
J. Non-Cryst. Sol., 2002年02月, 査読有り, 通常論文 - 多結晶シリコン膜の低温堆積技術 -反応性熱CVD法の開発
半那純一、清水耕作
化学と工業, 2001年10月, 査読無し, 通常論文
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- H-W法による原子状酸素処理の非晶質In-Sn-Zn-O薄膜トランジスタへの信頼性評価
玉井隆一; 清水耕作
薄膜材料デバイス研究会, 2022年11月, 薄膜材料デバイス研究会, 通常論文 - p型二硫化モリブデンTFTの原子状酸素処理及びアニール処理による特性改善
荒井大地; 清水耕作
薄膜材料デバイス研究会, 2022年11月, 薄膜材料デバイス研究会, 通常論文 - 原子状水素によるMg₂Siの熱電性能向上化について
吉留孝尭; 清水耕作
日本大学生産工学部学術講演会, 2021年12月, 日本大学, 通常論文 - 原子状水素化処理、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
鈴木貴祐、清水耕作
第16回 薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール, 2019年11月, TFMD, 通常論文 - IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価
遠藤汰紀、清水耕作
第16回 薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール, 2019年11月, TFMD, 通常論文 - In-Sn-Zn-Oのホットワイヤ水素化とアニールによるTFT信頼性評価
清水 耕作
第66回 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 応用物理学会, 通常論文 - Hot-wire hydrogenation for improvement of NBIS reliability of In-Sn-Zn-O thin film transistors
Kousaku Shimizu
30th International Conference on Defects in Semiconductors, 2019年07月, ICDS30, 通常論文 - 原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
鈴木貴祐、清水 耕作
第16回 Cat-CVD研究会, 2019年07月, CatCVD研究会, 通常論文 - In-Sn-Zn-O薄膜のHW水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上評価
清水 耕作
第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 通常論文 - In situ cleaning of silicon substrate by atomic hydrogen and argon and its application for solar cells
Yuuta Someya; Kousaku shimizu
10th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition, 2018年09月, HWCVD, 通常論文 - Hot-wire hydrogenation for In-Sn-Zn-O and improvement of the TFT reliability
Toshiki Yanagisawa; Yuuta Someya; and Kousaku Shimizu
10th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition, 2018年09月, HWCVD, 通常論文 - Influence of annealing conditions on the electrical performance and reliability of amorphous oxide TFTs
Takuya Odakura1; Kousaku Shimizu1; Toshio Morimoto 2; Tokuyuki Nakayama2; Mana Shiraki 2
European MRS Spring Meeting, 2018年06月, E-MRS, 通常論文 - Fabrication and characterization of amorphous CuAlO2/InGaZnO4 heterojunction solar cells by pulse DC sputtering method
Sakuchika Sakai; and Kousaku Shimizu
European MRS Spring Meeting, 2017年05月, E-MRS, 通常論文 - Analysis of NBITS Instability for InGaZnO4 and InSnZnO4 TFTs using Reflection Constant Photocurrent Method
Satoru Tanaka; Yuuki Ohno; Kousaku Shimizu
26th Annual Meeting of MRS-J, 2016年12月, 通常論文 - Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen
Masataka Iwasaki and Kousaku Shimizu
9th International Conference on HWCVD, 2016年09月, HWCVD, 通常論文 - Analysis of NBITS Instability for Amorphous Oxide Semiconductor TFTs using Reflection Constant Photocurrent and Modulated Admitt amce Method
Satoru Tanaka; Yuuki Ohno; Kousaku Shimizu
2016 European MRS Spring Meeting, 2016年05月, EMRS, 通常論文 - Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces made by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen
Kousaku Shimizu; Kazutaka Oh-e; Masataka Iwasaki
2016 MRS Spring Meeting & Exhibit, 2016年03月, MRS, 通常論文 - 変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により成膜されたp-i/i-n界面の評価
岩崎真宝; 大江和顕; 清水 耕作
第12回 薄膜材料デバイス研究会, 2015年10月, 通常論文 - 非晶質InGaZnO4の酸素化及び水素化によるバンド吸収端の特性評価
張帥澤; 小松大介; 清水耕作
第12回 薄膜材料デバイス研究会, 2015年10月, 通常論文 - 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
大野祐樹; 竹山裕貴; 田中聡; 清水耕作
第12回 薄膜材料デバイス研究会, 2015年10月, 通常論文 - Evaluations of Stress Induced Instabilities of Amorphous Oxide Semiconductors using reflection CPM and ther relations with TFT instabilities
Kousaku Shimizu; Hiroki Takeyama; and Yuuki Ohno
26th international Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2015年09月, 通常論文 - Evaluation of Absorption-edge Properties of a- InGaZnO4 by Oxygenation or Hydrogenation using PYS/IPES
Kousaku Shimizu; Shuaize Zhang; Daisuke Komatsu
26th international Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2015年09月, 通常論文 - 変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により製膜されたp-i/i-n界面の評価
大江 和顕、岩崎 真宝、清水 耕作
第12回 Cat-CVD研究会, 2015年07月, 通常論文 - 非晶質InGaZnO4の酸素化および水素化によるバンド吸収端の特性評価
張 帥澤、大野 祐樹、清水 耕作
第12回 Cat-CVD研究会, 2015年07月, 通常論文 - 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
竹山 裕貴、田中聡、大野 祐樹、清水 耕作
第12回 Cat-CVD研究会, 2015年07月, 通常論文 - 非晶質InGaZnO4とInSnZnO4のバンド吸収端酸素化及び水素化特性評価
張 帥澤、大野 祐樹、清水 耕作
第61回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文 - 反射CPM法を用いた非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
竹山 裕貴、大野 祐樹、清水 耕作
第61回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタ法による非晶質シリコン膜の作製と 変調アドミタンス法によるp-i/i-n界面の評価
大江 和顕、岩崎 真宝、清水 耕作
第61回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタ法による高品質非結晶シリコン薄膜の作製
大江和顕、清水耕作
第11回 CAT-CVD研究会, 2014年07月, 通常論文 - 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
永井将司、清水耕作
第61回 応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月, 通常論文 - 非晶質-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価
永井将司、清水耕作
第10回 薄膜材料デバイス研究会, 2013年10月, 通常論文 - Electronic Structure within The Mobility Gap and Photoinduced Instability of amorphous IGZO
Kousaku Shimizu and Masashi Nagai
ICANS25, 2013年08月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタ法を用いたpin接合太陽電池の作製
永井将司、清水耕作
第10回 Cat-CVD研究会, 2013年07月, 通常論文 - CPM 法によるa-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価
永井将司、清水耕作
第74回 応用物理学会秋季学術講演会, 2013年03月, 通常論文 - 太陽電池用シリコン切粉の洗浄法に関する検討
中村侑太
第45回 日本大学生産工学部学術講演会, 2012年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 太陽光追尾装置の製作と動作回路の低消費電力化
北村啓
第45回 日本大学生産工学部学術講演会, 2012年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法を用いたp型・n型シリコン薄膜の作製と太陽電池への応用に向けた検討
駒崎洋文
第45回 日本大学生産工学部学術講演会, 2012年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 非晶質CuAlO2を用いたp型薄膜トランジスタの作製と評価
永井将司
第45回 日本大学生産工学部学術講演会, 2012年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - Analysis of hydrogen flow in the HW-CVD chamber by CFD
The 7th International Conference on HW-CVD, 2012年10月, 通常論文 - Fabrication of nano-crystalline Si films by sputtering method with atomic hydrogen
Hirofumi Komazaki
The 7th International Conference on HW-CVD, 2012年10月, 通常論文 - Fabrication of SrTiO3:Pr,Al and CaTiO3:Pr fluorescet thin films using rf sputtering for Si solar cells
5th ICOOPMA2012, 2012年06月, 通常論文 - Fabrication and Characterization of InGaZnO4/CuAlO2 heterjunction solar cell
T. Sato; K. Kitano; K. Niizuma and T. Hiaki
5th ICOOPMA2012, 2012年06月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(IV)
駒﨑 洋文、浅野 英輝
第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 通常論文 - 酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価(Ⅲ)
小野瀬匡彦,佐藤敏幸; 北野幸樹; 新妻清純; 日秋俊彦; 清水耕作
第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 通常論文 - 螢光体を用いた波長変換膜の作製と太陽電池への応用
蛍光体同学会, 2012年01月, 通常論文 - シリコン微粒子を用いた低環境負荷デバイスの作製と高性能化検討
グリーンデバイステクノロジー, 2011年12月, NAIST, 通常論文 - SrTiO3:Pr,AlおよびCaTiO3:Pr薄膜の蛍光特性
第44回 日本大学生産工学部学術講演会, 2011年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 変調アドミッタンス法を用いたMIS界面の欠陥準位の評価
小林浩二
第44回 日本大学生産工学部学術講演会, 2011年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いた酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価
刀根仁
第44回 日本大学生産工学部学術講演会, 2011年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価
小野瀬匡彦
第44回 日本大学生産工学部学術講演会, 2011年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
浅野英輝
第44回 日本大学生産工学部学術講演会, 2011年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価(II)
北村 啓、小林 浩二、刀根 仁
第8回薄膜材料デバイス研究会, 2011年11月, 通常論文 - a-CuAlO2/a-InGaZnO4接合の作製と評価
小野瀬匡彦
第8回薄膜材料デバイス研究会, 2011年11月, 通常論文 - Rfスパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,AlおよびCaTiO3:Pr蛍光薄膜の作製と評価
第8回薄膜材料デバイス研究会, 2011年11月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)
駒﨑 洋文、浅野 英輝
第8回薄膜材料デバイス研究会, 2011年11月, 通常論文 - 酸化物半導体を用いたpn接合の作製と評価 (Ⅱ)
小野瀬匡彦
第72回応用物理学会関連講演会, 2011年08月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅲ)
浅野英輝
第72回応用物理学会関連講演会, 2011年08月, 通常論文 - 酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価（Ⅲ）
刀根 仁
第72回応用物理学会関連講演会, 2011年08月, 通常論文 - 変調アドミッタンス法を用いたMIS界面の欠陥準位の評価
小林浩二
第72回応用物理学会関連講演会, 2011年08月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化
浅野英輝
第8回 CAT-CVD研究会, 2011年06月, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いた酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価(II)
刀根仁
春季 第58回応用物理学会関連講演会, 2011年03月, 通常論文 - 酸化物半導体InGaZnO4-CuAlO2接合の作製と評価
小野瀬匡彦
第58回応用物理学会関連講演会, 2011年03月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)
浅野英輝
第58回応用物理学会関連講演会, 2011年03月, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価 ～界面準位のTFT特性への影響～
刀根仁、前田督快、小原有司、白神嵩生、高山克己
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部 - 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅰ) ～微結晶化の検討～ ～界面準位のTFT特性への影響～
増田洋平、紺野恵、西周慶久、江原摩美、谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部 - 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅱ) ～高速堆積化の検討～ ～界面準位のTFT特性への影響～
浅野英輝、増田洋平、紺野恵、西周慶久、江原摩美、谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部 - CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討
石橋大典,紺野恵、西周慶久、江原摩美、谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製と蛍光評価
大橋拓也、紺野恵、西周慶久、江原摩美、谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 酸化物半導体を用いたpn接合の作製と評価
小野瀬匡彦、佐藤敏幸、北野幸樹、新妻清純、日秋俊彦
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 変調アドミタンス法及びCV法によるMIS界面の欠陥密度の評価
小林浩二、石橋大典
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価
前田督快、小原有司、白神嵩生、高山克己
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価～界面準位のTFT特性への影響～
刀根仁; 前田督快; 小原有司; 白神嵩生; 高山克己
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅰ)～微結晶化の検討～～界面準位のTFT特性への影響～
増田洋平; 紺野恵; 西周慶久; 江原摩美; 谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅱ)～高速堆積化の検討～～界面準位のTFT特性への影響～
浅野英輝; 増田洋平; 紺野恵; 西周慶久; 江原摩美; 谷口昌照
第43回 日本大学生産工学部学術講演会, 2010年12月, 日本大学生産工学部, 通常論文 - 酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価
刀根仁; 小林浩二
第7回薄膜材料デバイス研究会, 2010年11月, 通常論文 - a-CuAlO2/a-InGaZnO4の接合特性
小野瀬匡彦
第7回薄膜材料デバイス研究会, 2010年11月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
浅野英輝
第7回薄膜材料デバイス研究会, 2010年11月, 通常論文 - スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
大橋拓也
第7回薄膜材料デバイス研究会, 2010年11月, 通常論文 - スパッタリング法を用いたシリコン薄膜太陽電池への応用
浅野 英輝、駒﨑 洋文
第3回薄膜太陽電池セミナー, 2010年10月, 通常論文 - 酸化物半導体InGaZnO4CuAlO2接合の作製と評価
小野瀬匡彦
第3回薄膜太陽電池セミナー, 2010年10月, 通常論文 - 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価
前田督快
第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 通常論文 - スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
大橋拓也
第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 通常論文 - CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(Ⅲ)
石橋大典
第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 通常論文 - 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
増田洋平、浅野英輝
第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 通常論文 - スパッタリング法を用いたシリコン薄膜太陽電池への応用
小野瀬匡彦、永井将司
千葉県オープンフォーラム, 2010年09月, 通常論文 - スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
大橋拓也
第57回 春季 応用物理学会関連連合講演会, 2010年03月, 通常論文 - CFD法によるホットワイヤ水素化処理シミュレーション
石橋大典
第42回 日本大学学術講演会, 2009年12月, 日本大学, 通常論文 - アモルファスInGaZnO薄膜のギャップ内準位の評価
前田督快
第42回 日本大学学術講演会, 2009年12月, 日本大学 生産工学部, 通常論文 - CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(2)
石橋大典
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 通常論文 - CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(Ⅳ)
前田督快
第70回応用物理学会学術講演会 秋季, 2009年09月, 通常論文 - Characterization of subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O by Constant Photocurrent Method
K. Nomura; M. Hirano; T. Kamiya; H. Hosono
ICANS23, 2009年08月, 通常論文 - CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討
久保田瑶
応用物理学会, 2009年03月, 通常論文 - CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(3)
前田督快、野村研二、平野正浩、神谷利夫、細野秀雄
応用物理学会, 2009年03月, 通常論文 - 非晶質InGaZnO薄膜のギャップ内準位の評価
日本大学生産工学部第41回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討
日本大学生産工学部第41回学術講演会, 2008年12月, 通常論文 - CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価
野村研二、平野正浩、神谷利夫、細野秀雄
薄膜材料デバイス研究会, 2008年10月, 通常論文 - CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価（２）
清水耕作,野村研二,平野正浩。 神谷利夫、細野秀雄
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月, 通常論文 - CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-Oの裾状態評価
清水耕作、野村研二、平野正浩、神谷利夫、細野秀雄
応用物理学会, 2008年03月, 通常論文 - ギャップ内準位の光学的評価方法
日本大学生産工学部第４０回学術講演会, 2007年12月, 通常論文 - 反応炉ガス中のガスの流れの均一化に関する研究
日本大学生産工学部第４０回学術講演会, 2007年12月, 通常論文 - 反応性CVD法によって作製した多結晶シリコンのTFT特性
日本大学生産工学部第３９回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - 反応性CVD法によって作製した多結晶シリコンゲルマニウムの水素化特性とTFT性能向上
日本大学生産工学部第３９回学術講演会, 2006年12月, 通常論文 - Direct deposition of poly-crystalline silicon germanium on glass substrate at 450oC and its thin film transistor application
Kousaku Shimizu; Jianjun Zhang; Jun-ichi Hanna
2004 Joint International Meeting of 206th Meeting of The Electrochemical Society and 2004 Fall Meeting, 2004年11月, 通常論文 - High Mobility Top-Gate Film Transistors Fabricated with Poly-Si1-xGex Thin Films on Glass Substrate
(Jianjun Zhang; Kousaku Shimizu and Jun-ichi Hanna
Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2004年08月, 通常論文 - Direct deposition of Poly-crystalline silicon and silicon germanium on glass substrate at 450oC and their Thin film transistor application
Kousaku Shimizu; Jianjun Zhang; Jeong-Woo Lee; Jun-ichi Hanna
Proceeding of International Conference on Polycrystalline Semiconductors, 2004年08月, 通常論文 - Depositon of Poly-Si and SiGe Thin Films at 450oC by Reactive Thermal CVD and their TFT application
Jun-ichi Hanna; Jianjun Zhang; JeongWoo Lee; and Kousaku Shimizu
AM-LCD03, 2003年11月, 通常論文 - Post Hydrogenation Effect by Hot-Wire method on poly-crystalline based devices
Kousaku Shimizu Noriyoshi Kohama; Tadaaki Tani and Jun-ichi Hanna
Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2003年08月, 通常論文 - Low Temperature Growth of Poly-Si and SiGe Thin Films by Reactive Thermal CVD and Fabrication of High Mobility TFTs over 50 cm2/Vs
Jun-ichi Hanna and Kousaku Shimizu
2003 Spring Meeting of Material Research Society Symposium, 2003年04月, 通常論文 - Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors With Silicon Rich Poly-Si1-xGex and Poly-Si Fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition
Kousaku Shimizu; Jinjuan Zhang; Jeong-woo Lee and Jun-ichi Hanna
2003 Spring Meeting of Material Research Society Symposium, 2003年04月, 通常論文 - Deposition of High Crystalinity Poly-Si Films on Glass Substrate and Fabrication of High Mobility Bottom-Gate over 50cm2/Vs
Jeong-Woo Lee; Kousaku Shimizu and Jun-ichi Hanna
Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2003年, 通常論文 - Effect of Ni-Seeding on low-temperature growth of Poly-Si1-xGex Thin Films by Reactive Thermal CVD
Jinjuan Zhang; Kousaku Shimizu and Jun-ichi Hanna
Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2002年10月, 通常論文 - Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC
Kousaku Shimizu; Jinjuan Zhang; Jeong-woo Lee and Jun-ichi Hanna
International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2002年08月, 通常論文 - Electrical Properties of Poly-Si TFTs Fabricated at 450oC by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition
Kousaku Shimizu; Noriyoshi; Kohama; Jeong-woo Lee and Jun-ichi Hanna
International Conference on Polycyrstalline Semiconductors, 2002年08月, 通常論文 - Poly-SiGe TFTs Fabricated by Low Temperature Chemical Vapor Deposition at 450oC
Kousaku Shimizu; Jinjuan Zhang; Jeong-woo Lee and Jun-ichi Hanna
Material Research Society Symposium, 2001年12月, 通常論文 - abrication and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD With Si2H6 and F2
Jeong-woo Lee; Kousaku Shimizu; and Jun-ichi Hanna
Meeting of Material Research Society Symposium, 2001年04月, 通常論文
