TAKAHASHI Yoshihiro
| Department of Electronic Engineering | Professor |
Researcher Information
Research Keyword
Field Of Study
- Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electronic devices and equipment, Electronic Device/Electronic Equipment
- Environmental science/Agricultural science, Environmental effects of radiation, Radiation/Chemical Substance Influence Science
- Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering, Electron/Electric Material Engineering
- Environmental science/Agricultural science, Environmental effects of chemicals, Radiation/Chemical Substance Influence Science
Career
Educational Background
Research activity information
Award
- 日本信頼性学会, 日本信頼性学会 優秀賞
SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討, Japan society
小倉俊太,高橋芳浩,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武 - The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Best Poster Award
Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device, International society
S. Ogura;T. Komiyama;Y. Takahashi;T. Makino;S. Onoda;T. Hirao;T. Oshima - 理工学部学術賞
宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
Paper
- ★Design and Fabrication of Contactless Slip Ring with Electric Coupling
Yoshihiro TAKAHASHI; Mitsuhiro SHIONO; Tadashi TAKANO
The Trans. of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers B, Mar. 2022, Refereed, Not invited
Lead - Suppression of heavy-ion irradiation induced parasitic bipolar effects in short channel SOI devices
Yusuke WADA; Yan WU; and Yoshihiro TAKAHASHI
日本信頼性学会誌, May 2017, Refereed, Not invited
Last - 半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果
高橋芳浩
日本信頼性学会誌, Nov. 2014, Refereed, Invited
Lead - Heavy-Ion induced Current in MOS Structures and Its Total Dose Effects
高橋芳浩,平尾敏雄,小野田忍
電子情報通信学会論文誌C, Sep. 2012, Refereed, Not invited
Lead - Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after Gamma-Ray Irradiation
T. Ohshima; S. Onoda; T. Hirao; Y. Takahashi; G. Vizkelethy; B. L. Doyle
APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, 2009, Not refereed, Not invited - New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry
A. Makihara; T. Ebihara; T. Yokose; Y. Tsuchiya; A. Amano; H. Shindou; R. Imagawa; Y. Takahashi; and S. Kuboyama
IEEE Transactions on Nuclear Science, Dec. 2008, Refereed, Not invited - Heavy-ion induced current through an oxide layer
Yoshihiro Takahashi; Takahiro Ohki; Takaharu Nagasawa; Yasuhito Nakajima; Ryu Kawanabe; Kazunori Ohnishi; Toshio Hirao; Shinobu Onoda; Kenta Mishima; Katsuyasu Kawano; Hisayoshi Itoh
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Jul. 2007, Refereed, Not invited
Lead - Heavy-Ion Induced Current in MOS Structure
Y. Takahashi; T. Shibata; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Kamiya
Electronics and Communications in Japan, Jan. 2007, Not refereed, Not invited
Lead - Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices
A. Makihara; T. Yamaguchi; H. Asai; Y. Tsuchiya; Y. Amano; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Onoda; T. Hirao; Y. Nakajima; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and S. Kuboyama
IEEE Trans. on Nuclear Science, Dec. 2006, Refereed, Not invited - Optimization for SEU/SET immunity on 0.15 mu m fully depleted CMOS/SOI digital logic devices
A. Makihara; T. Yamaguchi; H. Asai; Y. Tsuchiya; Y. Amano; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Onoda; T. Hirao; Y. Nakajima; T. Takahashi; K. Ohnishi; S. Kuboyama
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Dec. 2006, Refereed, Not invited - MOS構造における重イオン照射誘起電流
高橋芳浩,芝田利彦,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,神谷富裕
電子情報通信学会論文誌, Mar. 2006, Refereed, Not invited
Lead - Relationship between the current direction in the inversion layer and the electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors on 3C-SiC
T Ohshima; KK Lee; Y Ishida; K Kojima; Y Tanaka; T Takahashi; M Yoshikawa; H Okumura; K Arai; T Kamiya
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2, 2004, Refereed, Not invited - 衛星搭載用半導体デバイスに関する研究
高橋芳浩
テクノニュースちば, Jan. 2003, Not refereed, Not invited
Lead - Growth and Characterization of Anodic Oxidized Films in Pure Water
K. Ohnishi; A. ito; Y. Takahashi and S. Miyazaki
Jpn.J.Appli.Phys., Mar. 2002, Refereed, Not invited - Radiation-Induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; M. Yoshikawa
IEEE Transactions on Nuclear Science, Dec. 1999, Refereed, Not invited
Lead - Evaluation of Fixed Charge Distribution and Its Density in the Insulation Layer of Metal-Nitride-Oxide-Si Structure Using Slanted Etching Method
Y. Takahashi; K. Ohnishi
Electronics and Communications in Japan, PartII, 1999, Refereed, Not invited
Lead - Estimation of Fixed Charge Distribution and its Density in Insulation Layer of Metal-Nitride-Oxide-Si Structure using Slanted Etching Method
高橋芳浩,大西一功
電子情報通信学会論文誌, Jan. 1999, Refereed, Not invited
Lead - Effects of Gamma-Ray Irradiation and the Mechanisms on Electrical Characteristics of SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures
吉川正人,大島武,伊藤久義,梨山勇,高橋芳浩,大西一功,奥村元,吉田貞史
The transactions of the institute of electronics, information and communication engineers, Jan. 1998, Refereed, Not invited - Termal Annealing Effect of Silicon Nitride Film Deposited by Photo-CVD
出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
The transactions of the institute of electronics, information and communication engineers, Apr. 1997, Not refereed, Not invited - Depth profile of trapped charges in oxide layer of 6H-SiC metal-oxide-semiconductor structures
M. Yoshikawa; K. Saitoh; S. Yoshida; H. Okumura; Y. Takahashi; K. Ohnishi
Journal of Applied Physics, Jul. 1996, Refereed, Not invited - Evaluation of Number of Hole-electron Paris Induced by Irradiation in Silicon-nitride Layers and Analysis of Charge Trapping Mechanisms in Metal-insulator-semiconductor Structures with Silicon-nitride Layers
大西一功,高橋芳浩,小松茂,吉川正人
JAERI-Research, Jan. 1996, Refereed, Not invited - Analysis of Microwave Characteristics of Coplanar traveling Wave Electrodes on III-V Semiconductor with N+ Doped Layer
Zhiwu Wu; Yoshihiro Takahashi; Minghua Wang; Kunio Tada
IEEE Journal of Lightwave Technology, Oct. 1995, Refereed, Not invited - Estimation of Insulation Layer Conductance in MNOS Structure
Yoshihiro Takahashi; Kazunori Ohnishi
IEEE Transactions on Electron Devices, Nov. 1993, Refereed, Not invited
Lead - Radiation Pattern Analysis of an Antenna Mounted on Finite Ground-Plane with a Dielectric Coating
長谷部望,高橋芳浩,谷岡憲隆
The Transaction of IEICE, Dec. 1990, Not refereed, Not invited - Design, Fabrication and Experiment of GaAs Traveling-Wave Directional Coupler Optical Modulators
林秀樹,多田邦雄,高橋芳浩,石川卓哉
The Transaction of IEICE, Oct. 1990, Refereed, Not invited - Passive Telemetry Using Radar Referectors with Controllable Reflectivity
長谷部望,兼板晃宏,高橋芳浩,英美喜夫
The Transaction of IEICE, Oct. 1988, Refereed, Not invited
MISC
Lectures, oral presentations, etc.
- SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
新垣雅斗; 高橋芳浩
2024年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2024, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの小型化に関する検討
曽我勇斗; 高野忠; 高橋芳浩
2024年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2024, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの安定化に向けた検討
曽我勇斗; 高野忠; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - Pocket構造がトンネルFETの電気的特性に及ぼす影響
大西尚征; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
新垣雅斗; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - SnとSiO2の同時スパッタ膜のフォトルミネセンス特性
森山大柊; 萩原広隆; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - 高圧水蒸気雰囲気中で成膜した陽極酸化膜に対する熱処理効果
梁成晨; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - 水蒸気雰囲気中で交番電圧印加により成膜した陽極酸化膜の電気的特性
長村慶貞; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - 低温酸化処理によるSiO2膜の電気的ストレス耐性向上
足利佳治; 高橋芳浩
日本大学理工学部術講演会, Nov. 2023, Not invited - 水蒸気雰囲気中で製膜した陽極酸化膜に対する熱処理効果
梁成晨,八ツ橋拓真,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - 水蒸気雰囲気中で交番電圧を印加して成膜した陽極酸化膜の特性評価
八ツ橋拓真,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - Pocket構造によるpチャネルトンネルFETの出力特性改善に関する検討
大西尚征,藤井陸功,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - スパッタ成膜したMg2Si膜の組成分析
遠藤孔輝,髙野慧祐,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
新垣雅斗,高橋芳浩,呉研
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - PN-Body Tied SOI MOSFETの動作メカニズム
鴇田陸斗,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - Snを添加したSi系絶縁材料の発光特性に関する研究
森山大柊,吾妻満順,高橋芳浩,呉研
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - スパッタ法により成膜したSn添加Si系絶縁膜のPL特性
吾妻満順,森山大柊,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの高周波化に向けた検討
曽我勇斗,大澤亮太,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - 電界結合型非接触電力伝送システム用高周波インバーターの特性評価
彦坂忠利,大澤亮太,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - Pocket構造の導入によるトンネルFET-CMOS回路の動作速度向上に関する検討
藤井陸功,大西尚征,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2022, Not invited - Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
大西尚征; 藤井陸功; 遠藤孔輝; 呉研; 高橋芳浩
第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2022, 応用物理学会, Not invited - p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
藤井陸功; 遠藤孔輝; 呉研; 高橋芳浩
第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022, 応用物理学会, Not invited - トンネルFETの出力特性改善に関する検討
藤井陸功,遠藤孔輝,三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021, 応用物理学会, Not invited - 高圧水蒸気中で製膜した陽極シリコン酸化膜 -印加電圧依存性-
堅田卓弥,八ッ橋拓真,呉研,高橋芳浩
第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021, 応用物理学会, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの検討
大島綾太,斎藤大珠,彦坂忠利,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
2021年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2021, 電子情報通信学会, Not invited - トンネルFETにおけるID-VD立ち上がり特性改善に関する検討
三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2020, Not invited - ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
山口直弥,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2020, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法によるプロセス電流評価
堅田卓弥,八ッ橋拓真,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2020, Not invited - SJ-MOSFETにおけるスイッチング特性
中野敬介,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2020, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの小型化に向けた検討
大島綾太,齋藤大珠,彦坂忠利,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2020, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の電気特性
堅田卓弥,角田将紀,呉研,高橋芳浩
第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Not invited - 低温酸化処理がSiO2膜の電気的ストレス耐性に及ぼす影響
安田光保,呉研,高橋芳浩
第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Not invited - Mg2Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性
山口直弥,菅瑛斗,中野雄介,岸佳佑,唐鎌亮太,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Not invited - 真空蒸着法により成膜したSiO/Sn膜のフォトルミネセンス特性
長谷川裕人,呉研,高橋芳浩
第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Not invited - Sn 添加光 CVD シリコン酸窒化膜のPL発光波長
長谷川裕人,黒沢亮太,山本悦治,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - 光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすPMA効果
李一博,鈴木黎,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
角田将紀,堅田卓弥,伊藤隼雄,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - SiO2成膜中の温度変化が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - SJ-MOSFETにおけるデバイス構造の検討
中野敬介,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - ソース不純物濃度がトンネルFETのID-VD特性に及ぼす影響
三田梓郎,唐鎌亮太,岸佳佑,山口直弥,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - Mg2Si/Si ヘテロ接合トンネルダイオードに関する検討
山口直弥,唐鎌亮太,三田梓郎,岸佳佑,菅瑛斗,中野雄介,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - Fin型トンネルFETのデバイスパラメータ依存性
岸佳佑,唐鎌亮太,三田梓郎,山口直弥,菅瑛斗,中野雄介,高橋芳浩,呉研
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - 非接触スリップリングの実現に向けたコンデンサの検討
大島綾太,小野寺巧,小林泰輔,齋藤大珠,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - PN-Body Tied SOI MOSFETのCMOSインバータの検討
古川遼太,安田光保,中野敬介,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - 多層円筒型コンデンサを用いた電界結合型非接触スリップリングの検討
小野寺巧,大島綾太1,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - トンネルFETの閾値電圧評価法に関する研究
唐鎌亮太,岸佳佑,三田梓郎,山口直弥,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2019, Not invited - Basic Investigation on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling
Tadashi Takano; Yoshihiro Takahashi; Takumi Onodera; Ryota Ohshima; and Mitsuhiro Shiono
Basic Investigation on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling", 2019 International Symposium on Antennas and Propagation (ISAP2019), Oct. 2019, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの基本設計
小野寺巧,大島綾汰,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
2019年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2019, Not invited - PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流
古川遼太,呉研,高橋芳浩
第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
角田将紀,伊藤広起,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすアニール効果
李一博,鈴木黎,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 酸化温度が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
安田光保,金山純一,中野敬介,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - Sn拡散SiON膜のフォトルミネセンス特性（NH3アニール効果）
長谷川裕人,安部桂史,大竹亮,高橋和希,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 真空蒸着法によって作製したSn添加シリコン酸化膜の発光特性評価
安部桂史,高橋和希,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 陽極酸化膜の界面準位密度に及ぼす低温熱処理効果
伊藤広起,角田将紀,堅田卓弥,齋藤理紗,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - SiGeを導入したSOI-MOSFETにおける重イオン照射効果
金山純一,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - pin及びpnp構造素子における重イオン照射誘起電流
岩波悠太,唐鎌亮太,三田梓郎,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - PN-Body Tied SOI MOSFET の重イオン照射効果
古川遼太,金山純一,安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - SOI-トンネルFETの電気的特性（デバイスパラメータ依存性）
唐鎌亮太,岩波悠太,三田梓郎,岸佳佑,山口直弥,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 電界結合型非接触スリップリングの設計
小野寺巧,大島綾太,呉研,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2018, Not invited - 無線スリップリングの応用目的と基礎検討
高野忠,小野寺巧,大島綾太,塩野光弘,高橋芳浩
第４回宇宙太陽発電シンポジウム, Nov. 2018, Not invited - 硬X線分光法を用いたMgSi/Siヘテロ接合バンドオフセット評価
唐鎌亮太,岩波悠太,呉研,角嶋邦之,高橋芳浩
第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2018, Not invited - SiGeを導入したSOI-CMOS回路の重イオン照射効果
金山純一,呉研,高橋芳浩
第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018, Not invited - H2O2を用いた陽極酸化膜の熱処理効果
伊藤広起,中田友緒,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - 膜厚がSn添加光CVDシリコン酸窒化膜の発光特性に及ぼす影響
安部桂史,古澤翔太,長谷川裕人,山岸慧,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - 気相Snを拡散したシリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性（基板温度依存性）
古澤翔太,安部桂史,長谷川裕人,山岸慧,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - 流水純水中で成膜した陽極酸化膜の熱処理効果
中田友緒,伊藤広起,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - トンネルFETのデバイスパラメータが電気的特性に及ぼす影響
波悠太; 唐鎌亮太,三田梓郎,高橋芳浩,呉研
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果の抑制に関する検討
金山純一,古川遼太,安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2017, Not invited - LDD構造を用いたトンネルFETベースCMOS回路においての耐放射線性評価
呉研,岩波悠太,高橋芳浩
第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, Not invited - Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si Based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
Yan Wu; Kuniyuki Kakushima; Yoshihiro Takahashi
The 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT), Jun. 2017, Not invited - 陽極酸化膜を有する MOS 構造におけるアドミタンス特性
中田友緒,張祺,呉研,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017, Not invited - トンネルFETベースCMOS回路のシングルイベント耐性
呉研,和田雄友,岩波悠太,金山純一,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017, Not invited - Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性（膜厚依存性）
古澤翔太,中村駿介,呉研,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017, Not invited - 流水中で成膜した陽極シリコン酸化膜の特性評価 ~印加電圧波形依存性~
張祺,中田友緒; 伊藤広起; 鈴木健太; 呉研; 高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2016, Not invited - コンダクタンス法によるゲート絶縁膜の界面準位密度評価
陳士琪; 浜中健吾; 野口竣太郎; 吉岡亘輝; 呉研; 高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2016, Not invited - 陽極酸化膜を有する MOS 構造におけるアドミタンスの周波数依存性
中田友緒,張祺,伊藤広起,鈴木健太,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2016, Not invited - 気相 Sn を拡散したシリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性
古澤翔太; 鈴木拓也; 鈴木翼; 中村駿介; 呉研; 高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2016, Not invited - 微細 SOI デバイスにおける重イオン照射効果
和田雄友; 岩波悠太; 金山純一; 長塚藍; 呉研; 高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2016, Not invited - Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制
和田雄友,山本航汰,高橋芳浩,呉研
第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, Not invited - 半導体デバイスの放射線効果基礎
高橋芳浩
第5回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, Mar. 2016, Not invited - 気相Snを拡散したシリコン酸窒化膜のPL 特性評価
川俣明,鈴木拓也,古澤翔太,楊子平,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2015, Not invited - 流水中で成膜した陽極シリコン酸化膜の特性評価 〜印加電圧波形依存性〜
張祺,手原大貴,中田友緒,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2015, Not invited - SOI-MOSFET における寄生バイポーラ効果のSource/Drainバンドギャップ依存性
和田雄友,山本航汰,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2015, Not invited - 微細SOI-CMOS構造の重イオン照射効果
山本航汰,和田雄友,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2015, Not invited - The Impact of Tunnel FET on Irradiation Effects
Y. Wu; K. Yamamoto; Y. Wada; and Y. Takahashi
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Nov. 2015, Not invited - Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減
呉研,高橋芳浩
日本信頼性学会第23回春季信頼性シンポジウム, Jun. 2015, 日本信頼性学会, Not invited - 高圧水蒸気中における陽極酸化法より成膜したSiO2膜の特性評価
手原大貴,尾和瀬智成,呉研,高橋芳浩
第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Not invited - SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果
山本航汰,家城大輔,呉研,高橋芳浩
第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Not invited - トンネルFETのシングルイベト耐性評価
呉研,山本航汰,家城大輔,高橋芳浩
第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Not invited - Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性評価
川俣明,竹内寛稀,鈴木拓也,呉研,高橋芳浩
第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Not invited - 半導体デバイスの放射線効果基礎
高橋芳浩
第4回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, Feb. 2015, Not invited - 静電気力顕微鏡を用いた半導体表面電位測定による不純物濃度分布の評価検討
佐藤大知; 東尾順平,高橋芳浩,芦澤好人,塚本新,上原利夫,中川活二
IEEE主催2014年度第2回学生研究発表会, Dec. 2014, Not invited - Irradiation Effect of Tunnel FET and Impact of Si base Hetero-Junction Improve ON Current
Yan Wu; KotaYamamoto; Daisuke Ieki; Yoshihiro Takahashi
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - Analysis of Semiconductor Dopant Profiling by Measurement of Voltage Distribution on Surface with Electrostatic Force Microscope
Daichi Satou; Jumpei Higashio; Yoshihiro Takahashi; Yoshito Ashizawa; Arata Tsukamoto; Toshio Uehara; Katsuji Nakagawa
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - Sn 添加シリコン酸窒化膜のPL 特性評価
川俣明,鈴木拓也,竹内寛稀,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
手原大貴,尾和瀬智成,加藤裕史,張祺,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - 交番電圧を用いて流水純水中で成膜した陽極酸化膜の特性評価
尾和瀬智成,手原大貴,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - LPCVD-SiN 膜中電荷トラップ密度の反応温度依存性
長谷川洋介,陳士琪,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - 微細SOI-MOSFET に対する重イオン照射誘起電流の検討
家城大輔,山本航汰,和田雄友,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - 微細SOI-MOSFET における照射誘起寄生バイポーラ効果に関する研究
山本航汰,家城大輔,和田雄友,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - 有限要素法による不純物濃度の異なる半導体の表面電位解析
宮野晴行,佐藤大知,東尾順平,高橋芳浩,芦澤好人,塚本新,上原利夫,中川活二
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - ニューラルネットワークを搭載した昆虫型MEMS マイクロロボットの研究
内木場文男,木村元昭,高橋芳浩,佐伯勝敏,齊藤健
日大理工学術講演会, Dec. 2014, Not invited - ELECTROSTATIC FORCE MICROSCOPE APPLICATIONS FOR THE RESEARCH OF PIEZO ACTUATOR AND SEMICONDUCTOR
Toshio Uehara; Katsuji Nakaawa; Yoshihiro Takahashi; Yoshito Ashizawa; and Jumpei Higashio
The 67th ICAT/JTTAS Joint International Smart Actuators/Sensors Symposium, Oct. 2014, Not invited - 静電気力顕微鏡を用いた半導体表面電位測定による不純物濃度分布評価
佐藤大知; 東尾順平; 高橋芳浩; 芦澤好人; 塚本新; 上原利夫; 中川活二
第113 回日本画像学会年次大会, Jun. 2014, Not invited - Dependence of reaction gas flow ratio on charge trap density in LPCVD-SiN film
長谷川洋介,佐藤晃太郎,小清水祐貴,宮島秀明,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Anodic oxidation of Si in streaming pure water
長谷川洋介,佐藤晃太郎,小清水祐貴,宮島秀明,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Photo Luminescence properties of Sn doped SiO2
滝島正博,川俣明,田中慶吾,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Properties of silicon nitride film fabricated by Photo-CVD process ～Dependence of reaction pressure and reaction gass-flow ratio～
佐藤晃太郎,長谷川洋介,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Dependence of ion hitting location on heavy ion induced current in SOI-pn diode
家城大輔,小宮山隆洋,金子直之,山本航汰,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Heavy-Ion Induced Current in SOI-MOSFET
小宮山隆洋,家城大輔,金子直之,山本航汰,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2013, Not invited - Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device
S. Ogura; T. Komiyama; T. Makino; S. Onoda; T. Hirao; T. Oshima
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Dec. 2012, Not invited - 負電圧印加した陽極酸化膜の電気的特性
張義淳,山崎雄大,柿沼真一
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - 高圧水蒸気中での陽極酸化法におけるプロセス方法の検討
山崎雄大,張義淳,柿沼真一
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - Si基板上に面内配置されたSiO2/Sn膜のEL発光
秋山和也,滝島正博,大谷捷,遠山大地
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - PECVD-SiO2 膜の電気的特性に及ぼすアニール効果
古瀬達也; 佐藤晃太郎; 尾和瀬智成; 長谷川洋介
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - Sn-SiO2面内配置構造のPL特性
滝島正博; 秋山和也; 大谷捷; 遠山大地
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - SOI-MOSFET の重イオン照射誘起電流に関する検討（支持基板不純物タイプによる変化）
小倉俊太; 小宮山隆洋; 家城大輔; 倉島翼
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - SOI 基板上のpn ダイオードにおける重イオン照射誘起電流
小宮山隆洋; 小倉俊太; 家城大輔; 倉島翼
日大理工学術講演会, Nov. 2012, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起過渡電流抑制
小倉俊太,小宮山隆洋,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
第7回高崎量子応用研究シンポジウム, Oct. 2012, 日本原子力研究開発機構, Not invited - SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
小倉俊太,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
日本信頼性学会第20回春季信頼性シンポジウム, Jun. 2012, 日本信頼性学会, Not invited - 半導体デバイスの宇宙放射線効果基礎
第1回半導体デバイスの放射線照射効果研究会, Feb. 2012, Not invited - Ge基板上に成膜したCVD SiO2膜の低温熱処理効果
常清悠介,山崎拓也
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - 紫外線励起法により作製したSiON 膜についての検討
山崎拓也,常清悠介,長谷川洋介
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - Si基板上に面内配置されたSiO2/Sn膜の発光特性
秋山和也,秋山陽一,滝島正博,遠山大地
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - 陽極酸化SiO2膜の熱処理効果
張義淳,山崎雄大,安井良平
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流に関する検討（照射位置依存性）
小倉俊太,岡﨑勇志,小宮山隆洋,佐藤江里子
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - SOI基板上に作製したMOSFETの重イオン照射誘起電流
岡﨑勇志,小倉俊太,小宮山隆洋,佐藤江里子
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - 純水中での陽極酸化法におけるプロセス方法の改善
山崎雄大,張義淳,安井良平
日大理工学術講演会, Nov. 2011, Not invited - SOIデバイスにおける重イオン照射誘起電流の抑制
岡﨑勇志,小倉俊太,平尾敏雄,小野田忍,大島武
第6回高崎量子応用研究シンポジウム, Oct. 2011, 日本原子力研究開発機構, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流の抑制に関する検討
岡﨑勇志,小倉俊太,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
応用物理学会学術講演会, Sep. 2011, 応用物理学会, Not invited - Sn添加シリコン酸化膜の発光特性
秋山陽一,秋山和也
日大理工学術講演会, Nov. 2010, Not invited - 紫外線励起法により作製したSiON膜の作製と評価
山崎拓也,常清悠介,長谷川洋介,古瀬達也
日大理工学術講演会, Nov. 2010, Not invited - 陽極酸化法によるゲルマニウムの低温酸化
阿部大和,張義淳,山崎雄大
日大理工学術講演会, Nov. 2010, Not invited - Ge基板に対する高誘電率絶縁膜の作製と評価
常清悠介,山崎拓也,長谷川洋介,古瀬達也
日大理工学術講演会, Nov. 2010, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討
竹安秀徳,岡崎勇志,大谷拓海,小倉俊太
日大理工学術講演会, Nov. 2010, Not invited - Heavy-Ion Induced Current in SOI Junction Diode
H. Takeyasu; Y. Okazaki; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Oct. 2010, Not invited - SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
大脇章弘,竹安秀徳,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
第5回高崎量子応用研究シンポジウム, Oct. 2010, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討
竹安秀徳,岡崎勇志,小倉俊太,大谷拓海,平尾敏雄,小野田忍,牧野高紘,大島武
応用物理学会学術講演会, Sep. 2010, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流
第1回半導体材料・デバイスフォーラム, Feb. 2010, Not invited - 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
日大理工学術講演会, Nov. 2009, Not invited - 陽極酸化法によるシリコン窒化膜の低温酸化
阿部大和,野澤翔吾,井坂真彦
日大理工学術講演会, Nov. 2009, Not invited - 下地膜による高誘電率ゲート絶縁膜の界面特性改善
呉研,常清悠介,山崎拓也
日大理工学術講演会, Nov. 2009, Not invited - SOI基板上のpnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
大脇章弘,竹安秀徳,岡崎勇志,松岡将太
日大理工学術講演会, Nov. 2009, Not invited - SOIデバイスの重イオン照射誘起電流制御に関する検討
竹安秀徳,大脇章弘,岡崎勇志,松岡将太
日大理工学術講演会, Nov. 2009, Not invited - SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
今川良,大脇章弘,竹安秀徳,平尾敏雄,小野田忍,牧野髙紘,大島武
第4回高崎量子応用研究シンポジウム, Oct. 2009, Not invited - SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴
高橋芳浩
第19回高温エレクトロニクス研究会, Mar. 2009, Not invited - SiO/Sn/SiO2構造の発光特性に対する膜厚依存性
五十嵐健太朗,北口直哉,入村侑宏,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2008, Not invited - 陽極酸化法により確認したSiO2膜の表面構造
西村航,阿部大和,野澤翔吾,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2008, Not invited - MOCVD法を用いたHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の作製と評価
渡邊拓,山本真也,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2008, Not invited - pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流
大脇章弘,今川良,竹安秀徳,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2008, Not invited - 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
今川良,大澤一仁,大脇章弘,竹安秀徳,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2008, Not invited - MOS構造素子のシングルイベント効果の解明
高橋芳浩,大西一功,府金賢,今川良,大脇章弘,平尾敏雄,小野田忍,大島武
第3回高崎量子応用研究シンポジウム, Oct. 2008, Not invited - Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET
Y. Takahashi; M. Fugane; R. Imagawa; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
8th European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems, Sep. 2008, Not invited - Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET
Y. Takahashi; M. Fugane; R. Imagawa; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; and T. Ohshima
International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, Aug. 2008, Not invited - Investigation of the Radiation Effects of Semiconductor using the Irradiation Facilities in Takasaki Advanced Radiation Research Institute
T. Hirao; Y. Takahashi; H. Ohyama
International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, Aug. 2008, Not invited - Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after Gamma-Ray Irradiation
Takeshi Ohshima; Shinobu Onoda; Toshio Hirao; Yoshihiro Takahashi; Gyorgy Vizkelethy; Barney L. Doyle
20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry, Aug. 2008, Not invited - MOSデバイスにおける重イオン照射誘起過渡電流とトータルドーズとの関係
今川良,府金賢,大西一功,高橋芳浩,平尾敏雄,小野田忍,大島武
第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会, Jul. 2008, Not invited - MOSデバイスにおける重イオン照射誘起電流
平尾敏雄,高橋芳浩,小野田忍,大島武
第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会, Jul. 2008, Not invited - New SET Characterization Technique Utilizing SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitries
A. Makihara; T. Ebihara; T. Yokose; Y. Tsuchiya; Y. Amano; H. Shindou; S. Kuboyama; R. Imagawa; Y. Takahashi; K. Ohnishi
2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Jul. 2008, Not invited - 陽極酸化法によるSiO2膜の製膜と評価 〜局所的な異常成長について〜
西村航,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited - SiO2/Sn/SiO2構造によるフォトルミネッセンス特性
五十嵐健太朗,安藤健志,北口直哉,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited - 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
今川良; 大澤一仁; 大西一功; 高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited - 重イオンがγ線照射前後のMOSキャパシタに誘起する過渡電流
小野田忍,府金賢,平尾敏雄,大島武,高橋芳浩,今川良; 大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008, Not invited - 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜のホールアレイ構造の作製と評価
西村航,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - HfO2ゲート絶縁膜のSiON下地膜による特性改善
渡邊拓,西村剛,高月健太,山下晃慶,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - 真空蒸着法により作製したSiO/Sn/SiO構造の発光特性
五十嵐健太朗,安藤健志,北口直哉,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - MOCVD法によるHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の製膜及び評価
西村剛,渡邊拓,山下晃慶,高月健太,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - 急速熱処理を施したSn添加SiO2膜の発光特性
安藤健志,五十嵐健太郎,北口直哉,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - 重イオン照射によるSOI-CMOSインバータ特性の過渡的変化
今川良,府金賢,大澤一仁,大脇章弘,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - MOSFETにおける重イオン照射誘起ゲート電流
府金賢,今川良,大澤一仁,大脇章弘,平尾敏雄,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Dec. 2007, Not invited - MOSデバイスのハードエラーおよびその抑制
高橋芳浩
応用物理学会学術講演会, Sep. 2007, Not invited - MOSFETにおける重イオン照射誘起ゲート電流
府金賢,高橋芳浩,中嶋康人,長澤賢治,今川良,野本敬介,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,大島武
応用物理学会学術講演会, Sep. 2007, Not invited - SOIデバイスにおけるイオン照射誘起電荷の輸送現象の解明
大西一功,高橋芳浩,中嶋康人,長澤賢治,府金賢,今川良,野本敬介,平尾敏雄,小野田忍,三島健太
高崎量子応用研究シンポジウム, Jun. 2007, Not invited - MOS構造における重イオン照射誘起過渡電流
高橋芳浩,長澤賢治,中嶋康人,府金賢,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006, Not invited - マイクロビームを利用したシングルイベント評価研究 -JAEAのシングルイベント研究の現状-
平尾敏雄,小野田忍,三島健太,大島武,及川将一,佐藤隆博,神谷富裕,河野勝泰,高橋芳浩,大西一功
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006, Not invited - 完全空乏型0.15um CMOS/SOI民生プロセスデバイスへの放射線対策の最適化
槇原亜紀子,浅井弘彰,土屋義久,天野幸男,緑川正彦,新藤浩之,久保山智司,小野田忍,平尾敏雄,中嶋康人,高橋芳浩,大西一功
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006, Not invited - HfO2をゲート絶縁膜としたMIS構造における放射線照射効果
長澤賢治,中嶋康人,府金賢,今川良,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - 紫外線励起NH3アニールによるHfO2ゲート絶縁膜の電気的特性変化
日大理工学術講演会
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - 光励起プロセスによるシリコン酸窒化薄膜の作製及び評価
西村剛,海老原司,山崎裕幸,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - HfO2高誘電率ゲート絶縁膜の作製
山本絢介,守田圭佑,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の成膜と電気的特性の評価
菅沼卓仁,西村航,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - Si窒化膜とSn添加Si窒化膜のフォトルミネッセンス特性
安藤健志,五十嵐健太朗,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - MOSFETにおける重イオン照射誘起電流
中嶋康人,今川良,野本敬介,府金賢,長澤賢治,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - イオン注入法を用いたMOSFETの作製
中嶋康人,長澤賢治,府金賢,今川良,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2006, Not invited - Optimization for SEU/SET immunity on 0.15um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2006, Not invited - Heavy-ion Induced Current through an Oxide Layer
Y. Takahashi; T. Ohki; T. Nagasawa; Y. Nakajima; R. Kawanabe; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; K. Mishima; K. Kawano; and H. Itoh
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2006, Not invited - 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の成膜と電気的特性の評価
菅沼卓仁,柳沢卓人,西村航,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Aug. 2006, Not invited - Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15 um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device
A. Makihara; M. Midorikawa; H. Shindou; S. Kuboyama; T. Hirao; S. Onoda; T. Ohki; Y. Takahashi
International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Jul. 2006, Not invited - Heavy-Ion Induced Current through an Oxide Layer
Y. Takahashi; T. Ohki; T. Nagasawa; Y. Nakajima; R. Kawanabe; K. Ohnishi; T. Hirao; S. Onoda; K. Mishima; K. Kawano; H. Itoh
10th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications, Jul. 2006, Not invited - 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流の評価
大西一功,高橋芳浩,大木隆広,平尾敏雄,小野田忍,伊藤久義
高崎量子応用研究シンポジウム, Jun. 2006, Not invited - 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流
高橋芳浩,大木隆広,長澤賢治,中嶋康人,川鍋龍,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006, Not invited - 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
大西一功,高橋芳浩,新垣久,藤田明良,南卓士
応用物理学会特別研究会「ゲートスタック研究会」, Feb. 2006, Not invited - 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流
大木隆広,川鍋龍,長澤賢治,中嶋康人,高橋芳浩,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,三島健太,河野勝泰,伊藤久義
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2005, Not invited - PERL構造太陽電池の作製とそのプロセス評価
岸雅人,石川寛之,佐藤拓蔵,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - スパッタ法によるSi薄膜の製膜・評価 〜N2+H2混合ガスアニール効果〜
石川寛之,岸雅人,佐藤拓蔵,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - スパッタ法により製膜したHfO2絶縁膜の作製と評価
山本絢介,足立学,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
藤田明良,柳沢卓人,菅沼卓仁,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - 紫外線励起プロセスを用いたシリコン窒化膜の作製及び評価
稲野正,海老原司,西村剛,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - Sn添加シリコン酸化膜のフォトルミネッセンス特性
大津卓也,安藤健志,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - MOSFETの作製プロセスの評価 〜SOIFETの試作〜
長澤賢治,中嶋康人,府金賢,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - SOI構造におけるシングルイベント過渡電流の解析
大木隆広,川鍋龍,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2005, Not invited - 陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
藤田明良,菅沼卓仁,新垣久,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 2005, Not invited - Sn添加シリコン酸化膜のPhotoluminescence特性
大津卓也,安藤健志,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 2005, Not invited - SRAMのシングルイベントアップセット評価
阿部哲男,大木隆広,高橋芳浩,大西一功,平尾敏雄
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited - 下地酸化膜を有するHfO2ゲート絶縁膜の電気伝導
南卓士,山本絢介,西岡泰城,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2005, Not invited - SRAMのシングルイベントアップセット評価
阿部哲男,大木隆広,平尾敏雄,高橋芳浩,大西一功
半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2005, Not invited - 単結晶シリコン太陽電池の高効率化のための研究
岸雅人,石川寛之,芳賀一純,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - スパッタ法を用いたa-Si/c-Si太陽電池の作製及び評価
石川寛之,岸雅人,芳賀一純,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - スパッタ法により製膜したHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の特性評価
南卓士,大津卓也,山田和正,山本絢介,高橋芳浩,大西一功,西岡泰城
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - 紫外線励起アンモニアガスを用いたシリコン窒化膜の作製及び評価
稲野正,海老原司,福岡大樹,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - 陽極酸化法による純水中でのSiO2膜の作製と評価
藤田明良,新垣久,菅沼卓仁,藤岡州次,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - 純水中での陽極酸化法によるシリコン酸化膜の作製と評価
新垣久,藤田明良,菅沼卓仁,藤岡州次,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - Si-Sn-O構造の発光特性
大津卓也,南卓士,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - SRAMのシグルイベントアップセット評価
阿部哲男,大木隆広,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - SRAMに対するシグルイベントアップセットのシミュレーション
大木隆広,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2004, Not invited - Charge collected in Si MOS Capacitors and SOI Devices P+N Diodes due to Heavy Ion Radiation
T. Hirao; J.S. Laird; S. Onoda; T. Shibata; T. Wakasa; T. Yamakawa; H. Abe; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and H. Itoh
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2004, Not invited - Heavy-Ion induced Current in MOS Structure
Y. Takahashi; T. Shibata; Y. Murase; K. Ohnishi; T. Hirao; T. Kamiya
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2004, Not invited - Consideration to Reliability of Laser Testing for Evaluating SEU Tolerance
T. Abe; K. Ohnishi; Y. Takahashi; T. Hirao
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2004, Not invited - Properties of SiO2 film fabricated by anodic oxidation
柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004, Not invited - The properties of SiO2 films fabricated by anodic oxidation
渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004, Not invited - Heavy-ion induced current in MOS structure
MOS構造における重イオン照射誘起電流
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004, Not invited - Study for Single Event Tolerance of SOI Devices -Measurement of Single Event Transient Current in MOS Capacitor-
芝田利彦,平尾敏雄,J.S.Laird,小野田忍,神谷富裕,村瀬祐児,高橋芳浩,大西一功
半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2004, Not invited - Study for single event tolerance of SOI devices -Measurement of single event transient current in MOS capacitor-
芝田利彦,平尾敏雄,J.S. Laird,小野田忍,神谷富裕,高橋芳浩,大西一功
A study on single event upset measurement system by using the FPGA, Nov. 2003, Not invited - A study on single event upset measurement system by using the FPGA
阿部哲男,芝田利彦,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - Device simulation for Heavy-ion induced transient current in MOS structure
村瀬裕児,芝田利彦,平尾敏雄,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - Properties of SiO2 film fabricated by anodic oxidation -In the case of multiple wafers set between electrodes-
柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - The properties of SiO2 films fabricated by anodic oxidation
渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,藤田明良,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - The luminescence characteristic of porous silicon
斉藤迪,満山弘,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - Properties of Hf02 high-k gate dielectrics deposited by sputtering method
南卓志,福山亨,西岡泰城,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - Properties of Silicon Nitride film grown with ammonia gas excited by UV light
稲野正,近藤憲,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2003, Not invited - Experimental Study of Single-Event Transient Current in SOI Devices
T. Hirao; T. Shibata; J. S. Laird; S. Onoda; Y. Takahashi; K. Ohnishi; and T. Kamiya
European conference on Radiation and its effects on components and system, Sep. 2003, Not invited - A Study on a Method of Cell Mapping for Memory Devices
芝田利彦,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2003, Not invited - A study on single event effect for LSI
芝田利彦,阿部哲男,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Characteristic analysis of SOI-MOSFET by device simulator
吉村崇尚,滝沢賢司,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Irradiation effect of MNOSFET -Fabrication of MNOSFET-
大井田信也,村瀬祐児,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Properties of oxynitride film fabricated using photo excited ammonia gas
森田崇,増田祥,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - The properties of SiO2 films fabricated by anodic oxidation
渡辺竜太,柴田徹也,新垣久,高田和規,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Properties of SiO2 film fabricated by anodic oxidation -Dependence of oxidation temperature-
柴田徹也,渡辺竜太,新垣久,高田和規,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Preparations and analyses of HF doped Si luminous device -Analyses of Hf films-
南卓士,満山弘,松下貴史,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2002, Not invited - Photoluminescence characteristics of porous silicon
松下貴史，満山弘，大西一功・高橋芳浩, Nov. 2002, Not invited - Total Dose Effect on MIS structures
K. Ohnishi and Y. Takahashi
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2002, Not invited - Properties of oxynitride film fabricated by photo-excited ammonia gas
森田崇,臼倉一敏,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Sep. 2002, Not invited - Photoluminescence characteristics of porous silicon
松下貴史,満山弘,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Sep. 2002, Not invited - Fabrication processes for radiation hardened MNOSFET -Fabrication of MOSFET-
大井田信也,中島友樹,成田隆,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2001, Not invited - Properties of oxynitride film fabricated using photo exited ammonia gas
森田崇,臼倉一敏,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2001, Not invited - Thermal annealing effect on SiO2 film fabricated by anodic oxidation
渡辺竜太,柴田徹也,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2001, Not invited - Properties of SiO2 film fabricated by anodic oxidation - Dependence of applied voltage frequency -
柴田徹也,渡辺竜太,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2001, Not invited - Photoluminescence characteristics of Sn doped SiO2 film
松下貴史,高木一彦,福永陽介,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2001, Not invited - 陽極酸化法により作製した酸化膜の熱処理効果
宮崎俊助,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2001, Not invited - Si-Sn-O構造におけるフォトルミネセンスに関する研究
齋藤正実,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2001, Not invited - Termal annealing effect on silicon dioxide film by fabricated anodic oxidation
宮崎俊助,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2000, Not invited - Photo-luminescence characteristics of Si-Sn-O structure
齋藤正実,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2000, Not invited - A study on the photoluminescence of porous silicon
松下貴史,齋藤正実,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2000, Not invited - Fabrication process for radiation hardened MIS transistor ~Fabrication and estimation of pn junction diode~
大井田信也,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2000, Not invited - Properties of SiN fabricated Photo-CVD
菅原隆之,森田崇,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 2000, Not invited - Total Dose Effect of Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
Y. Takahashi and K. Ohnishi
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 2000, Not invited - 光CVD法により作製したシリコン窒化膜の熱処理効果
川倉秀雄,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2000, Not invited - 純水中での陽極酸化法により作製したSiO2膜に関する研究
伊藤鑑,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 2000, Not invited - Analysis of charge trapping mechanisms of MNOS structure by gamma-ray irradiation
宮崎俊助,萩原大門,吉川正人,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1999, Not invited - Effect of NH3 process for SiN film by Photo-CVD
川倉秀雄,小沢祐介,菅原隆之,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1999, Not invited - Investigation of silicon film fabricated by anodic oxidation
伊藤鑑,村田誠,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1999, Not invited - Radiation-induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure
Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; and M. Yoshikawa
International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Jul. 1999, Not invited - MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
藤巻剛,大西一功,高橋芳浩,吉川正人
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, Mar. 1999, Not invited - Disscuss of suitable layer thickness of insulator for radiation hardness MNOS structure
藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1998, Not invited - Investigation of silicon dioxide film fabricated by anodic oxidation
伊藤鑑,沼尻匡史,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1998, Not invited - Photo-luminesence characteristics of Si-Sn-O structure
斎藤正実,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1998, Not invited - Radiation-induced trapped charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor structure
Y. Takahashi; K. Ohnishi; T. Fujimaki; M. Yoshikawa
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Oct. 1998, Not invited - Insulator thickness dependence on total dose effect of MNOS structure
大西一功,高橋芳浩,藤巻剛,吉川正人
電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sep. 1998, Not invited - Electrical properties of SiC-MOS structure using vapor jet deposited oxide
高橋芳浩; X.W. Wang; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern
電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sep. 1998, Not invited - Electrical properties of vapor jet deposited oxide on SiC
高橋芳浩; X.W. Wang; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern
応用物理学会学術講演会, Sep. 1998, Not invited - Disscuss of suitable layer thickness of insulator for radiation hardness MNOS structure
藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
応用物理学会学術講演会, Sep. 1998, Not invited - Effect of Process Temperature on SiC MOS Properties
X.W. Wang; X. Guo; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern; Y. Takahashi
Conference on Solid State Device and Materials, Sep. 1998, Not invited - γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中電荷捕獲量評価
箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1998, Not invited - 傾斜エッチング法によるγ線照射MNOS構造の絶縁膜中電荷分布評価
藤巻剛,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1997, Not invited - γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中捕獲電荷量評価
箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1997, Not invited - Electrical Properties and Reliability of Vapor Jet Deposited Oxide on SiC
X.W. Wang; Y. Takahashi; T.P. Ma; G.J. Cui; T. Tamagawa; B. Halpern; J.J. Schmitt
International Conference on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-1997, Sep. 1997, Not invited - γ線照射によるMNOS構造の絶縁膜中電荷捕獲現象
箱守厚志,吉川正人,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - 高電界ストレス下におけるMOS構造の酸化膜劣化評価
小田部昇,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - 高電圧印加時におけるMNOS構造絶縁膜電流
清水哲,岩谷和紀,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - ICTS法によるMOS, MNOS構造のSi/SiO2界面評価
四十物邦雄,大西一功,吉川正人,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - Sn添加SiO2膜からの発光現象に関する研究
吉澤正雄,折出俊彦,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - 多孔質Siにおけるエッチング後のPL特性
植木剛克,大西一功,高橋芳浩
日大理工学術講演会, Nov. 1996, Not invited - 酸素アニールをしたSn蒸着Siからの可視フォトルミネセンス
岩本真司,吉澤正雄,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1996, Not invited - NH3アニールしたMOS構造の酸化膜中電荷分布における熱的効果
今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1996, Not invited - 窒化膜の堆積条件依存性及び二層窒化膜MNOS構造の電荷捕獲特性
斉藤亮,清水哲,浜田博史,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1996, Not invited - The Change of Depth Profiling of Trapped Charges in Insulator of MIS Structure due to Irradiation
Yoshihiro Takahashi; Kazunori Ohnishi; Masahito Yoshikawa
The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, Mar. 1996, Not invited - Depth Profiling of Oxide-Trapped Charges in 6H-SiC MOS Structures by Slanted Etching Method
K. Saitoh; M. Yoshikawa; T. Ohshima; H. Itoh; I. Nashiyama; Y. Takahashi; K. Ohnishi
Recent Progress in Accelerator Beam Application, Mar. 1996, Not invited - フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定 [2]
山本克美,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - 傾斜エッチング法によるSiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価
斎藤一成,吉川正人,梨山勇,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - 傾斜エッチング法によるMNOS構造絶縁膜中電荷分布評価
箱守厚志,斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - NH3アニールしたMOS構造における酸化膜中電荷分布のγ線照射による変化（ゲート電圧依存性）
今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - MOSキャパシタの高電界ストレス下におけるC, G-V特性変化
斉藤俊,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - 製膜条件の異なる窒化シリコン膜の膜質評価
斉藤亮,清水哲,浜田博史,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - ポーラスSiにおけるエッチング後のレーザ照射効果
植木剛克,谷本一征,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - SiO2: Sn膜からの可視光発光
岩本真司,吉澤正雄,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - Si添加SiO2薄膜のフォトルミネセンス
吉澤正雄,岩本真司,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1995, Not invited - A Slanted Etching Method to Analyze the Trapped Charge Distribution in the Insulators of MIS structures
K. Ohnishi; Y. Takahashi; S. Imaki; K. Okada; M. Yoshikawa
International Symposium for Testing and Failure Analysis, Nov. 1995, Not invited - フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
山本克美,大西一功,高橋芳浩,佐藤順平
電子情報通信学会シリコン材料，デバイス研究会, May 1995, Not invited - MNOS構造におけるγ線照射効果（ドーズ量依存性）
若山広光,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1995, Not invited - 傾斜エッチング法によるMNOS構造の絶縁膜中電荷分布評価
斎藤一成,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1995, Not invited - Test Structure for Determining the Charge Distribution in the Oxide of MOS Structure
Yoshihiro Takahashi; Shunsaku Imaki; Kazunori Ohnishi; Masahito Yoshikawa
International Conference on Microelectronic Test Structures, Mar. 1995, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
電子情報通信学会シリコン材料，デバイス研究会, Nov. 1994, Not invited - MIS構造における放射線誘起電流の測定
小松茂,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 熱CVD窒化膜の膜質変化－流量比依存性
斉藤亮,清水哲,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 不純物を添加したSiO2膜の評価
岩本真司,吉澤正雄,中西賢真,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
山本克美,佐藤順平,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - MNOS構造におけるγ線照射効果（ドーズ量依存性）
若山広光,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 窒化酸化膜の高電界ストレス耐性
玉田直子,小田部昇,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - NH3アニールしたMOS構造のγ線照射による酸化膜中電荷分布の変化
今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜のPMA効果
大西理雄,出口泰,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 窒化膜を有するMIS構造の電気的特性に及ぼす熱処理効果 (II)
斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1994, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜のPMA効果
出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 1994, Not invited - 窒化膜を有するMIS構造のγ線照射効果に及ぼす熱処理効果
斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 1994, Not invited - NH3アニールしたMOS構造のγ線照射による酸化膜中電荷分布の評価
今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 1994, Not invited - GaAs系進行波型方向性結合器光変調器の構造改善について
呉志武,高橋芳浩,戸田知朗,多田邦雄
応用物理学会学術講演会, Sep. 1994, Not invited - 対称電極を有するGaAs系進行波型方向性結合器光変調器の試作
呉志武,高橋芳浩,戸田知朗,多田邦雄
応用物理学会学術講演会, Sep. 1994, Not invited - フラッシュメモリの劣化特性における書き換えパルス条件
原貴仁,山本克美,山添尚志,高橋芳浩,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1994, Not invited - 傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定 (III)
今木俊作,岡田耕平,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1994, Not invited - 多孔質シリコンの化学エッチング効果
中西賢真,小川口進,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - 窒素希釈酸化法による高温熱酸化膜の評価
玉田直子,片岡弘行,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - XPSによる極薄シリコン酸化膜の分析
芳野光男,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - フラッシュEEPROMの劣化特性
山本克美,原貴仁,山添尚志,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
出口泰,森克文,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - 傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定
今木俊作,岡田耕平,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - 窒化膜を有するMIS構造の電気特性に及ぼす熱処理効果
斎藤一成,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構
須藤仁介,鈴木康晴,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1993, Not invited - GaAs系進行波型方向性結合器光変調器の高速化について
呉志武,高橋芳浩,多田邦雄
応用物理学会学術講演会, Sep. 1993, Not invited - 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定II
岡田耕平,今木俊作,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
応用物理学会学術講演会, Sep. 1993, Not invited - 光CVD法によるSiN膜のアニール効果
森克文,出口泰,大西理雄,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 1993, Not invited - γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構(III)
須藤仁介,鈴木康晴,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
応用物理学会学術講演会, Sep. 1993, Not invited - MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
岡田耕平,今木俊作,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
電子情報通信学会シリコン材料，デバイス研究会, Jul. 1993, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
森克文,出口泰,高橋芳浩,大西一功
電子情報通信学会シリコン材料，デバイス研究会, Jul. 1993, Not invited - 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
岡田耕平,千賀裕之,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1993, Not invited - MONOS構造のγ線照射効果
根本規生,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1993, Not invited - MOS C,G-V特性に及ぼすSi-金属接合の影響
中西賢真,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - γ線照射によるMNOS構造の電荷捕獲機構
朝香勝征,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - MNOS型不揮発性メモリの劣化機構について
原貴仁,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - 光CVD法によるシリコン窒化膜における酸素混入量の研究
森克文,出口泰,菊池知之,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - XPSによる極薄シリコン酸化膜の評価
芳野光男,若山広光,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - XPSによる薄いSiO2膜の膜厚測定
玉田直子,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - MONOS構造のγ線照射効果
根本規生,高橋芳浩,吉川正人,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - 傾斜エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
岡田耕平,千賀裕之,高橋芳浩,大西一功,吉川正人
日大理工学術講演会, Nov. 1992, Not invited - γ線照射によるMNOS構造の電荷捕獲機構 (II)
朝香勝征,高橋芳浩,大西一功
応用物理学会学術講演会, Sep. 1992, Not invited - GaAs系進行波型方向性結合器型光変調器のクロストーク低減について
高橋芳浩,呉志武,王明華,多田邦雄
応用物理学会学術講演会, Sep. 1992, Not invited - γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構
高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構, Jul. 1992, Not invited - γ線照射時のMNOS構造における電荷捕獲機構
高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1992, Not invited - Gamma-ray Irradiation Effects in MNOS Structure
Yoshihiro TAKAHASHI; Kazunori OHNISHI and Katsuyuki ASAKA
The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, Feb. 1992, Not invited - C-t法によるMNOS構造の少数キャリア発生時定数の測定
松本哲郎,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1991, Not invited - エッチング法による絶縁膜内電荷分布測定
岡田耕平,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1991, Not invited - MNOS構造のγ線照射効果
朝香勝征,根本規生,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1991, Not invited - MNOS構造の絶縁膜コンダクタンス評価
原貴仁,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1991, Not invited - NH3アニールを施したSi酸化膜に対するN2アニールの影響
相良宏司,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1991, Not invited - MNOS構造のγ線照射効果
高橋芳浩,朝香勝征,大西一功
応用物理学会学術講演会, Oct. 1991, Not invited - MNOS構造の絶縁膜コンダクタンス評価
高橋芳浩,原貴仁,大西一功
応用物理学会学術講演会, Oct. 1991, Not invited - 光ファイバ磁界・電流センサにおける簡易型位相検出方式
松田安司,七部清人,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1990, Not invited - MOS構造のNH3アニールによるγ線照射効果
田中雅俊,広瀬禎彦,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1990, Not invited - MOS構造のNH3アニールによるγ線照射効果
広瀬禎彦,高橋芳浩,大西一功
電子情報通信学会シリコン材料，デバイス研究会, Jul. 1990, Not invited - GaAs系進行波形分布結合ガイド光変調器の試作
林秀樹,高橋芳浩,石川卓哉,多田邦雄
応用物理学関係連合講演会, Mar. 1990, Not invited - MNOS構造のC-V特性周波数依存性に関する考察
高橋芳浩,大西一功
電子情報通信学会春季全国大会, Mar. 1990, Not invited - GaAs系進行波形分布結合ガイド光変調器の試作
林秀樹,高橋芳浩,石川卓哉,多田邦雄
応用物理学会学術講演会, Nov. 1989, Not invited - MNOS構造の蓄積層等価回路評価
高橋芳浩,鶴田浩二,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1989, Not invited - LCD変調器を用いたファラデー効果測定装置の試作と検討
松田安司,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1989, Not invited - 希釈酸化による極薄酸化膜の製作と膜評価
相良宏司,西辺俊彦,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1989, Not invited - 三角形電圧印加時のMNOS構造における捕獲電荷中心測定法
高橋芳浩,谷口真也,大西一功
電子情報通信学会春季全国大会, Mar. 1989, Not invited - MNOSダイオードのΔVFB特性測定のCAMによる自動化
三浦克宏,高橋芳浩,大西一功
日大理工学術講演会, Nov. 1988, Not invited - 誘電体装着有限地板上アンテナの放射特性
高橋芳浩,長谷部望
電子情報通信学会春季全国大会, Mar. 1988, Not invited - 誘電体装着有限地板上アンテナの放射特性
高橋芳浩,中田久史,長谷部望
日大理工学術講演会, Nov. 1987, Not invited - 有限地板上のモノポールアンテナ放射界と誘電体被膜の効果
高橋芳浩,長谷部望
日大理工学術講演会, Nov. 1986, Not invited - 可変レフを用いたパッシブテレメトリ（交通流計測）
高橋芳浩,伊豆徳夫,兼板晃宏,長谷部望
日大理工学術講演会, Nov. 1985, Not invited
Affiliated academic society
Research Themes
- Study on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling
Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, 01 Apr. 2018 - 31 Mar. 2021
TAKAHASHI Yoshihiro - 電界結合による非接触スリップリングの研究
2018 - 2020 - マイクロ機械／知能エレクトロニクス集積化技術の総合研究
文部科学省, 私立大学学術フロンティア推進事業, 2004 - 2008 - マイクロテクノロジーによるインテリジェントデバイスの開発
日本大学理工学部, 日本大学理工学部研究プロジェクト, 2002 - 2003 - 半導体素子の放射線照射効果に関する研究
日本大学, 日本大学学術研究助成金・一般研究（個人）, 2002 - 2002 - マイクロテクノロジーによる機能デバイス開発に関する研究
日本大学理工学部, 日本大学理工学部研究プロジェクト, 2000 - 2001
